AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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产品型号

系列

晶体管类型

电阻器 - 发射极 (R2)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）

电流 - 集电极截止（最大值）

频率 - 跃迁

功率 - 最大值

供应商器件封装

封装/外壳

包装

制造商

达标情况

原厂标准交货期

电流集电极

电压集射极击穿

不同Ib，Ic时的Vce饱和值

电流集电极截止

不同Ic，Vce时的DC电流增益

功率最大值

频率跃迁

工作温度

安装类型

原产地

¥0.63

AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.1A SC-75-3

京电港自营

自营

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BC857BTT1G

PNP

SC-75，SOT-416

标准卷带

符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

14 周

100mA

45V

650mV @ 5mA，100mA

15nA（ICBO）

220 @ 2mA，5V

200mW

100MHz

-55°C ~ 150°C（TJ）

表面贴装

¥2.19

AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

京电港自营

自营

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NSBC123TDP6T5G

2 个 NPN 预偏压式（双）

50V

160 @ 5mA，10V

250mV @ 1mA，10mA

500nA

339mW

SOT-963

标准卷带

符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

4 周

¥12.18

AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 160V 0.7A SOT89-3

京电港自营

自营

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2SC3648S-TD-E

NPN

PCP

TO-243AA

剪切带（CT）

符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

4 周

700mA

160V

400mV @ 25mA，250mA

100nA（ICBO）

100 @ 100mA，5V

500mW

120MHz

150°C（TJ）

表面贴装

¥16.02

AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 3A TO220AB

京电港自营

自营

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BD242CG

PNP

TO-220AB

TO-220-3

管件

符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

6 周

100V

1.2V @ 600mA，3A

300µA

25 @ 1A，4V

40W

3MHz

-65°C ~ 150°C（TJ）

通孔

¥2.10

AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 0.6A SOT223

京电港自营

自营

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PZT2907AT3G

PNP

SOT-223

TO-261-4，TO-261AA

标准卷带

符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

43 周

600mA

60V

1.6V @ 50mA，500mA

10nA（ICBO）

100 @ 150mA，10V

1.5W

200MHz

-65°C ~ 150°C（TJ）

表面贴装

¥0.69

AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363

京电港自营

自营

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BC847BDW1T3G

2 NPN（双）

符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

10 周

100mA

45V

600mV @ 5mA，100mA

15nA（ICBO）

200 @ 2mA，5V

380mW

100MHz

¥7.59

AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC

京电港自营

自营

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NSV40302PDR2G

NPN，PNP

符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

9 周

40V

115mV @ 200mA，2A

100nA（ICBO）

180 @ 1A，2V

653mW

100MHz

1507 符合条件

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