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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R
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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
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DDC144TU-7
2 个 NPN 预偏压式(双)
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150 @ 25mA,5V
300mV @ 5mA,50mA
850nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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2 个 PNP 预偏压式(双)
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6-TSSOP,SC-88,SOT-363
剪切带(CT)
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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DCX122LH-7
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
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56 @ 10mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
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SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26
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IMT4-7-F
2 PNP(双)
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50mA
120V
500mV @ 1mA,10mA
500nA(ICBO)
180 @ 2mA,6V
225mW
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 25V 0.2A SOT363
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MMDT4124-7-F
2 NPN(双)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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200mA
25V
300mV @ 5mA,50mA
50nA(ICBO)
120 @ 2mA,1V
200mW
300MHz
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 12V 2.5A SM8
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ZDT717TA
2 PNP(双)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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2.5A
12V
220mV @ 50mA,2.5A
100nA
300 @ 100mA,2V
2.5W
110MHz
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
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DDA122TU-7-F
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
220
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100 @ 1mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
-
200MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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DDC114EH-7
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
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DDC114EH-7
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
10k
10k
30 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563
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DCX100NS-7
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
10k,1k
10k
30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563,SOT-666
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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型号
LBN150B01-7
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT26
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LBN150B01-7
NPN,PNP
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
-
200mA
40V
360mV @ 20mA,200mA / 500mV @ 20mA,200mA
50nA
30 @ 100mA,1V / 32 @ 100mA,1V
300mW
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MMDT3904-7-F
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
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MMDT3904-7-F
2 NPN(双)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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200mA
40V
300mV @ 5mA,50mA
50nA(ICBO)
100 @ 10mA,1V
200mW
300MHz
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ZHB6790TC
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN/2PNP 40V 2A SOT223
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ZHB6790TC
2 个 NPN 2 个 PNP(H 桥)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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2A
40V
750mV @ 50mA,2A
100nA(ICBO)
200 @ 1A,2V
1.25W
100MHz
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DCX115EK-7-F
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3.27
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R
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DCX115EK-7-F
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
100k
100k
82 @ 5mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
500nA
250MHz
300mW
SC-74R
SC-74R
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
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0.00
另提供行业标准包装
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型号
DDA114TU-7
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
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DDA114TU-7
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
10k
-
100 @ 1mA,5V
300mV @ 100µA,1mA
-
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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另提供行业标准包装
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DDA124EK-7-F
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
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DDA124EK-7-F
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
22k
22k
56 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
-
250MHz
300mW
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
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另提供行业标准包装
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ZXT12P12DXTA
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18.51
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP
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ZXT12P12DXTA
2 PNP(双)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
3A
12V
270mV @ 30mA,3A
100nA
300 @ 1A,2V
1.04W
85MHz
-
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另提供行业标准包装
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型号
ZDT651TC
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 60V 2A SM8
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ZDT651TC
2 NPN(双)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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2A
60V
500mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
100 @ 500mA,2V
2.75W
175MHz
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另提供行业标准包装
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型号
DDC143TH-7
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
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DDC143TH-7
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
4.7k
-
100 @ 1mA,5V
300mV @ 250µA,2.5mA
-
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
1.80
另提供行业标准包装
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型号
DDA114TU-7-F
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
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DDA114TU-7-F
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
10k
-
100 @ 1mA,5V
300mV @ 100µA,1mA
-
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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