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1.29
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 150MW EMT3
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TVS Microsemi 二极管 DIODE 85VWM 137VC DO214AB
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0.75
Sensitron 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 20V 500MW DO35
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8.28
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO
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9.12
Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE,LXHF(CT 2 个 NPN 预偏压式(双) SOT-563,SOT-666
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3.84
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
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220.20
DIODE MACOM 二极管-齐纳-单 ZENER 43V 500MW DO35
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3.75
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
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1640.76
赛米控 三相整流桥模块, 70A峰值平均正向电流, PCB(印刷电路板)安装, 800V峰值反向重复电压, 7引脚, SEMITOP2封装, 最高工作温度 150 °C
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1.80
Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE(TE85L,F) 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) SOT-553
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4.68
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS PNP 50V VMT3
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88.62
DGTL NVE 数字隔离器 ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP
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1268.13
DIODE GeneSiC 整流器阵列 GEN 1KV 200A 3 TOWER
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1.50
Sensitron TVS 二极管 DIODE 13VWM 21.5VC SMB
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2.19
ROHM Semiconductor 晶体管 双极 阵列 预偏置 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
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18.12
Vishay 单相整流桥, 2A峰值平均正向电流, 通孔安装, 200V峰值反向重复电压, 4引脚, WOG封装, 最高工作温度 150 °C
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37.26
Vishay 单相整流桥, 4A峰值平均正向电流, 通孔安装, 800V峰值反向重复电压, 4引脚, KBL封装, 最高工作温度 150 °C
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1.98
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS PNP 200MW SST3
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25.26
OPTOISOLATOR Fairchild 光隔离器 4.17KV TRIAC 6SMD
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容差
最大功率
反向漏电流
正向电压
工作温度
安装类型
原产地
二极管配置
二极管类型
电压-DC反向(Vr)(最大值)
电流-平均整流(Io) (每二极管)
不同If时的电压-正向 (Vf)
速度
工作温度-结
系列
技术
类型
隔离式电源
通道数
输入 - 输入侧 1/输入侧 2
通道类型
电压 - 隔离
共模瞬态抗扰度(最小值)
传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)
脉宽失真(最大)
上升/下降时间(典型值)
电压 - 电源
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
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输出类型
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连接时间
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产品认证
封装类型
FET 类型
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最大输入电容
产品系列
产品类型
典型反向关态电压
最大箝位电压
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
电源线路保护
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峰值平均正向电流
电桥类型
峰值反向重复电压
引脚数目
二极管技术
配置
峰值非重复正向浪涌电流
最高工作温度
最低工作温度
峰值正向电压
峰值反向电流
尺寸
长度
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0.90
另提供行业标准包装
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型号
PUMD2,165
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0.90
Nexperia USA Inc. PUMD2,165 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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PUMD2,165
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
22 千欧
22 千欧
1µA
-
300mW
6-TSSOP
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
卷带(TR)
¥
1.29
另提供行业标准包装
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型号
DTC124EETL
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1.29
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 150MW EMT3
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DTC124EETL
NPN - 预偏压
50V
56 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
150mW
EMT3
SC-75,SOT-416
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
71.64
另提供行业标准包装
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71.64
TVS Microsemi 二极管 DIODE 85VWM 137VC DO214AB
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0.75
另提供行业标准包装
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型号
1N5250BTA
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0.75
Sensitron 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 20V 500MW DO35
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±5%
100nA @ 14.3V
1.1V @ 200mA
200°C
通孔
-
-
1N5250BTA
DO-35
DO-204AH,DO-35,轴向
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥
8.28
另提供行业标准包装
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型号
DMN4027SSD-13
¥
8.28
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO
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1.8W
表面贴装
-
-
DMN4027SSD-13
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
40V
5.4A
27 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
12.9nC @ 10V
604pF @ 20V
¥
9.12
另提供行业标准包装
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型号
RN1901FE,LXHF(CT
¥
9.12
Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE,LXHF(CT 2 个 NPN 预偏压式(双) SOT-563,SOT-666
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Automotive, AEC-Q101
RN1901FE,LXHF(CT
2 个 NPN 预偏压式(双)
4.7 千欧
4.7 千欧
500nA
250MHz
100mW
ES6
SOT-563,SOT-666
卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
¥
3.84
另提供行业标准包装
