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CEL (California Eastern Laboratories)
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NXP Semiconductors / 恩智浦
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Roving Networks / Microchip
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Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Silicon Labs/芯科
SINE Systems / Amphenol
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STMicroelectronics/意法半导体
Teccor / Littelfuse
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Vishay / Semiconductor - Opto Division
Bourns Inc./伯恩斯
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STMicroelectronics BTA24-800BWRG 三端双向可控硅开关元件, 25A额定, 800V峰值, 100mA 1.3V触发, 3引脚
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564.93
STMicroelectronics STPS200170TV1 肖特基 二极管, Io=200A, Vrev=170V, 4引脚 ISOTOP封装
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18.87
STMicroelectronics ULQ2804A NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, 18引脚 PDIP封装
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12.60
STMicroelectronics T835-600G 三端双向可控硅开关元件, 8A额定, 600V峰值, 35mA 1.3V触发, 3引脚
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6.60
STMicroelectronics BDW94C PNP 达林顿晶体管对, 12 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220封装
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20.43
STMicroelectronics STGF6NC60HD N沟道 IGBT, 6 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
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15.18
STMicroelectronics BTB08-600TWRG 三端双向可控硅开关元件, 8A额定, 600V峰值, 5mA 1.3V触发, 3引脚
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11.85
STMicroelectronics TIP102 NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 TO-220封装
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83.10
STMicroelectronics BTA41-800BRG 三端双向可控硅开关元件, 40A额定, 800V峰值, 100mA 1.3V触发, 3引脚
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25.71
STMicroelectronics TIP142T NPN 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=500, 3引脚 TO-220封装
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24.00
STMicroelectronics STGP6NC60HD N沟道 IGBT, 15 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
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78.39
STMicroelectronics STGWT40H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
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10.08
STMicroelectronics ACS120-7SB-TR 三端双向可控硅开关元件, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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14.97
STMicroelectronics BDW94C PNP 达林顿晶体管对, 12 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220封装
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4.17
STMicroelectronics整流桥, 1.5A峰值平均正向电流, 通孔安装, 200V峰值反向重复电压, 2引脚, DO-41封装, 最高工作温度 175 °C
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135.21
STMicroelectronics STGW80H65DFB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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23.28
STMicroelectronics BDW93CFP NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220FP封装
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29.13
STMicroelectronics STGF10H60DF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
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40.20
STMicroelectronics T2535-800G-TR 三端双向可控硅开关元件, 25A额定, 800V峰值, 35mA 1.3V触发, 3引脚
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4.23
STMicroelectronics BD681 NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 SOT-32封装
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103.83
STMicroelectronics STGWT20V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
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66.69
STMicroelectronics STGW30V60F N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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产品型号
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
封装类型
安装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
原产地
额定电流
栅极触发电流
反向电压
电流额定值
栅极触发电压
阻断电压
保持电流
尺寸
最大发射极基极电压
最低工作温度
最高工作温度
预计寿命
RoHS达标情况
峰值平均正向电流
峰值反向重复电压
二极管技术
配置
峰值非重复正向浪涌电流
峰值正向电压
峰值反向电流
¥
18.87
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型号
ULQ2804A
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18.87
STMicroelectronics ULQ2804A NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, 18引脚 PDIP封装
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ULQ2804A
0.5 A
PDIP
通孔
18
共发射极
24.8 mm
7.1 mm
5.1 mm
-
24.8 x 7.1 x 5.1 mm
8
-40 °C
105 °C
-
-
¥
12.60
另提供行业标准包装
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型号
T835-600G
¥
12.60
STMicroelectronics T835-600G 三端双向可控硅开关元件, 8A额定, 600V峰值, 35mA 1.3V触发, 3引脚
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T835-600G
TO-220AB
通孔
3
10.3mm
4.7mm
9.4mm
-
8A
70mA
800V
71A
1.5V
800V
20mA
10.3 x 4.7 x 9.4mm
¥
6.60
另提供行业标准包装
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型号
BDW94C
¥
6.60
STMicroelectronics BDW94C PNP 达林顿晶体管对, 12 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220封装
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BDW94C
12 A
TO-220
通孔
3
单
10.4 mm
4.6 mm
9.15 mm
-
10.4 x 4.6 x 9.15 mm
1
-65 °C
150 °C
-
-
¥
20.43
另提供行业标准包装
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型号
STGF6NC60HD
¥
20.43
STMicroelectronics STGF6NC60HD N沟道 IGBT, 6 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
