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电压 - 隔离
电流传输比（最小值）
电流传输比（最大值）
打开 / 关闭时间（典型值）
上升/下降时间（典型值）
输入类型
输出类型
电压 - 输出（最大值）
电流 - 输出/通道
电压 - 正向（Vf）（典型值）
电流 - DC 正向（If）
Vce 饱和值（最大值）
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
原产地
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
工作温度
配置
最大功率
额定电流
封装类型
栅极触发电流
反向电压
电流额定值
引脚数目
栅极触发电压
阻断电压
保持电流
尺寸
长度
宽度
高度
产品认证
每片芯片元件数目
最大连续集电极电流
典型输入电阻器
最小直流电流增益
晶体管配置
典型电阻比
最高工作温度
最低工作温度
最大功率耗散
最大发射极基极电压
预计寿命
RoHS达标情况
最大集电极发射极电压
最大栅极发射极电压
通道类型
¥5.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 1.2A 6UDFN
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NTLUF4189NZTAG
6-UDFN（1.6x1.6）
6-UFDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2A（Ta）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
3nC @ 4.5V
95pF @ 15V
500mW（Ta）
200 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
-
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
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MUN5331DW1T1G
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
8 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
250mW
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
¥16.02
NXP BT138-600E,127 三端双向可控硅开关元件, 12A额定, 600V峰值, 25mA 1.5V触发, 3引脚 TO-220AB封装
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BT138-600E,127
通孔
-
20A
TO-220AB
25mA
800V
170A
3
1V
800V
45mA
10.3 x 4.7 x 16mm
10.3mm
4.7mm
16mm
¥0.93
新产品Nexperia PUMH1,115 双 NPN 带电阻器的晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SOT封装
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新品 自营
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PUMH1,115
NPN
表面贴装
-
SOT
6
2.2 x 1.35 x 1.1mm
2.2mm
1.35mm
1.1mm
2
100 mA
22 kΩ
60
1
150 °C
-65 °C
200（每个晶体管）mW，300（每个设备）mW
¥7.44
NPN 500MA/50V DIGITAL TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置ISTOR
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DTD114ECT116
NPN - 预偏压
50V
56 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥2.28
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
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SMUN5237DW1T1G
2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
187mW
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
-
¥1.20
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23
京电港自营
自营
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SBC846ALT1G
NPN
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
-
表面贴装
-
100mA
65V
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
110 @ 2mA，5V
300mW
100MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥1.59
ON Semiconductor MUN5214DW1T1G 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚
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新品 自营
收藏 暂时缺货
MUN5214DW1T1G
NPN
表面贴装
-
SOT-363 (SC-88)
6
2.2 x 1.35 x 1mm
2.2mm
1.35mm
1mm
2
100 mA
10 kΩ
80
隔离式
0.21
150 °C
-55 °C
256 mW
¥13.74
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 200V 0.5A TO225AA
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自营
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MJE344G
NPN
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
通孔
-
500mA
200V
1V @ 5mA，50mA
1mA
30 @ 50mA，10V
20W
15MHz
-65°C ~ 150°C（TJ）
¥8.49
Texas Instruments ULN2004AD NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, 16引脚 SOIC封装
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新品 自营
收藏 暂时缺货
ULN2004AD
表面贴装
-
SOIC
16
9.9 x 3.91 x 1.58 mm
9.9 mm
3.91 mm
1.58 mm
0.5 A
共发射极
70 °C
-20 °C
7
-
-
¥0.96
ON Semiconductor MMBTA64 PNP 达林顿晶体管对, -1.2 A, Vce=30 V, HFE=20000, 3引脚 SOT-23封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
MMBTA64
表面贴装
-
SOT-23
3
2.92 x 1.3 x 0.93 mm
2.92 mm
1.3 mm
0.93 mm
-1.2 A
单
150 °C
-55 °C
350 mW
1
-
-
¥76.86
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 160V 16A TO247
京电港自营
自营
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MJE4343G
NPN
TO-247
TO-247-3
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
通孔
-
16A
160V
3.5V @ 2A，16A
750µA
15 @ 8A，2V
125W
1MHz
-65°C ~ 150°C（TJ）
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
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BC857CDW1T1
2 PNP（双）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
-
100mA
45V
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
380mW
100MHz
¥18.03
STMicroelectronics BDX33C NPN 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
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新品 自营
收藏 暂时缺货
BDX33C
通孔
-
TO-220
3
10.4 x 4.6 x 9.15 mm
10.4 mm
4.6 mm
9.15 mm
10 A
单
150 °C
-65 °C
1
-
-
¥491.73
HY Electronic Corp HYG15P120A1K1 IGBT 模块, 3 相桥接, 20 A, Vce=1200 V, 22引脚
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新品 自营
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HYG15P120A1K1
-
-
通孔
-
3 相
156 W
22
62.8 x 34 x 12 mm
62.8 mm
34 mm
12mm
-
20 A
3 相
125 °C
-40 °C
-
1200 V
±20V
N
¥13.74
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 1.5A TO-252AA
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BD138G
PNP
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
-
通孔
-
1.5A
60V
500mV @ 50mA，500mA
100nA（ICBO）
40 @ 150mA，2V
1.25W
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥15.33
Toshiba 光隔离器 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP
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2500Vrms
20% @ 10mA
-
-
2µs，200µs
DC
有基极的晶体管
30V
100mA
1.15V
80mA
500mV
4N25A(SHORT,F)
6-DIP
6-DIP（0.300"，7.62mm）
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
通孔
-
-55°C ~ 100°C
¥20.73
STMicroelectronics ULQ2803A NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, HFE=1000 @ 350 mA @ 2 V, 18引脚 PDIP封装
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ULQ2803A
通孔
-
PDIP
18
23.24 x 7.1 x 3.67 mm
23.24 mm
7.1 mm
3.67 mm
500 mA
共发射极
85 °C
-40 °C
2.25 W
8
-
-
¥1708.08
Semikron SKM150GAL12T4 IGBT 模块, 232 A, Vce=1200 V, 5引脚 SEMITRANS2封装
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收藏 暂时缺货
SKM150GAL12T4
-
-
面板安装
-
单
SEMITRANS2
5
94 x 34 x 30.1 mm
94 mm
34 mm
30.1mm
-
232 A
单
175 °C
-40 °C
-
1200 V
±20V
N
¥22.53
Toshiba 光隔离器 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
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5000Vrms
200% @ 1mA
1200% @ 1mA
10µs，8µs
8µs，8µs
DC
有基极的晶体管
55V
50mA
1.15V
50mA
400mV
TLP331(BV,F)
6-DIP
6-DIP（0.300"，7.62mm）
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
通孔
-
-55°C ~ 100°C

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