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不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
晶体管类型
最大集电极电流
基底电阻器
发射极基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
封装/外壳
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥3.06
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 2DFN
京电港自营
自营
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SDM10U45LP-7
-
肖特基
100mA
800mV @ 100mA
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
1µA @ 25V
15pF @ 10V，1MHz
表面贴装
2-UFDFN
标准卷带
-40°C ~ 125°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
X1-DFN1006-2
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
京电港自营
自营
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DDTC143EKA-7-F
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SC-59-3
NPN - 预偏压
100mA
4.7k
4.7k
20 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
¥3.27
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 12V 3A SOT89-3
京电港自营
自营
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2DB1713-13
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-89-3
-
3A
12V
250mV @ 30mA，1.5A
100nA（ICBO）
270 @ 500mA，2V
900mW
180MHz
PNP
TO-243AA
¥19.17
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
京电港自营
自营
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SBR10U45SP5-13
SBR®
超级势垒
10A
470mV @ 10A
快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
300µA @ 45V
-
表面贴装
PowerDI™ 5
剪切带（CT）
-65°C ~ 150°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
PowerDI™ 5
¥4.62
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 4A 3-DFN
京电港自营
自营
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ZXTN619MATA
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DFN2020B-3
-
4A
50V
320mV @ 200mA，4A
25nA
100 @ 2A，2V
3W
165MHz
NPN
3-UDFN
¥9.69
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
京电港自营
自营
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MMDT5451-7-F
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
200mA
160V，150V
200mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA
50nA（ICBO）
80 @ 10mA，5V / 60 @ 10mA，5V
200mW
300MHz
NPN，PNP
¥4.62
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERDI323
京电港自营
自营
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PD3S120L-7
-
肖特基
1A
420mV @ 1A
快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
160µA @ 20V
46pF @ 10V，1MHz
表面贴装
PowerDI™ 323
标准卷带
-65°C ~ 125°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PowerDI™ 323
¥0.51
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 20V 500MW DO35
京电港自营
自营
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±5%
100nA @ 15V
1.1V @ 200mA
1N5250B-T
通孔
标准卷带
-65°C ~ 200°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DO-35
-
DO-204AH，DO-35，轴向
¥1.14
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 3.3V 200MW SOD323
京电港自营
自营
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±5%
25µA @ 1V
900mV @ 10mA
MMSZ5226BS-7-F
表面贴装
标准卷带
-65°C ~ 150°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOD-323
-
SC-76，SOD-323
¥3.06
Diodes 二极管-齐纳-阵列 DIODE ZENER ARRAY 2.4V SOT363
京电港自营
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±5%
MMBZ5221BTS-7-F
表面贴装
标准卷带
-65°C ~ 150°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
3 个独立式
200mW
100µA @ 1V
900mV @ 10mA
8 周
SOT-363
-
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
¥1.47
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 22V 200MW SOT323
京电港自营
自营
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±5%
100nA @ 17V
900mV @ 10mA
MMBZ5251BW-7
表面贴装
标准卷带
-65°C ~ 150°C
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-323
-
SC-70，SOT-323
¥0.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
京电港自营
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2N7002-7-F
表面贴装
标准卷带
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
SOT-23-3
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
-
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
¥11.25
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 4.33V 400MW SOD323F
京电港自营
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±4%
3µA @ 1V
1.1V @ 100mA
D3Z4V3BF-7
表面贴装
剪切带（CT）
-65°C ~ 150°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
SOD-323F
-
SC-90，SOD-323F
询价
Diodes 二极管-桥式整流器 RECTIFIER BRIDGE 200V 6A PB6
京电港自营
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PB62-F
10µA @ 200V
通孔
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
单相
标准
200V
6A
1.1V @ 3A
散装
PB-6
4-方形，PB-6
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
京电港自营
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DMN2022UFDF-7
表面贴装
剪切带（CT）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
6-UDFN2020（2x2）
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
18nC @ 8V
907pF @ 10V
±8V
-
660mW（Ta）
22 毫欧 @ 4A，4.5V
-
6-UDFN 裸露焊盘
¥30.42
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
京电港自营
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ZXMN6A09GTA
表面贴装
剪切带（CT）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
SOT-223
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3V @ 250µA
24.2nC @ 5V
1407pF @ 40V
±20V
-
2W（Ta）
40 毫欧 @ 8.2A，10V
-
TO-261-4，TO-261AA
¥10.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
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ZXMHC3A01N8TC
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
8-SOP
-
870mW
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
逻辑电平门
30V
2.17A，1.64A
125 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
3.9nC @ 10V
190pF @ 25V
¥22.08
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
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ZXMP7A17GQTA
表面贴装
剪切带（CT）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
SOT-223
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
18nC @ 10V
635pF @ 40V
±20V
-
2W（Ta）
160 毫欧 @ 2.1A，10V
-
TO-261-4，TO-261AA
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
京电港自营
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ZXMD63P02XTC
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8-MSOP
-
1.04W
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
20V
-
270 毫欧 @ 1.2A，4.5V
700mV @ 250µA（最小）
5.25nC @ 4.5V
290pF @ 15V
¥4.56
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
京电港自营
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DMT5015LFDF-13
表面贴装
标准卷带
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
6-UDFN2020（2x2）
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
14nC @ 10V
902.7pF @ 25V
±16V
-
820mW（Ta）
15 毫欧 @ 8A，10V
-
6-UDFN 裸露焊盘

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