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CEL (California Eastern Laboratories)
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NXP Semiconductors / 恩智浦
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Roving Networks / Microchip
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STMicroelectronics/意法半导体
Teccor / Littelfuse
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台湾积体电路
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STMicroelectronics BTA24-800BWRG 三端双向可控硅开关元件, 25A额定, 800V峰值, 100mA 1.3V触发, 3引脚
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564.93
STMicroelectronics STPS200170TV1 肖特基 二极管, Io=200A, Vrev=170V, 4引脚 ISOTOP封装
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71.58
STMicroelectronics TPDV640RG 三端双向可控硅开关元件, 40A额定, 600V峰值, 200mA 1.5V触发, 3引脚
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70.59
STMicroelectronics STGW20NC60VD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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69.96
STMicroelectronics BTA26-600BWRG 三端双向可控硅开关元件, 25A额定, 600V峰值, 50mA 1.3V触发, 3引脚
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69.54
STMicroelectronics STGWT40H65FB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
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69.33
STMicroelectronics STGWT40V60DLF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
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69.33
STMicroelectronics STGW40V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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69.33
STMicroelectronics STGW40V60DLF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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69.27
STMicroelectronics整流桥, 30A峰值平均正向电流, 800V峰值反向重复电压, 3引脚, D2PAK封装
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68.43
STMicroelectronics BTB41-600BRG 三端双向可控硅开关元件, 40A额定, 600V峰值, 100mA 1.3V触发, 3引脚
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67.86
STMicroelectronics STGB20H60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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66.69
STMicroelectronics STGW30V60F N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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66.66
STMicroelectronics STGB30M65DF2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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66.24
STMicroelectronics STGW30NC120HD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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64.95
STMicroelectronics STGWT30H60DFB N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
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63.42
STMicroelectronics BTA26-800BWRG 三端双向可控硅开关元件, 25A额定, 800V峰值, 50mA 1.3V触发, 3引脚
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63.33
STMicroelectronics ULN2065B NPN 达林顿晶体管对, 1.75 A, Vce=80 V, 16引脚 PDIP封装
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63.15
STMicroelectronics整流桥, 30A峰值平均正向电流, 800V峰值反向重复电压, 3引脚, D2PAK封装
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60.63
STMicroelectronics BU941ZPFI NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=350 V, HFE=300, 3引脚 TO-3PF封装
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60.36
STMicroelectronics STGB20V60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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59.37
STMicroelectronics STGB20V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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最大栅极发射极电压
晶体管数
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安装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
原产地
额定电流
栅极触发电流
反向电压
电流额定值
栅极触发电压
阻断电压
保持电流
尺寸
最大发射极基极电压
最低工作温度
最高工作温度
预计寿命
RoHS达标情况
峰值平均正向电流
峰值反向重复电压
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71.58
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型号
TPDV640RG
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71.58
STMicroelectronics TPDV640RG 三端双向可控硅开关元件, 40A额定, 600V峰值, 200mA 1.5V触发, 3引脚
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TPDV640RG
TO-220AB
通孔
3
10.3mm
4.7mm
16mm
-
20A
25mA
800V
170A
1V
800V
45mA
10.3 x 4.7 x 16mm
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型号
STGW20NC60VD
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STMicroelectronics STGW20NC60VD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW20NC60VD
60 A
±20V
-
-
TO-247
通孔
N
3
-
单
15.75mm
5.15mm
20.15mm
-
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69.96
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型号
BTA26-600BWRG
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69.96
STMicroelectronics BTA26-600BWRG 三端双向可控硅开关元件, 25A额定, 600V峰值, 50mA 1.3V触发, 3引脚
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BTA26-600BWRG
TO-220AB
通孔
3
10.3mm
4.7mm
16mm
-
20A
25mA
800V
170A
1V
800V
45mA
10.3 x 4.7 x 16mm
¥
69.54
另提供行业标准包装
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型号
STGWT40H65FB
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69.54
STMicroelectronics STGWT40H65FB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
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STGWT40H65FB
80 A
±20V
-
283 W
TO-3P
通孔
N
3
-
单
15.8mm
5mm
20.1mm
-