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STGF6NC60HD
6 A
±20V
-
20 W
TO-220FP
通孔
N
3
1MHz
单
10.4mm
4.6mm
16.4mm
-
¥
15.18
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型号
BTB08-600TWRG
¥
15.18
STMicroelectronics BTB08-600TWRG 三端双向可控硅开关元件, 8A额定, 600V峰值, 5mA 1.3V触发, 3引脚
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BTB08-600TWRG
TO-220AB
通孔
3
10.3mm
4.7mm
16mm
-
20A
25mA
800V
170A
1V
800V
45mA
10.3 x 4.7 x 16mm
¥
11.85
另提供行业标准包装
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型号
TIP102
¥
11.85
STMicroelectronics TIP102 NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 TO-220封装
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TIP102
8 A
TO-220
通孔
3
单
10.4 mm
4.6 mm
9.15 mm
-
10.4 x 4.6 x 9.15 mm
1
-65 °C
150 °C
-
-
¥
83.10
另提供行业标准包装
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型号
BTA41-800BRG
¥
83.10
STMicroelectronics BTA41-800BRG 三端双向可控硅开关元件, 40A额定, 800V峰值, 100mA 1.3V触发, 3引脚
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BTA41-800BRG
TO-220AB
通孔
3
10.3mm
4.7mm
9.4mm
-
8A
70mA
800V
71A
1.5V
800V
20mA
10.3 x 4.7 x 9.4mm
¥
25.71
另提供行业标准包装
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型号
TIP142T
¥
25.71
STMicroelectronics TIP142T NPN 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=500, 3引脚 TO-220封装
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TIP142T
10 A
TO-220
通孔
3
单
10.4 mm
4.6 mm
9.15 mm
-
10.4 x 4.6 x 9.15 mm
1
-65 °C
150 °C
-
-
¥
24.00
另提供行业标准包装
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型号
STGP6NC60HD
¥
24.00
STMicroelectronics STGP6NC60HD N沟道 IGBT, 15 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
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暂时缺货
STGP6NC60HD
15 A
±20V
-
-
TO-220
通孔
N
3
-
单
10.4mm
4.6mm
9.15mm
-
¥
78.39
另提供行业标准包装
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型号
STGWT40H65DFB
¥
78.39
STMicroelectronics STGWT40H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
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STGWT40H65DFB
80 A
±20V
-
283 W
TO-3P
通孔
N
3
-
单
15.8mm
5mm
20.1mm
-
¥
10.08
另提供行业标准包装
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型号
ACS120-7SB-TR
¥
10.08
STMicroelectronics ACS120-7SB-TR 三端双向可控硅开关元件, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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ACS120-7SB-TR
TO-220AB
通孔
3
10.3mm
4.7mm
16mm
-
20A
25mA
800V
170A
1V
800V
45mA
10.3 x 4.7 x 16mm
¥
14.97
另提供行业标准包装
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型号
BDW94C
¥
14.97
STMicroelectronics BDW94C PNP 达林顿晶体管对, 12 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220封装
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暂时缺货
BDW94C
12 A
TO-220
通孔
3
单
10.4 mm
4.6 mm
9.15 mm
-
10.4 x 4.6 x 9.15 mm
1
-65 °C
150 °C
-
-
¥
4.17
另提供行业标准包装
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型号
STTH1R02
¥
4.17
STMicroelectronics整流桥, 1.5A峰值平均正向电流, 通孔安装, 200V峰值反向重复电压, 2引脚, DO-41封装, 最高工作温度 175 °C
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STTH1R02
DO-41
通孔
2
5.2mm
2.71 (Dia.) x 5.2mm
175 °C
1.5A
200V
硅结型
单
60A
1V
20µA
¥
135.21
另提供行业标准包装
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型号
STGW80H65DFB
¥
135.21
STMicroelectronics STGW80H65DFB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW80H65DFB
120 A
±20V
-
469 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
15.75mm
5.15mm
20.15mm
-
¥
23.28
另提供行业标准包装
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型号
BDW93CFP
¥
23.28
STMicroelectronics BDW93CFP NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220FP封装
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BDW93CFP
15 A
33 W
TO-220FP
通孔
3
单
10.4 mm
4.6 mm
16.4 mm
-
10.4 x 4.6 x 16.4 mm
1
-65 °C
150 °C
-
-
¥
29.13
另提供行业标准包装
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型号
STGF10H60DF
¥
29.13
STMicroelectronics STGF10H60DF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
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STGF10H60DF
20 A
±20V
-
30 W
TO-220FP
通孔
N
3
1MHz
单
10.4mm
4.6mm
16.4mm
-
¥
40.20
另提供行业标准包装
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型号
T2535-800G-TR
¥
40.20
STMicroelectronics T2535-800G-TR 三端双向可控硅开关元件, 25A额定, 800V峰值, 35mA 1.3V触发, 3引脚
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T2535-800G-TR
TO-220AB
通孔
3
10.3mm
4.7mm
9.4mm
-
8A
70mA
800V
71A
1.5V
800V
20mA
10.3 x 4.7 x 9.4mm
¥
4.23
另提供行业标准包装
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型号
BD681
¥
4.23
STMicroelectronics BD681 NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 SOT-32封装
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BD681
4 A
SOT-32
通孔
3
单
7.8 mm
2.7 mm
10.8 mm
-
7.8 x 2.7 x 10.8 mm
1
-65 °C
150 °C
-
-
¥
103.83
另提供行业标准包装
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型号
STGWT20V60F
¥
103.83
STMicroelectronics STGWT20V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
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STGWT20V60F
40 A
±20V
-
167 W
TO-3P
通孔
N
3
-
单
15.8mm
5mm
20.1mm
-
¥
66.69
另提供行业标准包装
立即购买
型号
STGW30V60F
¥
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STMicroelectronics STGW30V60F N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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STGW30V60F
30 A
±20V
-
260 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
15.75mm
5.15mm
20.15mm
-
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