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二极管类型
电流-平均整流（Io） （每二极管）
不同If时的电压-正向 （Vf）
速度
工作温度-结
安装类型
原产地
原厂标准交货期
配置
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
产品系列
不同 Vr，F 时的电容
电容比
电容比条件
最大峰值反向电压
不同 Vr，F 时的 Q 值
封装类型
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
参考类型
输出类型
电压输出
最大电压输出
电流输出
温度系数
噪声0.1Hz至10Hz
噪声10Hz至10Hz
电流阴极
¥14.58
Diodes TVS 二极管 DIODE 75VWM 121VC SMC
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¥8.22
Diodes 电压基准 IC VREF SHUNT ADJ SOT25
京电港自营
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±0.5%
-20°C ~ 85°C（TA）
-
表面贴装
-
12 周
AP432AQG-7
SOT-25
SC-74A，SOT-753
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
分流器
可调式
1.24V
20V
200mA
30ppm/°C
-
-
300µA
¥9.90
Diodes 二极管-齐纳-阵列 DIODE ZENER ARRAY 2.7V SOT23-3
京电港自营
自营
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±5%
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
-
1 对共阴极
-
-
12 周
DZ23C2V7-7-F
300mW
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
京电港自营
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-
DDTB142TC-7
PNP - 预偏压
-
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
500mA
470
100 @ 5mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA（ICBO）
200MHz
200mW
¥1.89
Diodes TVS 二极管 DIODE 43VWM 69.4VC SMA
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¥9.90
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
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DDA114YU-7
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
10k
47k
68 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥12.36
Diodes 二极管-整流器-阵列 DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
京电港自营
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汽车级，AEC-Q101
1 对共阴极
肖特基
10A
810mV @ 10A
快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
-55°C ~ 150°C
通孔
-
5 周
MBR2060CTF-G1
TO-220-3
TO-220-3
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 二极管-整流器-阵列 DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT323
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-
1 对串联
标准
150mA
1.25V @ 150mA
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
-65°C ~ 150°C
表面贴装
-
BAV99W-7
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
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-
表面贴装
-
16 周
DMG6898LSD-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1.28W
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
9.5A
16 毫欧 @ 9.4A，4.5V
1.5V @ 250µA
26nC @ 10V
1149pF @ 10V
¥0.48
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 14V 500MW DO35
京电港自营
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±5%
100nA @ 10V
1.1V @ 200mA
-65°C ~ 200°C
-
通孔
-
1N5244B-T
DO-35
DO-204AH，DO-35，轴向
标准卷带
不受无铅要求限制/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥8.64
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
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标准
3A
1.3V @ 3A
5µA @ 400V
-65°C ~ 150°C
快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
表面贴装
-
7 周
RS3G-13-F
SMC
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
50pF @ 4V，1MHz
DO-214AB，SMC
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
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-
表面贴装
-
ZXMD65P02N8TA
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1.75W
2 个 P 沟道（双）
标准
20V
4A
50 毫欧 @ 2.9A，4.5V
700mV @ 250µA（最小）
20nC @ 4.5V
960pF @ 15V
¥1.02
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
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±2.5%
50nA @ 23V
900mV @ 10mA
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
-
16 周
DDZ30D-7
SOD-123
SOD-123
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥106.53
Diodes 振荡器 OSCILLATOR XO 12.288MHZ CMOS SMD
京电港自营
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XO（标准）
CMOS
3.3V
±50ppm
0.051"（1.30mm）
15mA
0.197" 长 x 0.126" 宽（5.00mm x 3.20mm）
-20°C ~ 70°C
SaRonix-eCera™ FD
表面贴装
-
FD1220014
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4-SMD，无引线
询价
Diodes 变容器，可变电抗器 DIODE VAR CAP 8.2PF 25V SOT23-3
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单一
表面贴装
-
ZC829ATA
SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
9.02pF @ 2V，1MHz
5.8
C2/C20
25V
250 @ 3V，50MHz
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
询价
Diodes 变容器，可变电抗器 DIODE VARACTOR 25V SOD323
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单一
表面贴装
-
ZMV835BTC
SOD-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
71.4pF @ 2V，1MHz
6.5
C2/C20
25V
100 @ 3V，50MHz
SC-76，SOD-323
¥11.04
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB
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标准
1.5A
1.15V @ 1.5A
5µA @ 100V
-65°C ~ 150°C
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
表面贴装
-
7 周
S2B-13-F
SMB
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
20pF @ 4V，1MHz
DO-214AA，SMB
¥22.08
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
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-55°C ~ 175°C（TJ）
-
表面贴装
-
16 周
DMTH4007SPS-13
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
41.9nC @ 10V
2082pF @ 25V
±20V
-
2.8W（Ta）, 136W（Tc）
7.6 毫欧 @ 20A，10V
¥11.16
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 140V 4A SOT-223
京电港自营
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-
表面贴装
-
FZT955TA
PNP
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4A
140V
370mV @ 300mA，3A
50nA（ICBO）
100 @ 1A，5V
3W
110MHz
¥1.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3
京电港自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
12 周
2N7002H-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V
3V @ 250µA
0.35nC @ 4.5V
26pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
7.5 欧姆 @ 50mA，5V

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