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安装类型
针数目
封装类型
应用
尺寸
高度
长度
宽度
发射器半强度角
最大数据传输率
原产地
4
410nm
-
4400 mW @ 700 mAmW
140 °
圆顶
InGaN
-
VLMU5200-405-140
表面安装
9
-
3.1mm
5.2mm
5.2mm
-
4
390nm
-
4400 mW @ 700 mAmW
140 °
圆顶
InGaN
-
VLMU5200-385-140
表面安装
9
-
3.1mm
5.2mm
5.2mm
-
1
370nm
-
50 mW @ 60 mAmW
135 °
正方形
InGaN
-
VLMU1610-365-135
表面安装
2
-
1.38mm
1.6mm
1.6mm
-
1
400nm
-
1250 mW @ 700 mAmW
60 °
圆顶
InGaN
-
VLMU3500-395-060
表面安装
3
-
2.9mm
3.5mm
3.5mm
-
1
410nm
-
1250 mW @ 700 mAmW
120 °
圆顶
InGaN
-
VLMU3500-405-120
表面安装
3
-
2mm
3.5mm
3.5mm
-
1
410nm
-
1250 mW @ 700 mAmW
60 °
圆顶
InGaN
-
VLMU3500-405-060
表面安装
3
-
2.9mm
3.5mm
3.5mm
-
1
390nm
-
1250 mW @ 700 mAmW
120 °
圆顶
InGaN
-
VLMU3500-385-120
表面安装
3
-
2mm
3.5mm
3.5mm
-
4
410nm
-
4400 mW @ 700 mAmW
140 °
圆顶
InGaN
-
VLMU5200-405-140
表面安装
9
-
3.1mm
5.2mm
5.2mm
-
1
370nm
-
50 mW @ 60 mAmW
135 °
正方形
InGaN
-
VLMU1610-365-135
表面安装
2
-
1.38mm
1.6mm
1.6mm
-
1
400nm
-
1250 mW @ 700 mAmW
60 °
圆顶
InGaN
-
VLMU3500-395-060
表面安装
3
-
2.9mm
3.5mm
3.5mm
-
1
390nm
-
1250 mW @ 700 mAmW
120 °
圆顶
InGaN
-
VLMU3500-385-120
表面安装
3
-
2mm
3.5mm
3.5mm
-
1
410 nm
-
6.8mW
±60°
圆形
InGaN
-
VLMU3100-GS08
表面安装
2
PLCC 2
1.9mm
3.2mm
2.8mm
-
TFDU4101-TT3
1m
900nm
-
115.2kbit/s
表面安装
8
超小型
-
9.7 x 4.7 x 4mm
4.7mm
9.9mm
4.2mm
-
-
-
TFDU4101-TR3
1m
900nm
-
115.2kbit/s
表面安装
8
超小型
-
9.7 x 4.7 x 4mm
4.7mm
9.9mm
4.2mm
-
-
-
TFDU2201-TR1
-
-
-
-
-
8
超小型
-
7.3 x 4.55 x 2.75mm
4.55mm
7.3mm
2.9mm
-
-
-
TFDU4101-TR3
1m
900nm
-
115.2kbit/s
表面安装
8
超小型
-
9.7 x 4.7 x 4mm
4.7mm
9.9mm
4.2mm
-
-
-
TFBS4650-TR1
-
-
-
-
表面安装
7
-
-
6.8 x 1.6 x 2.8mm
2.8mm
6.8mm
1.6mm
-
-
-
TFBS6711-TR1
6.5m
900nm
-
500kbit/s
表面安装
6
-
通用远程控制
6 x 3 x 1.9mm
1.9mm
6mm
3mm
±24 °
4 Mbit/s
-
TFBS4711-TT1
8m
900nm
-
115.2kbit/s
表面安装
6
SMD
-
6 x 3.1 x 1.9mm
3mm
6mm
1.9mm
-
-
-
TFBS4650-TR1
-
-
-
-
表面安装
7
-
-
6.8 x 1.6 x 2.8mm
2.8mm
6.8mm
1.6mm
-
-
-
对比栏

1

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2

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3

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4

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