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反向电压
电流额定值
通态电压
阻断电压
断态电流
峰值平均正向电流
电桥类型
峰值正向电压
¥7.68
Infineon 二极管-整流器-单 DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3
京电港自营
精品 自营
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BAS 70 E6327
-
肖特基
70V
70mA（DC）
1V @ 15mA
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
100nA @ 50V
2pF @ 0V，1MHz
表面贴装
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
PG-SOT23-3
¥91.80
Infineon IRGP4750DPBF N沟道 IGBT, 70 A, Vce=650 V, 8 - 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
京电港自营
自营
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IRGP4750DPBF
通孔
TO-247AC
-
70 A
±20V
-
273 W
N
3
8 → 30kHz
单
15.87mm
5.31mm
20.7mm
¥26.73
Infineon IRG4BC20KDSTRLP N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
京电港自营
自营
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IRG4BC20KDSTRLP
表面贴装
D2PAK (TO-263)
-
16 A
±20V
-
60 W
N
3
-
单
10.67mm
11.3mm
4.83mm
¥1.26
Infineon BCR 116W NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
京电港自营
新品 自营
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BCR 116W
表面贴装
SOT-323 (SC-70)
-
100 mA
250 mW
3
单
2mm
1.25mm
0.8mm
NPN
4.7 kΩ
70
0.1
1
2 x 1.25 x 0.8mm
150 °C
¥1614.98
Infineon F4-150R12KS4 IGBT 模块, 桥接, 180 A, Vce=1200 V AG-ECONO3-4封装
京电港自营
新品 自营
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F4-150R12KS4
面板安装
AG-ECONO3-4
-
-
-
全桥
960 W
-
180 A
±20V
N
全桥
122 mm
62 mm
17mm
-
122 x 62 x 17 mm
125 °C
-40 °C
1200 V
¥38.67
Infineon IGW30N60TPXKSA1 N沟道 IGBT, 53 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247封装
京电港自营
新品 自营
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IGW30N60TPXKSA1
通孔
TO-247
-
53 A
±20V
1
200 W
N
3
30kHz
单
16.13mm
5.21mm
21.1mm
¥45.69
Infineon IRG4BC10SD-SPBF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 1kHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
京电港自营
新品 自营
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IRG4BC10SD-SPBF
表面贴装
D2PAK (TO-263)
-
14 A
±20V
-
38 W
N
3
1kHz
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm
¥1117.89
Infineon TT251N16KOF-A PCT 晶闸管模块, 250A, Vrev=1600V 50mA, 7引脚 模块 50mm封装
京电港自营
新品 自营
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TT251N16KOFAHPSA1
面板安装
模块 50mm
-
-
-
-
7
92mm
50mm
52mm
-
92 x 50 x 52mm
125 °C
-40 °C
PCT
2V
200mA
300mA
250A
1600V
9100A
1.4V
1800V
50mA
¥17.76
Infineon 二极管-整流器-单 DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
京电港自营
精品 自营
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IDB30E120ATMA1
-
标准
1200V（1.2kV）
50A（DC）
2.15V @ 30A
快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
100µA @ 1200V
-
表面贴装
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
PG-TO263-3
¥106.23
Infineon IKW40N120H3 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
京电港自营
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IKW40N120H3
通孔
TO-247
-
80 A
±20V
-
483 W
N
3
-
单
16.03mm
5.16mm
21.1mm
¥3.09
Infineon BB814E6327GR1 18V 43pF 变容二极管, 最小调谐比: 2.05, 3引脚 SOT-23封装, 使用于调谐器
京电港自营
新品 自营
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BB814E6327GR1
表面贴装
SOT-23
-
3
2.9mm
1.3mm
0.9mm
共阴极
2
2 → 8V
2.9 x 1.3 x 0.9mm
125 °C
-55 °C
¥1069.35
Infineon FF100R12RT4 IGBT 模块, 串行, 100 A, Vce=1200 V AG-34MM-1封装
京电港自营
新品 自营
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FF100R12RT4
面板安装
AG-34MM-1
-
-
-
串行
555 W
-
100 A
±20V
N
串行
94 mm
34 mm
30.2mm
-
94 x 34 x 30.2 mm
150 °C
-40 °C
1200 V
¥1378.78
Infineon FS150R12KE3 IGBT 模块, 3 相桥接, 200 A, Vce=1200 V AG-ECONO3-4封装
京电港自营
新品 自营
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FS150R12KE3
面板安装
AG-ECONO3-4
-
-
-
3 相桥接
700W
-
200 A
±20V
N
3 相
122 mm
62 mm
17mm
-
122 x 62 x 17 mm
125 °C
-40 °C
1200 V
¥60.51
Infineon IRG4BC40W-SPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 30 - 150kHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
京电港自营
新品 自营
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IRG4BC40W-SPBF
表面贴装
D2PAK (TO-263)
-
40 A
±20V
-
160 W
N
3
30 → 150kHz
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm
¥2069.73
Infineon 三相整流桥模块, 104A峰值平均正向电流, PCB（印刷电路板）安装, 1600V峰值反向重复电压, 17引脚, 最高工作温度 150 °C
京电港自营
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DDB6U104N16RRBOSA1
1600V
5mA
PCB（印刷电路板）安装
单路 MOSFET
17
107.5mm
107.5 x 45 x 17mm
150 °C
-40 °C
104A
三相
1.3V
¥96.87
Infineon IRG4PH40UPBF N沟道 IGBT, 41 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
京电港自营
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IRG4PH40UPBF
通孔
TO-247AC
-
41 A
±20V
-
-
N
3
-
单
15.9mm
5.3mm
20.3mm
¥20.46
Infineon IRGR4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
京电港自营
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IRGR4607DPBF
表面贴装
DPAK (TO-252)
-
11 A
±20V
-
58 W
N
3
8 → 30kHz
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm
¥2417.46
Infineon BCR129SH6327 双 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:无, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
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BCR129SH6327
表面贴装
SOT-363 (SC-88)
-
250 mW
6
隔离式
2mm
1.25mm
0.8mm
NPN
10 kΩ
120
无
2
2 x 1.25 x 0.8mm
150 °C
¥1133.21
Infineon FD300R07PE4_B6 IGBT 模块, 共发射极, 300 A, Vce=650 V, 20引脚 ECONO4封装
京电港自营
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FD300R07PE4_B6
PCB（印刷电路板）安装
ECONO4
-
-
-
共发射极
940 W
-
300 A
±20V
N
20
1MHz
共发射极
130 mm
70.6 mm
17mm
-
130 x 70.6 x 17 mm
150 °C
-40 °C
650 V
¥1754.91
Infineon FZ400R12KE3 IGBT 模块, 650 A, Vce=1200 V, 5引脚 62MM 模块封装
京电港自营
新品 自营
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FZ400R12KE3
面板安装
62MM 模块
-
-
-
单
2.25 kW
-
650 A
±20V
N
5
1MHz
单
106.4 mm
61.4 mm
36.5mm
-
106.4 x 61.4 x 36.5 mm
125 °C
-40 °C
1200 V

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