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MOD Vishay 晶体管 IGBT 模块 3PHASE INV 600V SIP
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产品系列
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配置
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最大集电极电流
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不同 Vce 时的输入电容
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封装类型
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Vishay 晶体管 IGBT 模块 SIP MODULE 600V 13A IMS-2
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三相反相器
600V
24A
63W
1.8V @ 15V,24A
250µA
1.6nF @ 30V
标准
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
19-SIP(13 引线),IMS-2
IMS-2
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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600V
27A
63W
1.5V @ 15V,15A
250µA
2.2nF @ 30V
标准
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
19-SIP(13 引线),IMS-2
IMS-2
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
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Vishay 晶体管 IGBT 模块 1200V 61A 216W EMIPAK-1B
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沟道
三级反相器
1200V
61A
216W
2.52V @ 15V,30A
230µA
3.34nF @ 30V
标准
150°C(TJ)
底座安装
EMIPAK-1B
EMIPAK-1B
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Vishay 晶体管 IGBT 模块 650V 150A EMIPAK-2B
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VS-ETF150Y65N
FRED Pt
NPT
半桥逆变器
650V
201A
600W
2.17V @ 15V,150A
-
标准
175°C(TJ)
模块
模块
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Vishay 晶体管 IGBT 模块 600V 109A 294W EMIPAK-2B
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沟道
三级反相器
600V
109A
294W
1.93V @ 15V,75A
100µA
4.44nF @ 30V
标准
175°C(TJ)
底座安装
EMIPAK-2B
EMIPAK-2B
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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600V
11A
36W
2.1V @ 15V,6A
250µA
0.74nF @ 30V
标准
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
19-SIP(13 引线),IMS-2
IMS-2
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Vishay 晶体管 IGBT 模块 650V 150A EMIPAK-2B
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VS-ETF150Y65U
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沟道
三级反相器
650V
142A
417W
2.06V @ 15V,100A
100µA
6.6nF @ 30V
标准
175°C(TJ)
底座安装
EMIPAK-2B
EMIPAK-2B
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Vishay 晶体管 IGBT 模块 1200V 22A 89W EMIPAK-2B
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沟道
1200V
22A
89W
3.03V @ 15V,15A
75µA
1.07nF @ 30V
标准
150°C(TJ)
底座安装
EMIPAK-2B
EMIPAK-2B
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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NPT
单一
1200V
149A
862W
3.9V @ 15V,75A
250µA
-
标准
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SOT-227-4
SOT-227
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Vishay 晶体管 IGBT 模块 600V 114A 658W MTP
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半桥
600V
114A
658W
3.2V @ 15V,100A
400µA
7.1nF @ 30V
标准
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
12-MTP 模块
MTP
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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VS-CPV364M4UPBF
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600V
20A
63W
2.1V @ 15V,10A
250µA
2.1nF @ 30V
标准
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
19-SIP(13 引线),IMS-2
IMS-2
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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MOD Vishay 晶体管 IGBT 模块 3PHASE INV 600V SIP
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600V
13A
36W
2.2V @ 15V,6.8A
250µA
1.1nF @ 30V
标准
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
19-SIP(13 引线),IMS-2
IMS-2
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19-SIP(13 引线),IMS-2
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