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双极 (BJT) - 阵列
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
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5.67
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563
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5.25
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
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4.68
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
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4.29
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
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4.02
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 50V 3A 5CPH
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5.64
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SOT363
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563
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3.36
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563
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2.49
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88
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6.54
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT363
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电流集电极
电压集射极击穿
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不同Ic,Vce时的DC电流增益
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达标情况
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6.30
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NSS40302PDR2G
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6.30
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
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NSS40302PDR2G
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NPN,PNP
3A
40V
115mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
180 @ 1A,2V
653mW
100MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
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NST30010MXV6T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563
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NST30010MXV6T1G
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2 PNP(双)配对
100mA
30V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
500mW
100MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
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NCV1413BDR2G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
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NCV1413BDR2G
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7 NPN 达林顿
500mA
50V
1.6V @ 500µA,350mA
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1000 @ 350mA,2V
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
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MC1413BDR2G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
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MC1413BDR2G
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7 NPN 达林顿
500mA
50V
1.6V @ 500µA,350mA
-
1000 @ 350mA,2V
-
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
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4.29
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型号
MC1413DR2G
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4.29
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
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MC1413DR2G
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7 NPN 达林顿
500mA
50V
1.6V @ 500µA,350mA
-
1000 @ 350mA,2V
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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4.02
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CPH5524-TL-E
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4.02
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 50V 3A 5CPH
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CPH5524-TL-E
-
NPN,PNP(耦合发射器)
3A
50V
240mV @ 100mA,2A
1µA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
1.2W
380MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
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5.64
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型号
MBT2222ADW1T1G
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5.64
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
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MBT2222ADW1T1G
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2 NPN(双)
600mA
40V
1V @ 50mA,500mA
10nA(ICBO)
100 @ 150mA,10V
150mW
300MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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0.93
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MBT3946DW1T2G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363
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MBT3946DW1T2G
-
NPN,PNP
200mA
40V
300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
150mW
300MHz,250MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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UMZ1NT1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SOT363
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UMZ1NT1G
-
NPN,PNP
200mA
50V
250mV @ 10mA,100mA / 300mV @ 10mA,100mA
2µA
200 @ 2mA,6V
250mW
114MHz,142MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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BC856BDW1T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
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BC856BDW1T1G
-
2 PNP(双)
100mA
65V
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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型号
BC846BPDW1T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
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BC846BPDW1T1G
-
NPN,PNP
100mA
65V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
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0.93
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型号
BC847BPDW1T2G
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0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
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BC847BPDW1T2G
-
NPN,PNP
100mA
45V
600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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0.93
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BC847BPDW1T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
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BC847BPDW1T1G
-
NPN,PNP
100mA
45V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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3.66
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NST45011MW6T1G
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3.66
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
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NST45011MW6T1G
-
2 NPN(双)配对
100mA
45V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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1.83
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SBC846BPDW1T1G
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1.83
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
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SBC846BPDW1T1G
-
NPN,PNP
100mA
65V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
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1.65
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BC858CDXV6T1G
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1.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563
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BC858CDXV6T1G
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2 PNP(双)
100mA
30V
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
500mW
100MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
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3.36
另提供行业标准包装
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型号
CPH5517-TL-E
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3.36
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH
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CPH5517-TL-E
-
NPN,PNP(共基极)
1A
50V
430mV @ 10mA,500mA
100nA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
900mW
420MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
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1.65
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BC847CDXV6T1G
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1.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563
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BC847CDXV6T1G
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2 NPN(双)
100mA
45V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
500mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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2.49
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SMBT3904DW1T1G
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2.49
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88
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SMBT3904DW1T1G
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2 NPN(双)
200mA
40V
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
150mW
300MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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6.54
另提供行业标准包装
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型号
BC848CPDW1T1G
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6.54
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT363
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对比
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BC848CPDW1T1G
-
NPN,PNP
100mA
30V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
250mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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用户名:18714019-285718
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