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7.47
Infineon 3GHz SPDT 射频开关 BGS 12AL7-6, 单单刀双掷, 0.8dB介入损耗, 15dB隔离, CMOS/TTL技术
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580.80
Analog Devices 8GHz 射频开关 HMC321ALP4E, 单路 SP8T, 3.1dB介入损耗, 20dB隔离, GaAs MMIC技术, 24引脚
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1427.58
Analog Devices 28GHz 射频开关 HMC547ALC3, 3.7dB介入损耗, 30dB隔离, GaAs MMIC技术, 16引脚
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104.91
NXP 1GHz SPDT 射频开关 SA630D/01,112, 单单刀双掷, 2.8dB介入损耗, 24dB隔离, BiCMOS技术
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39.42
Texas Instruments 950MHz 射频前端 CC1190RGVT, 单单刀双掷, 0.8dB介入损耗, 15dB隔离, CMOS/TTL技术
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53.34
Analog Devices 2GHz 射频多路复用器 ADG919BRMZ, 单单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 34dB隔离
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446.73
Analog Devices 8GHz 射频开关 HMC321ALP4E, 单路 SP8T, 3.1dB介入损耗, 20dB隔离, GaAs MMIC技术, 24引脚
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1087.08
Analog Devices 20GHz 射频开关 HMC547ALP3E, 单单刀双掷, 3dB介入损耗, 31dB隔离, GaAs MMIC技术, 16引脚
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93.09
Analog Devices 1GHz 射频开关 ADG901SCPZ-EP, 单单刀单掷, 1.25dB介入损耗, 31dB隔离, CMOS / LVTTL技术
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37.38
Analog Devices Hittite 系列 3.5GHz 射频开关 HMC284AMS8GE, 单单刀双掷, 1.1dB介入损耗, 30dB隔离
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409.20
Analog Devices Hittite 系列 8GHz 射频开关 HMC344LP3E, 单路 SP4T, 2.5dB介入损耗, 31dB隔离, MESFET技术
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53.34
Analog Devices 2GHz 射频多路复用器 ADG918BRMZ, 单单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 34dB隔离
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76.02
Analog Devices 2GHz SPDT 射频开关 ADG936BCPZ, 双单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 31dB隔离, CMOS / LVTTL技术
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36.54
Analog Devices 4GHz SPDT 射频开关 ADG918BCPZ-500RL7, 单单刀双掷, 0.8dB介入损耗, 36dB隔离
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847.26
Analog Devices Hittite 系列 12GHz 射频开关电路 HMC232LP4E, 单单刀双掷, 3.1dB介入损耗, 37dB隔离
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2085.33
Analog Devices Hittite 系列 20GHz 射频开关电路 HMC641LC4, 单路 SP4T, 3.5dB介入损耗, 30dB隔离
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155.25
Analog Devices 射频开关 ADGS1412BCPZ, 单单刀单掷, Minimum of -0.2dB介入损耗, -76dB隔离, iCMOS技术
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50.94
Analog Devices 2.5GHz SPDT 射频开关 ADG901BRMZ, 单单刀单掷, 1.25dB介入损耗, 31dB隔离, CMOS / LVTTL技术
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57.30
Analog Devices Hittite 系列 2.5GHz 射频开关电路 HMC348LP3E, 单单刀双掷, 1dB介入损耗, 45dB隔离
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10.05
NXP 射频开关 BF1108R,215, 4引脚 SC-61B封装
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最大介入损耗
最小隔离
开关速度
开关数目
技术
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尺寸
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最大频率
最低工作温度
原产地
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7.47
另提供行业标准包装
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型号
BGS 12AL7-6
¥
7.47
Infineon 3GHz SPDT 射频开关 BGS 12AL7-6, 单单刀双掷, 0.8dB介入损耗, 15dB隔离, CMOS/TTL技术
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BGS 12AL7-6
