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最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
封装类型
安装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
原产地
二极管配置
每片芯片元件数目
调谐比测试条件
尺寸
最高工作温度
存储器大小
接口类型
组织
单元类型
最小电压
最大电压
块组织
字组数目
最长随机存取时间
每字组的位元数目
最低工作温度
预计寿命
产品认证
达标情况
原厂标准交货期
TC58NVG1S3ETAI0
TSOP
表面贴装
48
18.4mm
12.4mm
1mm
-
18.4 x 12.4 x 1mm
85 °C
2 GByte
并行
256M x 8
NAND
-0.6 V
4.6 V
对称
256M
25ns
8Bit
-40 °C
-
-
-
-
GT50MR21,Q(O
50 A
±25V
-
230 W
TO-3P
通孔
N
3
0.4µs
15.5mm
4.5mm
20mm
-
GT15J341
15 A
±25V
-
30 W
TO-220SIS
通孔
N
3
100kHz
10mm
4.5mm
15mm
-
¥137.64
新品 自营
GT50J342,Q(O
80 A
±25V
-
394 W
TO-3PN
通孔
N
3
-
15.5mm
4.5mm
20mm
-
GT50J342,Q(O
80 A
±25V
-
394 W
TO-3P
通孔
N
3
0.38µs
15.5mm
4.5mm
20mm
-
GT40QR21,F(O
40 A
±25V
-
230 W
TO-3PN
通孔
N
3
-
15.5mm
4.5mm
20mm
-
¥3.48
新品 自营
1SV229(TPH3,F)
SOD-323
表面贴装
2
1.7mm
1.25mm
0.9mm
-
单路
1
1.7 x 1.25 x 0.9mm
125 °C
1SV285(TPH3,F)
1-1G1A
表面贴装
2
1.2mm
0.8mm
0.6mm
-
单路
1
1 → 4V
1.2 x 0.8 x 0.6mm
125 °C
1SV305,H3F(T
1-1G1A
表面贴装
2
1.2mm
0.8mm
0.6mm
-
单路
1
1 → 4V
1.2 x 0.8 x 0.6mm
125 °C
GT50NR21,Q(O
50 A
±25V
-
230 W
TO-3P
通孔
N
3
0.45µs
15.5mm
4.5mm
20mm
-
GT60PR21,STA1F(S
60 A
±25V
-
333 W
TO-3PN
通孔
N
3
-
15.5mm
4.5mm
20mm
-
GT30J341,Q(O
59 A
±25V
-
230 W
TO-3P
通孔
N
3
0.4µs
15.5mm
4.5mm
20mm
-
GT30J121
30 A
±20V
-
170 W
TO-3P
通孔
N
3
1MHz
15.9mm
4.8mm
20mm
-
GT30J341,Q(O
59 A
±25V
-
230 W
TO-3PN
通孔
N
3
-
15.5mm
4.5mm
20mm
-
GT60PR21,STA1F(S
60 A
±25V
-
333 W
TO-3P
通孔
N
3
0.6µs
15.5mm
4.5mm
20mm
-
GT20J341
20 A
±25V
-
45 W
TO-220SIS
通孔
N
3
100kHz
10mm
4.5mm
15mm
-
GT40RR21
40 A
±25V
-
230 W
TO-3P
通孔
N
3
1MHz
15.5mm
4.5mm
20mm
-
GT40Q321(Q)
42 A
±25V
-
-
TO-3PN
通孔
N
3
-
-
15.9mm
4.8mm
19mm
-
GT8G151,LQ(O
150 A
±4V
-
830 mW
TSON
表面贴装
N
8
2.4µs
3.1mm
3.1mm
0.85mm
-
GT40QR21,F(O
40 A
±25V
-
230 W
TO-3P
通孔
N
3
0.4µs
15.5mm
4.5mm
20mm
-
对比栏

1

您还可以继续添加

2

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3

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4

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