¥
69.33
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型号
STGWT40V60DLF
¥
69.33
STMicroelectronics STGWT40V60DLF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
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STGWT40V60DLF
40 A
±20V
-
283 W
TO-3P
通孔
N
3
1MHz
单
15.7mm
5.7mm
26.7mm
-
¥
69.33
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型号
STGW40V60F
¥
69.33
STMicroelectronics STGW40V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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STGW40V60F
40 A
±20V
-
283 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
15.75mm
5.15mm
20.15mm
-
¥
69.33
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型号
STGW40V60DLF
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69.33
STMicroelectronics STGW40V60DLF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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STGW40V60DLF
40 A
±20V
-
283 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
15.75mm
5.15mm
20.15mm
-
¥
69.27
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型号
STBR3008G2Y-TR
¥
69.27
STMicroelectronics整流桥, 30A峰值平均正向电流, 800V峰值反向重复电压, 3引脚, D2PAK封装
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STBR3008G2Y-TR
D2PAK
3
30A
800V
¥
68.43
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型号
BTB41-600BRG
¥
68.43
STMicroelectronics BTB41-600BRG 三端双向可控硅开关元件, 40A额定, 600V峰值, 100mA 1.3V触发, 3引脚
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BTB41-600BRG
TO-220AB
通孔
3
10.3mm
4.7mm
16mm
-
20A
25mA
800V
170A
1V
800V
45mA
10.3 x 4.7 x 16mm
¥
67.86
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型号
STGB20H60DF
¥
67.86
STMicroelectronics STGB20H60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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STGB20H60DF
40 A
±20V
-
167 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
-
单
10.4mm
9.35mm
4.6mm
-
¥
66.69
另提供行业标准包装
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型号
STGW30V60F
¥
66.69
STMicroelectronics STGW30V60F N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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STGW30V60F
30 A
±20V
-
260 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
15.75mm
5.15mm
20.15mm
-
¥
66.66
另提供行业标准包装
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型号
STGB30M65DF2
¥
66.66
STMicroelectronics STGB30M65DF2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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STGB30M65DF2
60 A
±20V
-
258 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
-
单
10.4mm
9.35mm
4.6mm
-
¥
66.24
另提供行业标准包装
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型号
STGW30NC120HD
¥
66.24
STMicroelectronics STGW30NC120HD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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STGW30NC120HD
60 A
±25V
-
220 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
15.75mm
5.15mm
20.15mm
-
¥
64.95
另提供行业标准包装
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型号
STGWT30H60DFB
¥
64.95
STMicroelectronics STGWT30H60DFB N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
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STGWT30H60DFB
60 A
±20V
-
260 W
TO-3P
通孔
N
3
-
单
15.8mm
5mm
14.1mm
-
¥
63.42
另提供行业标准包装
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型号
BTA26-800BWRG
¥
63.42
STMicroelectronics BTA26-800BWRG 三端双向可控硅开关元件, 25A额定, 800V峰值, 50mA 1.3V触发, 3引脚
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BTA26-800BWRG
TO-220AB
通孔
3
10.3mm
4.7mm
9.4mm
-
8A
70mA
800V
71A
1.5V
800V
20mA
10.3 x 4.7 x 9.4mm
¥
63.33
另提供行业标准包装
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型号
ULN2065B
¥
63.33
STMicroelectronics ULN2065B NPN 达林顿晶体管对, 1.75 A, Vce=80 V, 16引脚 PDIP封装
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ULN2065B
1.75 A
PDIP
通孔
16
共发射极
20 mm
7.1 mm
5.1 mm
-
20 x 7.1 x 5.1 mm
4
-20 °C
85°C
-
-
¥
63.15
另提供行业标准包装
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型号
STBR3008G2Y-TR
¥
63.15
STMicroelectronics整流桥, 30A峰值平均正向电流, 800V峰值反向重复电压, 3引脚, D2PAK封装
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STBR3008G2Y-TR
D2PAK
3
30A
800V
¥
60.63
另提供行业标准包装
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型号
BU941ZPFI
¥
60.63
STMicroelectronics BU941ZPFI NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=350 V, HFE=300, 3引脚 TO-3PF封装
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BU941ZPFI
15 A
TO-3PF
通孔
3
单
15.7 mm
5.7 mm
15.2 mm
-
15.7 x 5.7 x 15.2 mm
1
-65 °C
175 °C
-
-
¥
60.36
另提供行业标准包装
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型号
STGB20V60DF
¥
60.36
STMicroelectronics STGB20V60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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STGB20V60DF
40 A
±20V
-
167 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
-
单
10.4mm
9.35mm
4.6mm
-
¥
59.37
另提供行业标准包装
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型号
STGB20V60F
¥
59.37
STMicroelectronics STGB20V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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STGB20V60F
40 A
±20V
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167 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
-
单
10.4mm
9.35mm
4.6mm
-
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