单单刀双掷
0.8dB
15dB
5µs
1
CMOS/TTL
TSLP
6
1.26 x 1.4 x 0.34mm
1.26mm
1.4mm
0.34mm
3GHz
-30 °C
-
¥
580.80
另提供行业标准包装
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型号
HMC321ALP4E
¥
580.80
Analog Devices 8GHz 射频开关 HMC321ALP4E, 单路 SP8T, 3.1dB介入损耗, 20dB隔离, GaAs MMIC技术, 24引脚
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HMC321ALP4E
单路 SP8T
3.1dB
20dB
150ns
1
GaAs MMIC
QFN
24
4 x 4 x 0.85mm
4mm
4mm
0.85mm
8GHz
-40 °C
-
¥
1427.58
另提供行业标准包装
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型号
HMC547ALC3
¥
1427.58
Analog Devices 28GHz 射频开关 HMC547ALC3, 3.7dB介入损耗, 30dB隔离, GaAs MMIC技术, 16引脚
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HMC547ALC3
-
3.7dB
30dB
6ns
2
GaAs MMIC
表面安装
16
3 x 3 x 0.92mm
3mm
3mm
0.92mm
28GHz
-40 °C
-
¥
104.91
另提供行业标准包装
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型号
SA630D/01,112
¥
104.91
NXP 1GHz SPDT 射频开关 SA630D/01,112, 单单刀双掷, 2.8dB介入损耗, 24dB隔离, BiCMOS技术
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SA630D/01,112
单单刀双掷
2.8dB
24dB
20ns
1
BiCMOS
SOIC
8
5 x 4 x 1.45mm
5mm
4mm
1.45mm
1GHz
-40°C
-
¥
39.42
另提供行业标准包装
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型号
CC1190RGVT
¥
39.42
Texas Instruments 950MHz 射频前端 CC1190RGVT, 单单刀双掷, 0.8dB介入损耗, 15dB隔离, CMOS/TTL技术
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CC1190RGVT
单单刀双掷
0.8dB
15dB
600ns
-
CMOS/TTL
VQFN
16
4.15 x 4.15 x 0.95mm
4.15mm
4.15mm
0.95mm
950MHz
-40 °C
-
¥
53.34
另提供行业标准包装
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型号
ADG919BRMZ
¥
53.34
Analog Devices 2GHz 射频多路复用器 ADG919BRMZ, 单单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 34dB隔离
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ADG919BRMZ
单单刀双掷
1.25dB
34dB
-
1
CMOS / LVTTL
MSOP
8
3 x 3 x 0.85mm
3mm
3mm
0.85mm
2GHz
-40 °C
-
¥
446.73
另提供行业标准包装
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型号
HMC321ALP4E
¥
446.73
Analog Devices 8GHz 射频开关 HMC321ALP4E, 单路 SP8T, 3.1dB介入损耗, 20dB隔离, GaAs MMIC技术, 24引脚
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HMC321ALP4E
单路 SP8T
3.1dB
20dB
150ns
1
GaAs MMIC
QFN
24
4 x 4 x 0.85mm
4mm
4mm
0.85mm
8GHz
-40 °C
-
¥
1087.08
另提供行业标准包装
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型号
HMC547ALP3E
¥
1087.08
Analog Devices 20GHz 射频开关 HMC547ALP3E, 单单刀双掷, 3dB介入损耗, 31dB隔离, GaAs MMIC技术, 16引脚
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HMC547ALP3E
单单刀双掷
3dB
31dB
10ns
2
GaAs MMIC
QFN
16
3.1 x 3.1 x 0.95mm
3.1mm
3.1mm
0.95mm
20GHz
-40 °C
-
¥
93.09
另提供行业标准包装
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型号
ADG901SCPZ-EP
¥
93.09
Analog Devices 1GHz 射频开关 ADG901SCPZ-EP, 单单刀单掷, 1.25dB介入损耗, 31dB隔离, CMOS / LVTTL技术
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ADG901SCPZ-EP
单单刀单掷
1.25dB
31dB
6.5 (On Time) ns, 10.5 (Off Time) ns
3
CMOS / LVTTL
LFCSP
8
3.1 x 3.1 x 0.75mm
3.1mm
3.1mm
0.75mm
1GHz
-55 °C
-
¥
37.38
另提供行业标准包装
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型号
HMC284AMS8GE
¥
37.38
Analog Devices Hittite 系列 3.5GHz 射频开关 HMC284AMS8GE, 单单刀双掷, 1.1dB介入损耗, 30dB隔离
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HMC284AMS8GE
单单刀双掷
1.1dB
30dB
20ns
1
CMOS/TTL
MSOP
8
3.1 x 3.1 x 0.97mm
3.1mm
3.1mm
0.97mm
3.5GHz
-40 °C
-
¥
409.20
另提供行业标准包装
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型号
HMC344LP3E
¥
409.20
