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不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
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供应商器件封装
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
原厂标准交货期
晶体管类型
最大集电极电流
基底电阻器
发射极基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
封装/外壳
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥24.30
Diodes 振荡器 OSCILLATOR XO 50MHZ LVCMOS SMD
京电港自营
自营
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XO（标准）
NX51500001
LVCMOS
3.3V
±25ppm
-40°C ~ 85°C
0.053"（1.35mm）
60mA
表面贴装
6-SMD，无引线
0.197" 长 x 0.126" 宽（5.00mm x 3.20mm）
标准卷带
SaRonix-eCera™ NX
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
京电港自营
自营
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DDTA143EKA-7-F
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SC-59-3
PNP - 预偏压
100mA
4.7k
4.7k
20 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
¥2.25
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0806-3
京电港自营
自营
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BC847BFA-7B
表面贴装
标准卷带
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
45V
300mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
435mW
170MHz
16 周
NPN
3-XFDFN
¥87.36
Diodes 振荡器 OSCILLATOR XO 155.52MHZ PECL SMD
京电港自营
自营
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XO（标准）
SNGPON155
PECL
3.3V
±50ppm
-40°C ~ 85°C
0.079"（2.00mm）
60mA
表面贴装
6-SMD，无引线
0.276" 长 x 0.197" 宽（7.00mm x 5.00mm）
标准卷带
SaRonix-eCera™ ASSP XO™
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.36
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 20V 1A SOT-89
京电港自营
自营
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BCX6825TA
表面贴装
标准卷带
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-89-3
1A
20V
500mV @ 100mA，1A
100nA（ICBO）
160 @ 500mA，1V
1W
100MHz
16 周
NPN
TO-243AA
¥21.42
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 25V 2A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX649
通孔
散装
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
E-Line（TO-92 兼容）
2A
25V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
100 @ 1A，2V
1W
240MHz
16 周
NPN
E-Line-3
¥10.38
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE SW 85V 215MA SOD123F
京电港自营
自营
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BAV116HWFQ-7
-65°C ~ 150°C
表面贴装
SOD-123F
剪切带（CT）
-
标准
215mA（DC）
1.25V @ 150mA
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5nA @ 75V
2pF @ 0V，1MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOD-123F
¥8.73
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 70V 2A SOT-223
京电港自营
自营
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FZT692BTA
表面贴装
标准卷带
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-223
2A
70V
500mV @ 200mA，2A
100nA
150 @ 1A，2V
2W
150MHz
NPN
TO-261-4，TO-261AA
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223
京电港自营
自营
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ZHB6792TC
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1A
70V
750mV @ 50mA，2A
100nA（ICBO）
300 @ 100mA，2V
1.25W
100MHz
2 个 NPN 2 个 PNP（H 桥）
¥0.93
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 5.6V 350MW SOD523
京电港自营
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BZT585B5V6T-7
-65°C ~ 150°C
表面贴装
标准卷带
-
±2%
1µA @ 2V
1.1V @ 100mA
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOD-523
SC-79，SOD-523
¥7.68
Diodes 二极管-齐纳-阵列 DIODE ZENER ARRAY 18V SOT363
京电港自营
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BZX84C18S-7
-65°C ~ 150°C
表面贴装
剪切带（CT）
-
±6%
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个独立式
200mW
100nA @ 12.6V
900mV @ 10mA
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
¥3.27
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 5.6V 1W POWERDI123
京电港自营
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DFLZ5V6-7
-55°C ~ 150°C
表面贴装
标准卷带
-
±7%
10µA @ 2V
1.2V @ 200mA
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PowerDI™ 123
POWERDI®123
¥43.95
Diodes 二极管-桥式整流器 RECT BRIDGE GPP 100V 25A GBJ
京电港自营
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GBJ2501-F
通孔
10µA @ 100V
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
单相
标准
100V
25A
1.05V @ 12.5A
管件
GBJ
6 周
4-SIP，GBJ
¥1.50
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
京电港自营
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DDZ9700-7
-65°C ~ 150°C
表面贴装
标准卷带
-
±5%
50nA @ 9.8V
900mV @ 10mA
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOD-123
16 周
SOD-123
询价
Diodes 二极管-桥式整流器 RECT BRIDGE GPP 600V 25A GBPC
京电港自营
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GBPC2506
QC 端子
5µA @ 600V
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
单相
标准
600V
25A
1.1V @ 12.5A
托盘
GBPC
4-方形，GBPC
¥9.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
京电港自营
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DMN3070SSN-7
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
剪切带（CT）
-
-
含铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SC-59
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
13.2nC @ 10V
697pF @ 15V
±20V
-
780mW（Ta）
40 毫欧 @ 4.2A，10V
8 周
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
¥7.56
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
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ZXMN6A08E6TA
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
标准卷带
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-26
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
5.8nC @ 10V
459pF @ 40V
±20V
-
1.1W（Ta）
80 毫欧 @ 4.8A，10V
16 周
SOT-23-6
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
京电港自营
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DMP6110SSD-13
标准卷带
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8-SO
20 周
1.2W
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
2 个 P 沟道（双）
标准
60V
3.3A
105 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
17.2nC @ 10V
969pF @ 30V
¥5.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI
京电港自营
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DMT3006LPS-13
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PowerDI5060-8
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
22.6nC @ 10V
1320pF @ 15V
±20V
-
1.3W（Ta）, 42W（Tc）
6 毫欧 @ 20A，10V
16 周
8-PowerTDFN
¥4.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
京电港自营
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DMP2065UFDB-7
表面贴装
标准卷带
-
-
U-DFN2020-6（B 类）
1.54W
6-UDFN 裸露焊盘
2 个 P 沟道
标准
20V
4.5A（Ta）
50 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 250µA
9.1nC @ 4.5V
752pF @ 15V

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