|
|
R5F72855D100FP#U2 |
SuperH® SH7280 |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
SH2A |
32-位 |
100MHz |
I²C，SCI，SSU，USB |
DMA，PWM，WDT |
91 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
24K x 8 |
A/D 8x12b |
外部 |
144-LQFP |
|
|
M30853FHFP#U3 |
M16C™ M32C/80/85 |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
M32C/80 |
16/32-位 |
32MHz |
CAN，I²C，IEBus，SIO，UART/USART |
DMA，WDT |
85 |
384KB（384K x 8） |
闪存 |
- |
24K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
100-BQFP |
|
|
M3087BFLAGP#U5 |
M16C™ M32C/80/87 |
|
|
|
|
|
|
|
-20°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
M32C/80 |
16/32-位 |
32MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
121 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
- |
48K x 8 |
A/D 34x10b，D/A 2x8b |
内部 |
144-LQFP |
|
|
R7FS7G27H2A01CLK#AC0 |
Synergy S7 |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
ARM® Cortex®-M4 |
32-位 |
240MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，MMC/SD，QSPI，SCI，SPI，SSI，UART/USART，USB |
DMA，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
104 |
4MB（4M x 8） |
闪存 |
64K x 8 |
640K x 8 |
A/D 19x12b，D/A 2x12b |
内部 |
145-TFLGA |
|
|
DF2319EVTE25V |
H8® H8S/2300 |
|
|
|
|
|
|
|
-20°C ~ 75°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
H8S/2000 |
16-位 |
25MHz |
SCI，智能卡 |
POR，PWM，WDT |
70 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
100-TQFP |
|
|
R5F72165ADFP#V1 |
SuperH® SH7216 |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
SH2A-FPU |
32-位 |
200MHz |
CAN，以太网，I²C，SCI，SPI，USB |
DMA，PWM，WDT |
112 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
64K x 8 |
A/D 8x12b |
外部 |
176-LQFP |
|
|
DF72115D160FPV |
SuperH® SH7200 |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
SH-2A |
32-位 |
160MHz |
EBI/EMI，I²C，SCI |
DMA，POR，PWM，WDT |
73 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 8x12b；D/A 2x8b |
外部 |
144-LQFP |
|
|
R7FS7G27G2A01CBD#AC0 |
Synergy S7 |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
ARM® Cortex®-M4 |
32-位 |
240MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，MMC/SD，QSPI，SCI，SPI，SSI，UART/USART，USB |
DMA，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
172 |
3MB（3M x 8） |
闪存 |
64K x 8 |
640K x 8 |
A/D 25x12b，D/A 2x12b |
内部 |
224-LFBGA |
|
|
R7S721000VCBG#AC0 |
RZ/A1H |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
ARM® Cortex®-A9 |
32-位 |
400MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，IEBus，LIN，MMC/SD，SCI，SPDIF，SPI，SSI，UART/USART，USB |
DMA，POR，PWM，WDT |
115 |
- |
ROMless |
- |
10M x 8 |
A/D 8x12b |
外部 |
256-LFBGA |
|
|
R7FS7G27H2A01CBG#AC0 |
Synergy S7 |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
ARM® Cortex®-M4 |
32-位 |
240MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，MMC/SD，QSPI，SCI，SPI，SSI，UART/USART，USB |
DMA，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
126 |
4MB（4M x 8） |
闪存 |
64K x 8 |
640K x 8 |
A/D 21x12b，D/A 2x12b |
内部 |
176-LFBGA |
|
|
M30879FLGP#U3 |
M16C™ M32C/80/87 |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
M32C/80 |
16/32-位 |
32MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
85 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
- |
48K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
100-LQFP |
|
|
R5F72865D100FP#U2 |
SuperH® SH7280 |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
SH2A |
32-位 |
100MHz |
CAN，I²C，SCI，SSU，USB |
DMA，PWM，WDT |
101 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
24K x 8 |
A/D 12x12b，A/D 2x8b |
外部 |
176-LQFP |
|
|
M3087BFLBGP#U3 |
M16C™ M32C/80/87 |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
M32C/80 |
16/32-位 |
32MHz |
EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
121 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
- |
48K x 8 |
A/D 34x10b，D/A 2x8b |
内部 |
144-LQFP |
|
|
R1LV1616RBG-7SI#B0 |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM |
16Mb （1M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-FBGA（7.5x8.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R1LV1616RBG-7SR#B0 |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM |
16Mb （1M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-FBGA（7.5x8.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R1LV1616RSD-5SI#B0 |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM |
16Mb （2M x 8，1M x 16） |
55ns |
55ns |
并联 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
52-TFSOP（0.350"，8.89mm 宽） |
52-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R0E000010KCE00 |
|
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|
|
- |
- |
- |
|
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
|
R7S910018CBG#AC0 |
RZ/T1 |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 125°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
ARM® Cortex®-R4F |
32-位 |
600MHz |
CAN，CSI，EBI/EMI，以太网，I²C，SPI，UART/USART，USB |
DMA，POR，PWM，WDT |
209 |
- |
ROMless |
- |
1.5M x 8 |
A/D 24x12b |
内部 |
320-FBGA |
|
|
R1LV3216RSA-7SI#S0 |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM |
32Mb （4M x 8，2M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TSOP |
48-TSOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
HD64F7045F28V |
SuperH® SH7040 |
|
|
|
|
|
|
|
-20°C ~ 75°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
SH-2 |
32-位 |
28.7MHz |
SCI |
DMA，POR，PWM，WDT |
98 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
144-BFQFP |
