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¥9.33
Adesto 存储器 IC FLASH 4MBIT 104MHZ 8SOIC
京电港自营
自营
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AT25SF041-SHD-B
非易失
闪存
FLASH
4Mb （512K x 8）
5µs，2.5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
33 周
¥29.91
Adesto 存储器 IC FLASH 8MBIT 85MHZ 8WLCSP
京电港自营
自营
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AT45DB081E-UUN-T
非易失
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FLASH
8Mb （264 字节 x 4096 页）
8µs，4ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-UFBGA，WLCSP
8-WLCSP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥119.67
Adesto 存储器 IC FLASH 64MBIT 85MHZ 8VDFN
京电港自营
自营
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AT45DB641E-MWHN-Y
非易失
闪存
FLASH
64Mb （264 字节 x 32K 页）
8µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFN（6x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥12.09
Adesto 存储器 IC FLASH 8MBIT 104MHZ 8UDFN
京电港自营
自营
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AT25SF081-MHD-T
非易失
闪存
FLASH
8Mb （1M x 8）
5µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-UDFN 裸露焊盘
8-UDFN（5x6）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
33 周
¥21.27
Adesto 存储器 IC FLASH 4MBIT 85MHZ 8SOIC
京电港自营
自营
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AT45DB041E-SSHNHC-T
非易失
闪存
FLASH
4Mb （264 字节 x 2048 页）
8µs，3ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥4.14
Adesto 存储器 IC EEPROM 128KBIT 1MHZ 8SOIC
京电港自营
自营
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RM24C128C-LSNI-T
非易失
EEPROM
EEPROM
128kb（64B 页面尺寸）
100µs，2.5ms
-
I²C
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.79
Adesto 存储器 IC EEPROM 32KBIT 5MHZ 8SOIC
京电港自营
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RM25C32C-BSNC-T
非易失
EEPROM
EEPROM
32kb（32B 页面尺寸）
100µs，3ms
-
SPI
0°C ~ 70°C（TA）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥34.95
2MBIT,5X6 DFN,HIGH TEMP,1.7V,T
京电港自营
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AT25DF021A-MHNHR-T
非易失
闪存
FLASH
2Mb （256K x 8）
12µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 125°C（TC）
表面贴装
8-UDFN 裸露焊盘
8-UDFN（5x6）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥71.70
Adesto 存储器 IC FLASH 32MBIT 85MHZ 8SOIC
京电港自营
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AT45DB321E-SHF-B
非易失
闪存
FLASH
32Mb （528 字节 x 8192 页）
8µs，4ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥25.14
Adesto 存储器 IC EEPROM 256KBIT 10MHZ 8SOIC
京电港自营
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RM25C256DS-LSNI-B
非易失
EEPROM
EEPROM
256kb（64B 页大小）
100µs，2.5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥30.66
DATA FLASH
京电港自营
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AT45DB081D-SU-SL383-AD
非易失
闪存
FLASH
8Mb （264 字节 x 4096 页）
4ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥5.07
Adesto 存储器 IC EEPROM 128KBIT 10MHZ 8DFN
京电港自营
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RM25C128C-LMAI-T
非易失
EEPROM
EEPROM
128kb（64B 页面尺寸）
100µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-UFDFN 裸露焊盘
8-UDFN（2x3）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥78.48
Adesto 存储器 IC FLASH 64MBIT 85MHZ 9UBGA
京电港自营
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AT45DB641E-CCUN-T
非易失
闪存
FLASH
64Mb （264 字节 x 32K 页）
8µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
9-UBGA
9-UBGA（6x6）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥29.58
Adesto 存储器 IC FLASH 2MBIT 104MHZ 8UDFN
京电港自营
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AT25DF021A-MAHNHR-T
非易失
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FLASH
2Mb （256K x 8）
12µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 125°C（TC）
表面贴装
8-UFDFN 裸露焊盘
8-UDFN（2x3）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥12.09
Adesto 存储器 IC EEPROM 64KBIT 1MHZ 8SOIC
京电港自营
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RM24C64C-LSNI-B
非易失
EEPROM
EEPROM
64kb（32B 页面尺寸）
100µs, 1.2ms
-
I²C
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥40.02
Adesto 存储器 IC FLASH 16MBIT 85MHZ 8SOIC
京电港自营
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AT45DB161E-SHF-T
非易失
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FLASH
16Mb （528 字节 x 4096 页）
8µs，4ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥8.61
Adesto 存储器 IC EEPROM 512KBIT 20MHZ 8DFN
京电港自营
自营
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RM25C512C-LMAI-T
非易失
EEPROM
EEPROM
512kb（128B 页大小）
100µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-UFDFN 裸露焊盘
8-UDFN（2x3）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥14.85
Adesto 存储器 IC FLASH 32MBIT 85MHZ 8SOIC
京电港自营
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AT25SF321-SHD-T
非易失
闪存
FLASH
32Mb （4M x 8）
5µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥84.51
Adesto 存储器 IC FLASH 16MBIT 85MHZ 8SOIC
京电港自营
自营
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AT45DQ161-SSHFHB-T
非易失
闪存
FLASH
16Mb （512 字节 x 4096 页）
8µs，6ms
-
SPI
-40°C ~ 105°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥13.20
Adesto 存储器 IC FLASH 512KBIT 104MHZ 8UDFN
京电港自营
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AT25XE512C-MAHN-T
非易失
闪存
FLASH
512Kb （64K x 8）
12µs，3ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-UFDFN 裸露焊盘
8-UDFN（2x3）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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