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原产地
¥71.43
Toshiba GT30J341,Q(O N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
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GT30J341,Q(O
59 A
±25V
-
230 W
TO-3P
通孔
N
3
0.4µs
单
15.5mm
4.5mm
20mm
-
¥72.48
Infineon IGP50N60T N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
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IGP50N60T
50 A
±20V
-
333 W
TO-220
通孔
N
3
-
单
10.36mm
4.57mm
15.95mm
-
¥54.51
Infineon IRGSL10B60KDPBF N沟道 IGBT, 35 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
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IRGSL10B60KDPBF
35 A
±20V
-
156 W
I2PAK (TO-262)
通孔
N
3
8 → 30kHz
单
10.67mm
4.83mm
11.3mm
-
¥20.10
Infineon IKA08N65H5XKSA1 N沟道 IGBT, 10.8 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
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IKA08N65H5XKSA1
10.8 A
±20V
-
31.2 W
TO-220FP
通孔
N
3
1MHz
单
10.65mm
4.85mm
16.15mm
-
¥78.30
Infineon IHW40N60RF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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IHW40N60RF
80 A
±20V
-
305W
TO-247
通孔
N
3
-
单
16.13mm
5.21mm
21.1mm
-
¥22.77
Infineon IGB10N60T N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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IGB10N60T
10 A
±20V
-
110 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
1MHz
单
10.31mm
9.45mm
4.57mm
-
¥430.77
IXYS IXYT25N250CHV IGBT, 95 A, Vce=2500 V, 3引脚 TO-268HV封装
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IXYT25N250CHV
95 A
±20 (Continuous) V, ±30 (Transient) V
1
937 W
TO-268HV
表面贴装
-
3
-
单
16.05mm
5.1mm
14mm
-
¥60.36
STMicroelectronics STGB20V60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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STGB20V60DF
40 A
±20V
-
167 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
-
单
10.4mm
9.35mm
4.6mm
-
¥103.02
Infineon IRG4PH40UD-EPBF N沟道 IGBT, 41 A, Vce=1200 V, 8 - 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
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IRG4PH40UD-EPBF
41 A
±20V
-
160 W
TO-247AC
通孔
N
3
8 → 30kHz
单
15.87mm
5.31mm
20.7mm
-
¥49.71
Infineon IRGP6630DPBF N沟道 IGBT, 47 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
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IRGP6630DPBF
47 A
±20V
-
192 W
TO-247AC
通孔
N
3
8 → 30kHz
单
15.87mm
5.31mm
20.7mm
-
¥103.05
ON Semiconductor NGTB40N120IHRWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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NGTB40N120IHRWG
80 A
±20V
-
384 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
16.25mm
5.3mm
21.4mm
-
¥94.92
STMicroelectronics STGWT60H60DLFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
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STGWT60H60DLFB
80 A
±20V
-
375 W
TO-3P
通孔
N
3
-
单
15.8mm
5mm
20.1mm
-
¥38.85
Infineon IRG4BC15UD-LPBF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
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IRG4BC15UD-LPBF
14 A
±20V
-
49 W
I2PAK (TO-262)
通孔
N
3
30kHz
单
10.67mm
4.83mm
11.3mm
-
¥416.61
Fuji Electric 6MBP35XSF060-50-P IGBT, 35 A, Vce=600 V, 36引脚 IPM封装
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6MBP35XSF060-50-P
35 A
-
-
41 W
IPM
通孔
-
36
-
-
43mm
26mm
3.83mm
-
¥21.51
Fairchild Semiconductor FGD3N60LSDTM N沟道 IGBT, 6 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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FGD3N60LSDTM
6 A
±25V
-
40 W
DPAK (TO-252)
表面贴装
N
3
-
单
6.73mm
6.22mm
2.39mm
-
¥75.27
Infineon IRG4PC40FDPBF N沟道 IGBT, 49 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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IRG4PC40FDPBF
49 A
±20V
-
-
TO-247AC
通孔
N
3
-
单
15.9mm
5.3mm
20.3mm
-
¥113.37
IXYS IXGH100N30C3 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=300 V, 3引脚 TO-247AD封装
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IXGH100N30C3
75 A
±20V
-
-
TO-247AD
通孔
N
3
-
单
16.26mm
5.3mm
21.46mm
-
¥46.14
STMicroelectronics STGP30V60F N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
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STGP30V60F
30 A
±20V
-
260 W
TO-220
通孔
N
3
1MHz
单
10.4mm
4.6mm
15.75mm
-
¥98.55
Infineon IKW40N60DTPXKSA1 N沟道 IGBT, 67 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247封装
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IKW40N60DTPXKSA1
67 A
±20V
1
246 W
TO-247
通孔
N
3
30kHz
单
16.13mm
5.21mm
21.1mm
-
¥75.45
Infineon IGW50N60H3 N沟道 IGBT, 100 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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IGW50N60H3
100 A
±20V
-
333 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
16.13mm
5.21mm
21.1mm
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