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容差
反向漏电流
正向电压
产品系列
整流器类型
最大连续正向电流
最大正向电压降
峰值反向电流
不同 Vr,F 时的电容
封装类型
工作温度
系列
二极管配置
二极管类型
电流-平均整流(Io) (每二极管)
不同If时的电压-正向 (Vf)
速度
工作温度-结
安装类型
原产地
产品类型
技术类型
峰值反向重复电压
峰值平均正向电流
峰值正向电压
产品包装
配置
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
阻抗(最大值)(Zzt)
±5%
7.5µA @ 1V
900mV @ 10mA
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
-
DDZ9678-7
SOD-123
SOD-123
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
肖特基
2A
500mV @ 2A
500µA @ 40V
-
SOD-123
-65°C ~ 125°C
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
表面贴装
-
APD240KDTR-G1
SOD-123
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
-
表面贴装
-
ZXTPS720MCTA
PNP 二极管(隔离式)
8-DFN(3x2)
8-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
3A
40V
370mV @ 250mA,2.5A
25nA
60 @ 1.5A,2V
3W
190MHz
-
-
DMMT3906W-7
2 PNP(双)配对
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
200mA
40V
400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
200mW
250MHz
±3%
70nA @ 15.4V
900mV @ 10mA
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
-
DDZ18ASF-7
SOD-323F
SC-90,SOD-323F
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
DDTA144TE-7-F
PNP - 预偏压
-
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
47k
100 @ 1mA,5V
300mV @ 250µA,2.5mA
500nA(ICBO)
250MHz
150mW
±5%
2µA @ 8.4V
900mV @ 10mA
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
-
MMSZ5241B-7-F
SOD-123
SOD-123
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
DMN601K-7
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V,10V
2.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
-
350mW(Ta)
2 欧姆 @ 500mA,10V
±5%
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
-
1 对共阴极
-
-
DZ23C8V2-7
300mW
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
ZXM61P03FTA
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
1V @ 250µA
4.8nC @ 10V
140pF @ 25V
±20V
-
625mW(Ta)
350 毫欧 @ 600mA,10V
10µA @ 200V
通孔
-
单相
标准
200V
4A
1V @ 3A
散装
RS403L
RS-4L
4-SIP,RS-4L
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
DMN2028UVT-7
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.5V @ 250µA
8.3nC @ 4.5V
856pF @ 10V
±8V
-
1.2W(Ta)
24 毫欧 @ 6.2A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
DMN63D1LW-13
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V,10V
2.5V @ 1mA
0.3nC @ 4.5V
30pF @ 25V
±20V
-
310mW(Ta)
2 欧姆 @ 500mA,10V
DDA123JK-7-F
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
2.2k
47k
80 @ 10mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
-
250MHz
300mW
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
表面贴装
-
DMN1029UFDB-7
U-DFN2020-6(B 类)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
1.4W
2 个 N 沟道(双)
标准
12V
5.6A
29 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
19.6nC @ 8V
914pF @ 6V
¥1.89
自营
*
DZ23C3V6-7-F
卷带(TR)
SBR®
1 对共阴极
超级势垒
10A
960mV @ 20A
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
-65°C ~ 175°C
表面贴装
-
SBR20A200CTB-13
TO-263AB(D²PAK)
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
-
表面贴装
-
DMHC3025LSDQ-13
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
1.5W
2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)
标准
30V
6A,4.2A
25 毫欧 @ 5A,10V
2V @ 250µA
11.7nC @ 10V
590pF @ 15V
-
3 个独立式
标准
150mA
1.25V @ 150mA
小信号 =< 200mA(Io),任意速度
-65°C ~ 150°C
表面贴装
-
BAS16TW-7
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
±5%
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装型
2 个独立式
{id:500 nA @ 9.9 V,value:500 nA @ 9.9 V
13 V
{id:900 mV @ 10 mA,value:900 mV @ 10 mA
MMBZ5243BS-7-F
200 mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
13 Ohms
对比栏

1

您还可以继续添加

2

您还可以继续添加

3

您还可以继续添加

4

您还可以继续添加