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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥3.27
自营
SCH1435-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
1.8V,4.5V
-
3.5nC @ 4.5V
265pF @ 10V
800mW(Ta)
89 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥49.05
自营
NGTB35N65FL2WG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
沟槽型场截止
650V
70A
120A
2V @ 15V,35A
300W
840µJ(开),280µJ(关)
标准
72ns/132ns
400V,35A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
187mW
-
SMUN5330DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
2 个 NPN 预偏压式(双)
15V
100 @ 50mA,5V
80mV @ 2.5mA,50mA
-
-
300mW
-
IMH20TR1
-
SC-74R
SC-74,SOT-457
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PNP - 达林顿
MMBTA63LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
30V
500mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
1.5V @ 100µA,100mA
100nA(ICBO)
10000 @ 100mA,5V
125MHz
NPN
MJD41CT4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
100V
6A
1.75W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.5V @ 600mA,6A
50µA
15 @ 3A,4V
3MHz
NPN
2N6288G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
30V
7A
40W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3.5V @ 3A,7A
1mA
30 @ 3A,4V
4MHz
PNP
MJD210RLG
-
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
25V
5A
1.4W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.8V @ 1A,5A
100nA(ICBO)
45 @ 2A,1V
65MHz
2 NPN(双)
BC847CDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
45V
100mA
380mW
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
100MHz
2 PNP(双)
EMT1DXV6T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
60V
100mA
500mW
500mV @ 5mA,50mA
500nA(ICBO)
120 @ 1mA,6V
140MHz
NTD4815N-35G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6.9A(Ta),35A(Tc)
4.5V,11.5V
2.5V @ 250µA
14.1nC @ 11.5V
770pF @ 12V
1.26W(Ta),32.6W(Tc)
15 毫欧 @ 30A,10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短截引线,IPak
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
NTHS4101PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.8A(Tj)
1.8V,4.5V
1.5V @ 250µA
35nC @ 4.5V
2100pF @ 16V
1.3W(Ta)
34 毫欧 @ 4.8A,4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.62
自营
MCH6431-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
5.6nC @ 10V
280pF @ 10V
1.5W(Ta)
55 毫欧 @ 2.5A,10V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
NGD8205NT4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
390V
20A
50A
1.9V @ 4.5V,20A
125W
-
逻辑
-/5µs
300V,9A,1 千欧,5V
-55°C ~ 175°C(TJ)
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSVB123JPDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4.5GHz ~ 5.5GHz
250mW
100 @ 10mA,5V
70mA
NPN
55GN01FA-TL-H
-
表面贴装
3-SSFP
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
150°C(TJ)
NPN
MMBT4401LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
40V
600mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
750mV @ 50mA,500mA
-
100 @ 150mA,1V
250MHz
PNP
BF721T1G
-
表面贴装
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
300V
50mA
1.5W
-65°C ~ 150°C(TJ)
800mV @ 5mA,30mA
10nA(ICBO)
50 @ 25mA,20V
60MHz
NPN
MJE200G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
40V
5A
15W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.8V @ 1A,5A
100nA(ICBO)
45 @ 2A,1V
65MHz
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