Analog Devices Hittite 系列 8GHz 射频开关 HMC344LP3E, 单路 SP4T, 2.5dB介入损耗, 31dB隔离, MESFET技术
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HMC344LP3E
单路 SP4T
2.5dB
31dB
150ns
1
MESFET
QFN
16
3.1 x 3.1 x 0.95mm
3.1mm
3.1mm
0.95mm
8GHz
-40 °C
-
¥
53.34
另提供行业标准包装
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型号
ADG918BRMZ
¥
53.34
Analog Devices 2GHz 射频多路复用器 ADG918BRMZ, 单单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 34dB隔离
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ADG918BRMZ
单单刀双掷
1.25dB
34dB
-
1
CMOS / LVTTL
MSOP
8
3 x 3 x 0.85mm
3mm
3mm
0.85mm
2GHz
-40°C
-
¥
76.02
另提供行业标准包装
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型号
ADG936BCPZ
¥
76.02
Analog Devices 2GHz SPDT 射频开关 ADG936BCPZ, 双单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 31dB隔离, CMOS / LVTTL技术
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ADG936BCPZ
双单刀双掷
1.25dB
31dB
-
2
CMOS / LVTTL
LFCSP
20
4 x 4 x 0.83mm
4mm
4mm
0.83mm
2GHz
-40 °C
-
¥
36.54
另提供行业标准包装
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型号
ADG918BCPZ-500RL7
¥
36.54
Analog Devices 4GHz SPDT 射频开关 ADG918BCPZ-500RL7, 单单刀双掷, 0.8dB介入损耗, 36dB隔离
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ADG918BCPZ-500RL7
单单刀双掷
0.8dB
36dB
9.5 ns, 10 ns
1
CMOS / LVTTL
LFCSP VD
8
3.25 x 3.25 x 0.85mm
3.25mm
3.25mm
0.85mm
4GHz
-40 °C
-
¥
847.26
另提供行业标准包装
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型号
HMC232LP4E
¥
847.26
Analog Devices Hittite 系列 12GHz 射频开关电路 HMC232LP4E, 单单刀双掷, 3.1dB介入损耗, 37dB隔离
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HMC232LP4E
单单刀双掷
3.1dB
37dB
6ns
1
MESFET
QFN
24
4.1 x 4.1 x 0.95mm
4.1mm
4.1mm
0.95mm
12GHz
-40 °C
-
¥
2085.33
另提供行业标准包装
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型号
HMC641LC4
¥
2085.33
Analog Devices Hittite 系列 20GHz 射频开关电路 HMC641LC4, 单路 SP4T, 3.5dB介入损耗, 30dB隔离
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HMC641LC4
单路 SP4T
3.5dB
30dB
88ns
1
MESFET
QFN
24
4 x 4 x 1.02mm
4mm
4mm
1.02mm
20GHz
-40 °C
-
¥
155.25
另提供行业标准包装
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型号
ADGS1412BCPZ
¥
155.25
Analog Devices 射频开关 ADGS1412BCPZ, 单单刀单掷, Minimum of -0.2dB介入损耗, -76dB隔离, iCMOS技术
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ADGS1412BCPZ
单单刀单掷
Minimum of -0.2dB
-76dB
430 (On Time) ns, 435 (Off Time) ns
4
ICMOS
LFCSP
24
4.1 x 4.1 x 0.95mm
4.1mm
4.1mm
0.95mm
-
-40 °C
-
¥
50.94
另提供行业标准包装
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型号
ADG901BRMZ
¥
50.94
Analog Devices 2.5GHz SPDT 射频开关 ADG901BRMZ, 单单刀单掷, 1.25dB介入损耗, 31dB隔离, CMOS / LVTTL技术
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ADG901BRMZ
单单刀单掷
1.25dB
31dB
-
1
CMOS / LVTTL
MSOP
8
3 x 3 x 0.85mm
3mm
3mm
0.85mm
2.5GHz
-40°C
-
¥
57.30
另提供行业标准包装
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型号
HMC348LP3E
¥
57.30
Analog Devices Hittite 系列 2.5GHz 射频开关电路 HMC348LP3E, 单单刀双掷, 1dB介入损耗, 45dB隔离
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HMC348LP3E
单单刀双掷
1dB
45dB
600ns
1
MESFET
QFN
16
3.1 x 3.1 x 0.95mm
3.1mm
3.1mm
0.95mm
2.5GHz
-40 °C
-
¥
10.05
另提供行业标准包装
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型号
BF1108R,215
¥
10.05
NXP 射频开关 BF1108R,215, 4引脚 SC-61B封装
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BF1108R,215
-
-
-
-
-
-
SC-61B
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1mm
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