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型号
DTA043TEBTL
¥
3.84
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
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DTA043TEBTL
PNP - 预偏压
50V
100 @ 5mA,10V
150mV @ 500µA,5mA
500nA(ICBO)
250MHz
150mW
EMT3F(SOT-416FL)
SC-89,SOT-490
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
220.20
另提供行业标准包装
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型号
JANTX1N4124-1
¥
220.20
DIODE MACOM 二极管-齐纳-单 ZENER 43V 500MW DO35
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新品
精品
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±5%
500mW
1.1V @ 200mA
-65°C ~ 175°C
通孔
-
JANTX1N4124-1
DO-35(DO-204AH)
DO-204AH,DO-35,轴向
散装
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
3.75
另提供行业标准包装
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型号
DMN61D8LVTQ-13
¥
3.75
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
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820mW
表面贴装
-
-
DMN61D8LVTQ-13
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
60V
630mA
1.8 欧姆 @ 150mA,5V
2V @ 1mA
0.74nC @ 5V
12.9pF @ 12V
¥
1640.76
另提供行业标准包装
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型号
SK 70 D 08
¥
1640.76
赛米控 三相整流桥模块, 70A峰值平均正向电流, PCB(印刷电路板)安装, 800V峰值反向重复电压, 7引脚, SEMITOP2封装, 最高工作温度 150 °C
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PCB(印刷电路板)安装
SK 70 D 08
SEMITOP2
70A
三相
800V
7
单
370A
150 °C
-40°C
1.25V
4mA
40.5 x 28 x 15.43mm
40.5mm
¥
1.80
另提供行业标准包装
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型号
RN2706JE(TE85L,F)
¥
1.80
Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE(TE85L,F) 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) SOT-553
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-
RN2706JE(TE85L,F)
2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器)
47 千欧
4.7 千欧
100nA(ICBO)
200MHz
100mW
ESV
SOT-553
卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
¥
4.68
另提供行业标准包装
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型号
DTA023EMT2L
¥
4.68
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS PNP 50V VMT3
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DTA023EMT2L
PNP - 预偏压
50V
20 @ 20mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
-
250MHz
150mW
VMT3
SOT-723
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
88.62
另提供行业标准包装
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型号
IL710T-1E
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88.62
DGTL NVE 数字隔离器 ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP
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-40°C ~ 125°C
-
IsoLoop
GMR(大型磁阻传感)
通用
无
1
1/0
单向
2500Vrms
30kV/µs
15ns,15ns
3ns
1ns,1ns
3 V ~ 5.5 V
IL710T-1E
8-MSOP
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
1268.13
另提供行业标准包装
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型号
MSRTA200100(A)D
¥
1268.13
DIODE GeneSiC 整流器阵列 GEN 1KV 200A 3 TOWER
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底座安装
-
1 对串联
标准
1000V(1kV)
200A
1.1V @ 200A
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
-55°C ~ 150°C
-
MSRTA200100(A)D
三塔
三塔
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
1.50
另提供行业标准包装
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型号
SMBJ13ATR
¥
1.50
Sensitron TVS 二极管 DIODE 13VWM 21.5VC SMB
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-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
-
SMBJ13ATR
SMB(DO-214AA)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
DO-214AA,SMB
-
齐纳
13V
21.5V
27.9A
600W
无
通用
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¥
2.19
另提供行业标准包装
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型号
IMH9AT110
¥
2.19
ROHM Semiconductor 晶体管 双极 阵列 预偏置 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
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IMH9AT110
2 个 NPN 预偏压式(双)
68 @ 5mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
500nA
250MHz
300mW
SMT6
SC-74,SOT-457
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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18.12
另提供行业标准包装
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型号
2W02G-E4/51
¥
18.12
Vishay 单相整流桥, 2A峰值平均正向电流, 通孔安装, 200V峰值反向重复电压, 4引脚, WOG封装, 最高工作温度 150 °C
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通孔
2W02G-E4/51
WOG
2A
单相
200V
4
单
60A
150 °C
-55 °C
1.1V
5µA
9.86 x 8.84 x 5.6mm
9.86mm
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37.26
另提供行业标准包装
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型号
KBL08-E4/51
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37.26
Vishay 单相整流桥, 4A峰值平均正向电流, 通孔安装, 800V峰值反向重复电压, 4引脚, KBL封装, 最高工作温度 150 °C
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通孔
KBL08-E4/51
KBL
4A
单相
800V
4
硅结型
单
200A
150 °C
-50 °C
1.1V
1mA
19.5 x 6.5 x 16.3mm
19.5mm
¥
1.98
另提供行业标准包装
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型号
DTA114ECAT116
¥
1.98
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS PNP 200MW SST3
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DTA114ECAT116
PNP - 预偏压
50V
30 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
200mW
SST3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
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另提供行业标准包装
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型号
MOC3041SM
¥
25.26
OPTOISOLATOR Fairchild 光隔离器 4.17KV TRIAC 6SMD
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-40°C ~ 85°C
表面贴装
-
-
1
MOC3041SM
6-SMD
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
Triac
是
4170Vrms
400V
1kV/µs
15mA
-
400µA(标准)
-
60mA
UL
6-SMD,鸥翼型
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