|
|
IS43LR16320B-6BLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - 移动 DDR |
512Mb （32M x 16） |
12ns |
5.5ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
60-TFBGA |
60-TFBGA（8x10） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS61WV10248EDBLL-10BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
8Mb （1M x 8） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
IS61WV51216EDBLL-10BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
8Mb （512K x 16） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
IS42S16320F-7TL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
512Mb （32M x 16） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
54-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS42S16320D-7TL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
512Mb （32M x 16） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
54-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS64WV6416BLL-15TLA3 |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
1Mb （64K x 16） |
15ns |
15ns |
并联 |
2.5 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 125°C（TA） |
表面贴装 |
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS43TR16128BL-125KBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR3L |
2Gb （128M x 16） |
15ns |
20ns |
并联 |
1.283 V ~ 1.45 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
96-TFBGA |
96-TWBGA（9x13） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
IS43TR16128BL-15HBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR3L |
2Gb （128M x 16） |
15ns |
20ns |
并联 |
1.283 V ~ 1.45 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
96-TFBGA |
96-TWBGA（9x13） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
IS66WVE4M16ECLL-70BLI |
- |
易失 |
PSRAM |
PSRAM（伪 SRAM） |
64Mb （4M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
IS61LV25616AL-10TI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb （256K x 16） |
10ns |
10ns |
并联 |
3.135 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
44-TSOP II |
- |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
IS43DR16160B-37CBLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
256Mb （16M x 16） |
15ns |
500ps |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
84-TFBGA |
84-TWBGA（8x12.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS62WV51216EBLL-45TLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
8Mb （512K x 16） |
45ns |
45ns |
并联 |
2.2 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
IS41LV16100C-50TLI |
- |
易失 |
DRAM |
DRAM - EDO |
16Mb （1M x 16） |
- |
25ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS61LP6432A-133TQLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 同步 |
2Mb （64K x 32） |
- |
4ns |
并联 |
3.135 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
100-LQFP |
100-TQFP（14x20） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS61WV25616EDBLL-8BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb （256K x 16） |
8ns |
8ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
IS62WV51216BLL-55TLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
8Mb （512K x 16） |
55ns |
55ns |
并联 |
2.5 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS62WV51216BLL-55BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
8Mb （512K x 16） |
55ns |
55ns |
并联 |
2.5 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-迷你型BGA（7.2x8.7） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
IS62WV10248DBLL-55TLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
8Mb （1M x 8） |
55ns |
55ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
44-TSOP2（10.2x18.4） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS43DR86400E-3DBLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
512Mb （64M x 8） |
15ns |
450ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
60-TFBGA |
60-TWBGA（10.5x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
IS43DR86400E-25DBLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
512Mb （64M x 8） |
15ns |
400ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
60-TFBGA |
60-TWBGA（10.5x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
