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类型
频率
频率容差
负载电容
ESR(等效串联电阻)
工作模式
工作温度
大小/尺寸
高度 - 安装(最大值)
容差
反向漏电流
正向电压
整流器类型
最大连续正向电流
最大正向电压降
峰值反向电流
产品型号
系列
二极管配置
二极管类型
电流-平均整流(Io) (每二极管)
不同If时的电压-正向 (Vf)
速度
工作温度-结
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
包装
原产地
达标情况
频率稳定度
等级
原厂标准交货期
产品系列
不同 Vr,F 时的电容
电容比
电容比条件
最大峰值反向电压
不同 Vr,F 时的 Q 值
封装类型
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
晶体管类型
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
最大功率
BAV99T-7-F
-
1 对串联
标准
75mA(DC)
1V @ 50mA
小信号 =< 200mA(Io),任意速度
-65°C ~ 150°C
表面贴装
SOT-523
SOT-523
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-65°C ~ 150°C
标准
5A
1.15V @ 5A
10µA @ 400V
S5GC-13-F
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
表面贴装
SMC
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
-
40pF @ 4V,1MHz
DO-214AB,SMC
ZXTC6717MCTA
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN,PNP
4.5A,4A
15V,12V
310mV @ 50mA,4.5A / 310mV @ 150mA,4A
100nA
200 @ 3A,2V / 180 @ 2.5A,2V
1.7W
120MHz,110MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
ZXM61N02FTC
-
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.7V,4.5V
700mV @ 250µA
3.4nC @ 4.5V
160pF @ 15V
±12V
-
625mW(Ta)
180 毫欧 @ 930mA,4.5V
BAV70TA
-
1 对共阴极
标准
150mA
1.25V @ 150mA
小信号 =< 200mA(Io),任意速度
-65°C ~ 150°C
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-65°C ~ 150°C
标准
300mA(DC)
1.25V @ 150mA
2.5µA @ 75V
BAL99-7
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
表面贴装
SOT-23
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2pF @ 0V,1MHz
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
-65°C ~ 150°C
±5%
100nA @ 12V
900mV @ 10mA
MMBZ5246BW-7-F
-
表面贴装
SC-70,SOT-323
SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DMN601VKQ-7
-
表面贴装
SOT-563,SOT-666
SOT-563
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
2 个 N 沟道(双)
标准
60V
305mA
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
250mW
-65°C ~ 125°C
肖特基
2A
450mV @ 2A
1.5mA @ 30V
PD3S230L-7
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
表面贴装
PowerDI™ 323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
40pF @ 10V,1MHz
PowerDI™ 323
-65°C ~ 150°C
±6%
100nA @ 15.4V
900mV @ 10mA
BZT52C22S-7-F
-
表面贴装
SC-76,SOD-323
SOD-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DMN5L06V-7
-
表面贴装
SOT-563,SOT-666
SOT-563
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
50V
280mA
3 欧姆 @ 200mA,2.7V
1.2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
150mW
¥16.23
自营
MHz 晶体
25MHz
±30ppm
12pF
60 欧姆
基谐
-20°C ~ 70°C
0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
0.030"(0.75mm)
FL2500279Z
SaRonix-eCera™ FL
表面贴装
4-SMD,无引线
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
±30ppm
-
ZMV832BTC
单一
表面贴装
SOD-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
23.1pF @ 2V,1MHz
6.5
C2/C20
25V
200 @ 3V,50MHz
SC-76,SOD-323
-65°C ~ 150°C
标准
1.5A
1.15V @ 1.5A
5µA @ 200V
S2D-13-F
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
表面贴装
SMB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
-
20pF @ 4V,1MHz
DO-214AA,SMB
ZTX651
-
通孔
E-Line-3
E-Line(TO-92 兼容)
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
NPN
2A
60V
500mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
-
1W
175MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
2N7002E-7-F
-
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
0.22nC @ 4.5V
50pF @ 25V
±20V
-
370mW(Ta)
3 欧姆 @ 250mA,10V
ZXTP19060CFFTA
-
表面贴装
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23F
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
PNP
4A
60V
270mV @ 400mA,4A
50nA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
1.5W
180MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
DMP2007UFG-7
-
表面贴装
8-PowerWDFN
PowerDI3333-8
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,10V
1.3V @ 250µA
85nC @ 10V
4621pF @ 10V
±12V
-
2.3W(Ta)
5.5 毫欧 @ 15A,10V
对比栏

1

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2

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3

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4

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