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晶体管配置
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宽度
高度
原产地
二极管配置
最大正向电流
每片芯片元件数目
最大反向电压
二极管技术
最大正向电压降
最大二极管电容值
最低工作温度
最高工作温度
产品认证
最大发射极基极电压
尺寸
预计寿命
RoHS达标情况
峰值平均正向电流
电桥类型
峰值反向重复电压
峰值非重复正向浪涌电流
峰值正向电压
峰值反向电流
FGA25N120ANTDTU
50 A
±20V
-
312 W
TO-3P
通孔
N
3
1MHz
15.8mm
5mm
18.9mm
-
FGA20S140P
40 A
±25V
-
272 W
TO-3PN
通孔
N
3
-
15.8mm
5mm
20.1mm
-
1N4148
DO-35
通孔
2
-
-
-
单路
300mA
1
100V
硅结型
1V
4pF
-
175 °C
HGTG30N60A4D
75 A
±20V
-
-
TO-247
通孔
N
3
-
15.87mm
4.82mm
20.82mm
-
FGA15N120ANTDTU_F109
24 A
±20V
-
-
TO-3PN
通孔
N
3
-
15.8mm
5mm
18.9mm
-
FGA30N65SMD
60 A
±20V
-
300 W
TO-3PN
通孔
N
3
-
16.2mm
5mm
20.1mm
-
TIP127
-5 A
65 W
TO-220
通孔
3
10.67 mm
4.83 mm
16.51 mm
-
150 °C
2
10.67 x 4.83 x 16.51 mm
-
-
FGL60N100BNTDTU
60 A
±25V
-
-
TO-264
通孔
N
3
-
20mm
5mm
26mm
-
FGH20N60UFDTU
40 A
±20V
-
165 W
TO-247
通孔
N
3
-
15.6mm
4.7mm
20.6mm
-
HGTG30N60A4
75 A
±20V
-
-
TO-247
通孔
N
3
-
15.87mm
4.82mm
20.82mm
-
SGL160N60UFDTU
160 A
±20V
-
250 W
TO-264
通孔
N
3
-
20mm
5mm
26mm
-
HGTG18N120BND
54 A
±20V
-
390 W
TO-247
通孔
N
3
-
15.87mm
4.82mm
20.82mm
-
FGH25N120FTDS
50 A
±25V
-
313 W
TO-247
通孔
N
3
-
15.87mm
4.82mm
20.82mm
-
HGT1S10N120BNST
80 A
±20V
-
298 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
1MHz
10.67mm
11.33mm
4.83mm
-
FGH30T65UPDT_F155
60 A
±20V
-
250 W
TO-247
通孔
N
3
-
15.87mm
4.82mm
20.82mm
-
HGTG30N60C3D
63 A
±20V
-
-
TO-247
通孔
N
3
-
15.87mm
4.82mm
20.82mm
-
3 相
14.5 W
-
-
FSB50550US
SPM5H
表面贴装
23
3 相
29.2 mm
12.2 mm
3.3mm
-
-40 °C
150 °C
-
29.2 x 12.2 x 3.3 mm
-
FGA20N120FTDTU
40 A
±25V
-
-
TO-3PN
通孔
N
3
-
15.8mm
5mm
18.9mm
-
GBU8A
GBU
通孔
4
22.3mm
-55 °C
150 °C
22.3 x 3.56 x 18.8mm
8A
单相
50V
200A
1V
500µA
1N4148TA
DO-35
通孔
2
4.56mm
-
-
单路
400mA
1
100V
硅结型
1V
4pF
-65 °C
175 °C
对比栏

1

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2

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3

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4

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