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¥546.72
IC Integrated 存储器 SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA
京电港自营
自营
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IS43DR16128B-25EBLI
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR2
2Gb （128M x 16）
15ns
400ps
并联
1.7 V ~ 1.9 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
84-TFBGA
84-TWBGA（10.5x13）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥31.71
IC Integrated 存储器 SRAM 256KBIT 45NS 28SOP
京电港自营
自营
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IS62C256AL-45ULI-TR
-
易失
SRAM
SRAM - 异步
256Kb （32K x 8）
45ns
45ns
并联
4.5 V ~ 5.5 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽）
28-SOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥120.09
IC Integrated 存储器 SDRAM 512MBIT 333MHZ 84BGA
京电港自营
自营
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IS43DR16320C-3DBL
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR2
512Mb （32M x 16）
15ns
450ps
并联
1.7 V ~ 1.9 V
0°C ~ 70°C（TA）
表面贴装
84-TFBGA
84-TWBGA（8x12.5）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥402.48
IC Integrated 存储器 SDRAM 4GBIT 800MHZ 78BGA
京电港自营
自营
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IS43TR85120AL-125KBLI
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
4Gb （512M x 8）
15ns
20ns
并联
1.283 V ~ 1.45 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
78-TFBGA
78-TWBGA（9x10.5）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥103.35
IC Integrated 存储器 SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA
京电港自营
自营
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IS43TR16640B-125JBL
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR3
1Gb （64M x 16）
15ns
20ns
并联
1.425 V ~ 1.575 V
0°C ~ 95°C（TA）
表面贴装
96-TFBGA
96-TWBGA（9x13）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥144.99
IC Integrated 存储器 SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
京电港自营
自营
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IS61LV25616AL-10TI
-
易失
SRAM
SRAM - 异步
4Mb （256K x 16）
10ns
10ns
并联
3.135 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
44-TSOP II
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥97.11
IC Integrated 存储器 SRAM 4MBIT 55NS 44TSOP
京电港自营
自营
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IS62WV25616BLL-55TLI-TR
-
易失
SRAM
SRAM - 异步
4Mb （256K x 16）
55ns
55ns
并联
2.5 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
44-TSOP II
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥235.71
IC Integrated 存储器 SRAM 4.5MBIT 7.5NS 100TQFP
京电港自营
自营
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IS61LF12836A-7.5TQLI
-
易失
SRAM
SRAM - 同步
4.5Mb （128K x 36）
-
7.5ns
并联
3.135 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
100-LQFP
100-TQFP（14x20）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥28.11
16MB QSPI 8-PIN SOP 208MIL ET
京电港自营
自营
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IS25LP016D-JBLE
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
16Mb （2M x 8）
800µs
-
SPI - 四 I/O
2.3 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 105°C（TA）
表面贴装
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥340.44
IC Integrated 存储器 SDRAM 512MBIT 166MHZ 60BGA
京电港自营
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IS43LR16320B-6BLI
-
易失
DRAM
SDRAM - 移动 DDR
512Mb （32M x 16）
12ns
5.5ns
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
60-TFBGA
60-TFBGA（8x10）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥464.25
IC Integrated 存储器 SDRAM 512MBIT 167MHZ 90BGA
京电港自营
自营
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IS42S32160F-6BLI
-
易失
DRAM
SDRAM
512Mb （16M x 32）
-
5.4ns
并联
3 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
90-TFBGA
90-TFBGA（8x13）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥9.45
IC Integrated 存储器 FLASH 512KBIT 104MHZ 8SOIC
京电港自营
自营
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IS25LQ512B-JBLE
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Kb （64K x 8）
800µs
-
SPI
2.3 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 105°C（TA）
表面贴装
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥109.02
IC Integrated 存储器 PSRAM 32MBIT 70NS 48BGA
京电港自营
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IS66WVE2M16ECLL-70BLI
-
易失
PSRAM
PSRAM（伪 SRAM）
32Mb （2M x 16）
70ns
70ns
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
48-TFBGA
48-TFBGA（6x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥180.33
IC Integrated 存储器 SRAM 8MBIT 55NS 48MINIBGA
京电港自营
自营
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IS62WV51216BLL-55BLI
-
易失
SRAM
SRAM - 异步
8Mb （512K x 16）
55ns
55ns
并联
2.5 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
48-TFBGA
48-迷你型BGA（7.2x8.7）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥206.49
IC Integrated 存储器 SDRAM 256MBIT 133MHZ 54BGA
京电港自营
自营
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IS42VM16160K-75BLI
-
易失
DRAM
SDRAM - 移动
256Mb （16M x 16）
-
6ns
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
54-TFBGA
54-TFBGA（8x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥136.77
IC Integrated 存储器 SDRAM 2GBIT 667MHZ 96BGA
京电港自营
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IS43TR16128BL-15HBL
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
2Gb （128M x 16）
15ns
20ns
并联
1.283 V ~ 1.45 V
0°C ~ 70°C（TA）
表面贴装
96-TFBGA
96-TWBGA（9x13）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥794.58
IC Integrated 存储器 SDRAM 8GBIT 933MHZ 96BGA
京电港自营
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IS43TR16512A-125KBL
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR3
8Gb （512M x 16）
15ns
20ns
并联
1.425 V ~ 1.575 V
0°C ~ 95°C（TA）
表面贴装
96-LFBGA
96-LFBGA（10x14）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥222.57
IC Integrated 存储器 SDRAM 4GBIT 800MHZ 78BGA
京电港自营
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IS43TR85120A-125KBL
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR3
4Gb （512M x 8）
15ns
20ns
并联
1.425 V ~ 1.575 V
0°C ~ 70°C（TA）
表面贴装
78-TFBGA
78-TWBGA（9x10.5）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥387.72
IC Integrated 存储器 SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP
京电港自营
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IS61LPS25636A-200TQLI
-
易失
SRAM
SRAM - 同步
9Mb （256K x 36）
-
3.1ns
并联
3.135 V ~ 3.465 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
100-LQFP
100-TQFP（14x20）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥249.99
IC Integrated 存储器 SRAM 4MBIT 10NS 48TFBGA
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IS64WV25616EDBLL-10BLA3
-
易失
SRAM
SRAM - 异步
4Mb （256K x 16）
10ns
10ns
并联
2.4 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 125°C（TA）
表面贴装
48-TFBGA
48-TFBGA（6x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周

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