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晶体管类型
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典型电阻比
二极管配置
每片芯片元件数目
最低工作温度
最大发射极基极电压
预计寿命
RoHS达标情况
最大集电极发射极电压
闸流晶体管类型
触发电压
触发电流
保持电流
通态电流
反向电压
电流额定值
通态电压
阻断电压
断态电流
系列
输出隔离
内部开关
电压 - 击穿
拓扑
电压 - 启动
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
占空比
频率 - 开关
功率 (W)
故障保护
控制特性
工作温度
封装/外壳
产品类型
峰值平均正向电流
电桥类型
峰值非重复正向浪涌电流
峰值正向电压
¥1152.17
Infineon 三相整流桥模块, 145A峰值平均正向电流, 面板安装, 1600V峰值反向重复电压, 6引脚, 最高工作温度 150 °C
京电港自营
自营
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DDB6U145N16LHOSA1
1600V
5mA
面板安装
单
6
94mm
94 x 42 x 30mm
150 °C
-40 °C
145A
三相
1.2kA
1.43V
¥31.86
Infineon IRGS4715DPBF N沟道 IGBT, 21 A, Vce=650 V, 8 - 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
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新品 自营
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IRGS4715DPBF
表面贴装
D2PAK
-
21 A
±30V
-
100 W
N
3
8 → 30kHz
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm
¥43.02
Infineon 二极管-整流器-单 DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO220-2
京电港自营
精品 自营
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IDP30E120XKSA1
-
标准
1200V（1.2kV）
50A（DC）
2.15V @ 30A
快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
100µA @ 1200V
-
通孔
TO-220-2
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
PG-TO220-2
¥150.72
Infineon AUIRGP35B60PD-E N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 150kHz, 3引脚 TO-247AD封装
京电港自营
自营
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AUIRGP35B60PD-E
通孔
TO-247AD
-
60 A
±20V
-
308 W
N
3
150kHz
单
15.87mm
5.31mm
20.7mm
¥7.71
Infineon BB 439 E6327 28V 4.3pF 变容管, 最小调谐比: 5 VHF, 2引脚 SOD-323封装, 使用于调谐器
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新品 自营
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BB 439 E6327
表面贴装
SOD-323
-
2
1.7mm
1.25mm
0.85mm
1.7 x 1.25 x 0.85mm
125 °C
单路
1
-55 °C
¥1.14
新产品Infineon BCV 61B NPN 达林顿晶体管对, 100 mA, Vce=30 V, HFE=100, 4引脚 SOT-143封装
京电港自营
新品 自营
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BCV 61B
表面贴装
SOT-143
-
100 mA
300 mW
4
2.9 mm
1.3 mm
0.9 mm
2.9 x 1.3 x 0.9 mm
150 °C
2
-
-
¥436.20
Infineon FS20R06W1E3_B11 IGBT 模块, 共集电极, 35 A, Vce=600 V, 22引脚 EASY1B封装
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新品 自营
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FS20R06W1E3_B11
PCB（印刷电路板）安装
EASY1B
-
-
-
共集电极
135 W
35 A
±20V
N
22
1MHz
3 相
48 mm
33.8 mm
12mm
48 x 33.8 x 12 mm
150 °C
-
-40 °C
-
600 V
¥84.54
Infineon Technologies ICE3AR0680JZXKLA1 反激 8-DIP（0.300\，7.62mm），7 引线
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通孔
管件
PG-DIP-7-1
CoolMOS™, CoolSET™F3R
隔离
是
800V
反激
17 V
10.5V ~ 27V
75%
100kHz
82 W
过载，超温，过压
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
8-DIP（0.300\，7.62mm），7 引线
ICE3AR0680JZXKLA1
¥113.82
Infineon IRG8P25N120KDPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 8 - 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
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新品 自营
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IRG8P25N120KDPBF
