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产品类型
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峰值平均正向电流
峰值正向电压
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配置
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电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
阻抗（最大值）(Zzt)
¥10.14
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 6.2V POWERDI323
京电港自营
自营
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±6%
3µA @ 4V
1.1V @ 100mA
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
-
PD3Z284C6V2-7
PowerDI™ 323
PowerDI™ 323
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.06
Diodes 二极管-齐纳-阵列 DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT363
京电港自营
自营
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±5%
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
-
3 个独立式
5µA @ 3V
900mV @ 10mA
8 周
MMBZ5232BTS-7-F
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.00
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
京电港自营
自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
DMN3024LSS-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
12.9nC @ 10V
608pF @ 15V
±20V
-
1.6W（Ta）
24 毫欧 @ 7A，10V
¥3.60
Diodes 二极管-桥式整流器 RECT BRIDGE 1A 600V T-MINIDIP
京电港自营
自营
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表面贴装
-
单相
标准
600V
1A
1.1V @ 1A
10µA @ 600V
标准卷带
DSRHD06-13
4-T MiniDip
4-SMD，扁平引线
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥8.67
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK
京电港自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
DMP4015SK3-13
TO-252，（D-Pak）
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
47.5nC @ 5V
4234pF @ 20V
±25V
-
3.5W（Ta）
11 毫欧 @ 9.8A，10V
询价
IC SCHOTTKY BRIDGE 40V 0.4A SM8
京电港自营
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表面贴装
-
单相
肖特基
40V
400mA
750mV @ 1A
10µA @ 30V
剪切带（CT）
ZXSBMR16PT8TA
SM8
SOT-223-8
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥33.81
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
京电港自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
-
通孔
-
DMG9N65CT
TO-220AB
TO-220-3
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
5V @ 250µA
39nC @ 10V
2310pF @ 25V
±30V
-
165W（Tc）
1.3 欧姆 @ 4.5A，10V
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
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-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
DMN2011UFDF-7
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
56nC @ 10V
2248pF @ 10V
±12V
-
2.1W（Ta）
9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
¥10.05
Diodes Incorporated MMBZ5256BS-7-F {id:100 nA @ 23 V,value:100 nA @ 23 V 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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±5%
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装型
2 个独立式
{id:100 nA @ 23 V,value:100 nA @ 23 V
30 V
{id:900 mV @ 10 mA,value:900 mV @ 10 mA
MMBZ5256BS-7-F
200 mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel® 得捷定制卷带
49 Ohms
¥1.80
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
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DCX114TU-7-F
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
10k
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 100µA，1mA
-
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥9.03
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
京电港自营
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-
表面贴装
-
DMN6066SSD-13
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
1.8W
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
3.3A
66 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
10.3nC @ 10V
502pF @ 30V
¥1.29
Diodes Incorporated ADA114EUQ-13 2 个 PNP 预偏压式（双） 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
京电港自营
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Automotive, AEC-Q101
ADA114EUQ-13
2 个 PNP 预偏压式（双）
10 千欧，10 千欧
10 千欧，10 千欧
-
250MHz
270mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
卷带（TR）
¥1.26
Diodes 二极管-整流器-阵列 DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
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自营
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-
1 对共阳极
肖特基
200mA（DC）
1V @ 100mA
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
125°C（最大）
表面贴装
-
BAT54ATA
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
京电港自营
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-
表面贴装
-
ZXMN6A11DN8TC
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1.8W
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
2.5A
120 毫欧 @ 2.5A，10V
1V @ 250µA（最小）
5.7nC @ 10V
330pF @ 40V
询价
Diodes 二极管-整流器-阵列 DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT23-3
京电港自营
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-
1 对共阴极
标准
150mA
1.25V @ 150mA
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
-65°C ~ 150°C
表面贴装
-
BAV70-7
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥9.24
Diodes TVS 二极管 DIODE 16VWM 26VC SMA
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¥9.24
Diodes TVS 二极管 DIODE 12VWM 19.9VC DFLAT
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¥2.22
Diodes TVS 二极管 DIODE 58VWM 93.6VC SMB
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¥10.80
Diodes TVS 二极管 DIODE 58.1VWM 92VC DO201
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¥1.89
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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-
DDTC143FE-7
NPN - 预偏压
22k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
4.7k
68 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW

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