|
|
CY8C22213-24SI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
LVD，POR，PWM，WDT |
16 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b；D/A 1x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
20-SOIC |
管件 |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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|
CY8C4125AZI-473 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
I²C，IrDA，LIN，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
36 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
48-TQFP（7x7） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
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|
CY8C20424-12LQXI |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C，SPI |
LVD，POR，WDT |
28 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
32-UFQFN 裸露焊盘 |
32-QFN（5x5） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
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|
CY8C20334-12LQXI |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C，SPI |
LVD，POR，WDT |
20 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
24-UFQFN 裸露焊盘 |
24-QFN-EP（4x4） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
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|
S29GL128P90TFIR10 |
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|
TSOP |
|
|
- |
- |
128Mbit |
CFI，并行 |
56 |
8M x 16 位 |
表面贴装 |
NOR |
3 V |
3.6 V |
8M |
90ns |
16Bit |
18.5 x 14.1 x 1.05mm |
14.1mm |
-40 °C |
85 °C |
18.5mm |
1.05mm |
- |
- |
- |
|
|
|
|
|
|
CY8C27243-24PVXIT |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
16 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 4x14b；D/A 4x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
20-SSOP |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
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|
CY7C60323-LTXC |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C，SPI |
LVD，POR，PWM，WDT |
28 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
32-WFQFN 裸露焊盘 |
32-QFN 裸露焊盘（5x5） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
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|
S6E1C11D0AGN20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO，I²C，LIN，智能卡，UART/USART |
I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
54 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
64-WFQFN 裸露焊盘 |
64-QFN（9x9） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
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|
|
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|
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|
|
S6E1C11D0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO，I²C，LIN，智能卡，UART/USART |
I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
54 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
64-LQFP |
64-LQFP（10x10） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
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|
|
|
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|
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|
|
S25FL256SAGMFI001 |
|
|
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|
|
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|
|
|
|
SOIC |
|
|
- |
- |
256Mbit |
SPI |
16 |
128M x 2 位，256M x 1 位，64M x 4 位 |
表面贴装 |
NOR |
2.7 V |
3.6 V |
64M, 128M, 256M |
|
1, 2, 4 |
10.3 x 7.5 x 2.55mm |
7.5mm |
-40 °C |
85 °C |
10.3mm |
2.55mm |
- |
- |
- |
|
|
|
|
|
|
CY8C24123A-24PXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
6 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b；D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
8-DIP（0.300"，7.62mm） |
8-DIP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
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|
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|
|
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|
|
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|
|
S25FL256SAGNFI001 |
|
|
|
|
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|
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|
|
|
|
WSON |
|
|
- |
- |
256Mbit |
SPI |
8 |
128M x 2 位，256M x 1 位，64M x 4 位 |
表面贴装 |
NOR |
2.7 V |
3.6 V |
64M, 128M, 256M |
|
1, 2, 4 |
8 x 6 x 0.75mm |
6mm |
-40 °C |
85 °C |
8mm |
0.75mm |
- |
- |
- |
|
|
|
|
|
|
MB9AF421KWQN-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
40MHz |
CAN，CSIO，I²C，LIN，UART/USART |
LVD，POR，WDT |
36 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b，D/A 1x10b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
48-QFP（7x7） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CY7C60323-PVXC |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C，SPI |
LVD，POR，PWM，WDT |
24 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
|
CY8C28433-24PVXI |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SSOP |
|
|
- |
- |
|
|
28 |
|
表面贴装 |
|
|
|
|
|
|
10.4 x 5.6 x 1.85mm |
|
-40°C |
85°C |
10.4mm |
|
|
- |
|
微控制器 |
CMOS |
5.25 V |
3 V |
|
|
CY8C4014SXS-421 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
13 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
16-SOIC |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
17 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CY8C24633-24PVXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
25 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b；D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
22 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CY8C4125AXI-483 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
I²C，IrDA，LIN，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART |
欠压检测/复位，电容感应，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
36 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LQFP |
44-TQFP（10x10） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
S29GL064N90BFI040 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
FPBGA |
|
|
- |
- |
64Mbit |
CFI |
48 |
4M x 16 位，8M x 8 位 |
表面贴装 |
|
2.7 V |
3.6 V |
4M, 8M |
90ns |
8, 16 |
8.15 x 6.15 x 0.76mm |
6.15mm |
-40 °C |
85 °C |
8.15mm |
0.76mm |
- |
- |
- |
|
|
|
|
|
|
CY8C21234-24SXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
12 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
A/D 28x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
16-SOIC |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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