通孔
TO-247AC
-
40 A
±30V
-
180 W
N
3
8 → 30kHz
单
15.87mm
5.31mm
20.7mm
¥120.63
Infineon IGW40N120H3 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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IGW40N120H3
通孔
TO-247
-
80 A
±20V
-
483 W
N
3
-
单
16.13mm
5.21mm
21.1mm
¥78.72
Infineon IRG4PC50KDPBF N沟道 IGBT, 52 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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IRG4PC50KDPBF
通孔
TO-247AC
-
52 A
±20V
-
-
N
3
-
单
15.9mm
5.3mm
20.3mm
¥1.02
Infineon BCR 555 E6327 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.22, 3引脚 SOT-23封装
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新品 自营
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BCR 555 E6327
表面贴装
SOT-23
-
500 mA
330 mW
3
单
2.9mm
1.3mm
0.9mm
2.9 x 1.3 x 0.9mm
150 °C
PNP
2.2 kΩ
70
0.22
1
¥1908.84
Infineon FS100R07N2E4_B11 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=650 V, 25引脚 ECONO2封装
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FS100R07N2E4_B11
PCB（印刷电路板）安装
ECONO2
-
-
-
3 相
335W
100 A
±20V
N
25
1MHz
3 相
107.5 mm
45 mm
17mm
107.5 x 45 x 17 mm
150 °C
-
-40 °C
-
650 V
¥1560.60
Infineon TT250N12KOF-K PCT 晶闸管模块, 250A, Vrev=1200V 50mA, 7引脚 模块 50mm封装
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TT250N12KOFKHPSA1
面板安装
模块 50mm
-
-
-
7
92mm
50mm
52mm
92 x 50 x 52mm
125 °C
-
-40 °C
-
PCT
2V
200mA
300mA
250A
1200V
8000A
1.5V
1800V
50mA
¥457.95
Infineon FP06R12W1T4_B3 IGBT 模块, 共集电极, 12 A, Vce=1200 V, 21引脚 EASY1B封装
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FP06R12W1T4_B3
PCB（印刷电路板）安装
EASY1B
-
-
-
3 相
94 W
12 A
±20V
N
21
1MHz
3 相
48 mm
33.8 mm
12mm
48 x 33.8 x 12 mm
150 °C
-
-40 °C
-
1200 V
¥1.98
Infineon Technologies BCR198SH6327XTSA1 2 个 PNP 预偏压式（双） 6-VSSOP，SC-88，SOT-363
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BCR198SH6327XTSA1
卷带（TR）
47 千欧
47 千欧
-
190MHz
250mW
PG-SOT363-PO
2 个 PNP 预偏压式（双）
-
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
¥27.00
Infineon SGD02N120 N沟道 IGBT, 6.2 A, Vce=1200 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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SGD02N120
表面贴装
DPAK (TO-252)
-
6.2 A
±20V
-
62 W
N
3
-
单
6.5mm
6.22mm
2.3mm
¥201.00
Infineon 二极管-整流器-单 DIODE SCHTKY 1200V 38A PGTO252-2
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IDM10G120C5XTMA1
thinQ!
碳化硅肖特基
1200V（1.2kV）
38A（DC）
1.8V @ 10A
无恢复时间 > 500mA（Io）
62µA @ 12V
29pF @ 800V，1MHz
表面贴装
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
PG-TO252-2
¥47.37
Infineon AUIRG4BC30U-S N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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AUIRG4BC30U-S
表面贴装
D2PAK (TO-263)
-
23 A
±20V
-
100 W
N
3
30kHz
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm
¥45.96
Infineon TDA5200 433 - 435 MHz/868 - 870 MHz ASK 发射器芯片, 4.5 - 5.5 V电源, 28引脚
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TDA5200
TSSOP
-
28
9.7mm
4.4mm
1mm
ASK
9.7 x 4.4 x 1mm
870MHz
-
-
5.5 V
85 °C
-
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