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峰值平均正向电流
峰值正向电压
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产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
¥1.56
RECT SCHKY 40V 500MA X3-WLB1006
京电港自营
自营
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-
肖特基
500mA
460mV @ 500mA
快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
75µA @ 40V
35pF @ 4V，1MHz
表面贴装
2-XDFN
-55°C ~ 150°C
-
SDM05U40CSP-7
X3-WLB1006-2
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.44
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 1A SOT23-3
京电港自营
自营
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表面贴装
-
DPBT8105-7
PNP
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
1A
60V
600mV @ 100mA，1A
100nA
100 @ 500mA，5V
600mW
150MHz
¥8.28
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE SCHOTTKY 50V 1A SMB
京电港自营
自营
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-
肖特基
1A
700mV @ 1A
快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
500µA @ 50V
110pF @ 4V，1MHz
表面贴装
DO-214AA，SMB
-65°C ~ 125°C
-
SK15-13-F
SMB
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥14.67
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 2.5A SOT89
京电港自营
自营
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表面贴装
-
ZXTN25100DZTA
NPN
SOT-89-3
TO-243AA
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
2.5A
100V
345mV @ 250mA，2.5A
50nA（ICBO）
300 @ 10mA，2V
2.4W
175MHz
¥4.08
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
京电港自营
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SBR®
超级势垒
10A
550mV @ 10A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
380µA @ 45V
-
表面贴装
PowerDI™ 5
-55°C ~ 150°C
-
SBR10B45P5-13
PowerDI®5
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-6
京电港自营
自营
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表面贴装
-
ZXTS1000E6TA
PNP 二极管（隔离式）
SOT-23-6
SOT-23-6
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1.25A
12V
240mV @ 100mA，1.25A
10nA
200 @ 500mA，2V
885mW
220MHz
¥5.64
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 62V 500MW MINIMELF
京电港自营
自营
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±5%
100nA @ 47V
1.5V @ 200mA
表面贴装
-65°C ~ 175°C
-
ZMM5265B-7
迷你型 MELF
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
¥2.37
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT
京电港自营
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D-FLAT
标准
1A
1.7V @ 1A
快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
5µA @ 1000V
10pF @ 4V，1MHz
表面贴装
2-SMD，扁平引线
-55°C ~ 150°C
-
US1MDF-13
D-Flat
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥10.05
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 30V 5.5A SOT-223
京电港自营
自营
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表面贴装
-
ZX5T949GTA
PNP
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
5.5A
30V
210mV @ 500mA，5.5A
20nA（ICBO）
100 @ 1A，1V
3W
110MHz
¥1.38
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 24V 500MW SOD123
京电港自营
自营
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±5%
50nA @ 18.2V
900mV @ 10mA
表面贴装
-65°C ~ 150°C
-
DDZ9709-7
SOD-123
SOD-123
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
¥1.50
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
京电港自营
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-
DDTC124GE-7-F
NPN - 预偏压
22k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
-
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
150mW
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 17.5V 5A SM8
京电港自营
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-
ZDT1048TC
2 NPN（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
5A
17.5V
300mV @ 50mA，5A
10nA
300 @ 500mA，2V
2.75W
150MHz
¥0.81
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
京电港自营
自营
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±5%
25µA @ 1V
900mV @ 10mA
表面贴装
-65°C ~ 150°C
-
MMSZ5226B-7-F
SOD-123
SOD-123
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
¥0.93
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 18V 350MW SOD523
京电港自营
自营
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±2%
50nA @ 12.6V
1.1V @ 100mA
表面贴装
-65°C ~ 150°C
-
BZT585B18T-7
SOD-523
SC-79，SOD-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
¥2.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323
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表面贴装
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
DMP2160UW-7
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
-
627pF @ 10V
±12V
-
350mW（Ta）
100 毫欧 @ 1.5A，4.5V
-
询价
Diodes 二极管-齐纳-阵列 DIODE ZENER ARRAY 18V SOT363
京电港自营
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±5%
表面贴装
-65°C ~ 150°C
-
2 个独立式
100nA @ 14V
900mV @ 10mA
MMBZ5248BS-7
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
¥13.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC
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表面贴装
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
DMT6016LSS-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
±20V
-
1.5W（Ta）
18 毫欧 @ 10A，10V
-
询价
Diodes 二极管-桥式整流器 RECTIFIER BRIDGE 100V 6A PB-6
京电港自营
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10µA @ 100V
通孔
-
单相
标准
100V
6A
1.1V @ 3A
散装
PB61
PB-6
4-方形，PB-6
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.94
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
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表面贴装
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
DMN2230UQ-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
2.3nC @ 10V
188pF @ 10V
±12V
-
600mW（Ta）
110 毫欧 @ 2.5A，4.5V
-
¥0.69
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
京电港自营
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DCX114EU-13R-F
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
10k
10k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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