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MT18VDDF12872HG-335F1
DDR SDRAM
1GB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
333MT/s
200-SODIMM
N25Q032A11ESE40G
表面贴装
-
-
-
SOIC W
32Mbit
SPI
8
4M x 8 位
NOR
1.7 V
2 V
对称
4M
5ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40 °C
85 °C
5.49mm
1.91mm
-
-
¥35.43
自营
M29W800DT70ZE6E
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
8Mb (1M x 8,512K x 16)
70ns
70ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
48-TFBGA
48-TFBGA(6x8)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT4HTF3264AY-53EB1
DDR2 SDRAM
256MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-UDIMM
MT5VDDT1672HY-335F3
DDR SDRAM
128MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
333MT/s
200-SODIMM
JS28F128P33BF70A
表面贴装
-
-
-
TSOP
128Mbit
并行
56
8M x 16 位
NOR
2.3 V
3.6 V
非对称
8M
70ns
16Bit
18.6 x 14.2 x 1.025mm
14.2mm
-40 °C
85 °C
18.6mm
1.03mm
-
-
¥82.89
自营
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
1Gb (1G x 1)
-
-
SPI
1.7 V ~ 1.95 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
8-UDFN
8-U-PDFN(8x6)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
MT4LSDT1664HG-13ED1
SDRAM
128MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
133MHz
144-SODIMM
MT8VDDT6464HDG-40BF2
DDR SDRAM
512MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
PC28F00AM29EWHA
表面贴装
-
-
-
FBGA
1 Gbyte
并行
64
12M x 8 位,64M x 16 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
64M, 128M
100ns
8/16Bit
11 x 13 x 1.4mm
13mm
-40 °C
85 °C
11mm
1.4mm
-
-
¥16.29
自营
M25PX80-VMN6TP TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
8Mb (1M x 8)
15ms,5ms
-
SPI
2.3 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT4HTF1664AY-40EB1
DDR2 SDRAM
128MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
240-UDIMM
MT18VDDF12872HY-40BF1
DDR SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
N25Q032A13EF640F
表面贴装
-
-
-
MLP
32Mbit
SPI
8
4M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
7ns
8Bit
6 x 5 x 0.85mm
5mm
-40 °C
85 °C
6mm
0.85mm
-
-
¥151.08
自营
PC28F128P30BF65E
StrataFlash™
非易失
闪存
FLASH - NOR
128Mb (8M x 16)
65ns
65ns
并联
1.7 V ~ 2 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
64-TBGA
64-EasyBGA(10x13)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT18HTF12872DY-40EB1
DDR2 SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
240-RDIMM
¥2257.29
自营
MT36KSF2G72PZ-1G6P1
DDR3L SDRAM
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1600MT/s
240-RDIMM
MT8HTF12864AY-53EA9
DDR2 SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-UDIMM
¥90.75
自营
MT29F2G16ABBEAHC-IT:E TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
2Gb (128M x 16)
-
-
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
63-VFBGA
63-VFBGA(10.5x13)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT16HTF12864HY-40EB3
DDR2 SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
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