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不同Id时的Vgs
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不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
晶体管类型
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥35.19
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 600V 30A 117W TO220-3
京电港自营
自营
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NGTB15N60EG
-
通孔
TO-220
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
NPT
600V
30A
120A
1.95V @ 15V，15A
117W
900µJ（开），300µJ（关）
标准
78ns/130ns
400V，15A，22 欧姆，15V
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥35.19
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 600V 30A 117W TO220-3
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
NGTB15N60S1EG
-
通孔
TO-220
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
NPT
600V
30A
120A
1.7V @ 15V，15A
117W
550µJ（开），350µJ（关）
标准
65ns/170ns
400V，15A，22 欧姆，15V
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥34.86
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 100A ATPAK
京电港自营
自营
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ATP304-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100A（Ta）
4.5V，10V
-
250nC @ 10V
13000pF @ 20V
90W（Tc）
6.5 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥34.50
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 450V 8A TO220AB
京电港自营
自营
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MJE18008G
SWITCHMODE
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
450V
8A
125W
-65°C ~ 150°C（TJ）
NPN
700mV @ 900mA，4.5V
100µA
14 @ 1A，5V
13MHz
¥34.05
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 120V 8A TO220AB
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
MJE15029G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
120V
8A
50W
-65°C ~ 150°C（TJ）
PNP
500mV @ 100mA，1A
100µA
20 @ 4A，2V
30MHz
¥33.81
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 90V 10A TO-220FP
京电港自营
自营
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MJF2955G
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
90V
10A
2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
PNP
2.5V @ 3.3A，10A
1µA
20 @ 4A，4V
2MHz
¥33.15
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
京电港自营
自营
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NGTG12N60TF1G
-
通孔
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
600V
24A
88A
1.6V @ 15V，12A
54W
-
标准
55ns/200ns
300V，15A，30 欧姆，15V
150°C（TJ）
¥32.91
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 98A DPAK
京电港自营
自营
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NTD5862NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
98A（Tc）
10V
4V @ 250µA
82nC @ 10V
6000pF @ 25V
115W（Tc）
5.7 毫欧 @ 45A，10V
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥32.82
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 5.5VWM 9VC 8MSOP
京电港自营
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¥32.01
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 600V 30A 117W TO220-3
京电港自营
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NGTG15N60S1EG
-
通孔
TO-220
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
NPT
600V
30A
120A
1.7V @ 15V，15A
117W
550µJ（开），350µJ（关）
标准
65ns/170ns
400V，15A，22 欧姆，15V
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥31.80
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 5VWM 20VC 8SOIC
京电港自营
自营
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¥31.80
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 3.3VWM 15VC 8SO
京电港自营
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¥31.11
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 350V 4A TO220AB
京电港自营
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MJE15034G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
350V
4A
2W
-65°C ~ 150°C（TJ）
NPN
500mV @ 100mA，1A
10µA（ICBO）
10 @ 2A，5V
30MHz
¥30.90
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 250V 1A TO220FP
京电港自营
自营
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MJF47G
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
250V
1A
2W
-65°C ~ 150°C（TJ）
NPN
1V @ 200mA，1A
200µA
30 @ 300mA，10V
10MHz
¥30.57
T6 40V MOSFET AMI FET，MOSFET - 单
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NTMFS5C426NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
41A（Ta）, 235A（Tc）
10V
3.5V @ 250µA
13nC @ 10V
4300pF @ 25V
3.8W（Ta）, 128W（Tc）
1.3 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥30.21
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 500V 12A TO-220FP
京电港自营
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NDF11N50ZG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
12A（Tc）
10V
4.5V @ 100µA
69nC @ 10V
1645pF @ 25V
39W（Tc）
520 毫欧 @ 4.5A，10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
¥30.00
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 37A 8WDFN
京电港自营
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NVTFS5820NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
28nC @ 10V
1462pF @ 25V
3.2W（Ta），21W（Tc）
11.5 毫欧 @ 8.7A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
¥28.62
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 6A D2PAK
京电港自营
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MJB41CG
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
100V
6A
2W
-65°C ~ 150°C（TJ）
NPN
1.5V @ 600mA，6A
700µA
15 @ 3A，4V
3MHz
¥28.20
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 375V 1A TO220AB
京电港自营
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MJE5731AG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
375V
1A
40W
-65°C ~ 150°C（TJ）
PNP
1V @ 200mA，1A
1mA
30 @ 300mA，10V
10MHz
¥28.05
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 3.3VWM 8.8VC 10MSOP
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