|
|
IS42S32800D-7TL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
256Mb （8M x 32） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
86-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
IS42S86400F-7TLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
512Mb （64M x 8） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
54-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS25LQ025B-JNLE |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
256Kb （32K x 8） |
800µs |
- |
SPI |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 105°C（TA） |
表面贴装 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
8-SOIC |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
IS43TR81280BL-125JBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR3L |
1Gb （128M x 8） |
15ns |
20ns |
并联 |
1.283 V ~ 1.45 V |
0°C ~ 95°C（TA） |
表面贴装 |
78-TFBGA |
78-TWBGA（8x10.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS61LP6432A-133TQLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 同步 |
2Mb （64K x 32） |
- |
4ns |
并联 |
3.135 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
100-LQFP |
100-TQFP（14x20） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS25LQ040B-JKLE |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
4Mb （512K x 8） |
800µs |
- |
SPI |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 105°C（TA） |
表面贴装 |
8-WDFN 裸露焊盘 |
8-WSON（6x5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
IS42S32800J-7TL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
256Mb （8M x 32） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
86-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
7 周 |
|
|
IS62LV256AL-45ULI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
256Kb （32K x 8） |
45ns |
45ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） |
28-SOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
IS42S16320D-7TL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
512Mb （32M x 16） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
54-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS61WV20488BLL-10TLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
16Mb （2M x 8） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS25LQ016B-JBLE |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
16Mb （2M x 8） |
1ms |
- |
SPI |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 105°C（TA） |
表面贴装 |
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
8-SOIC |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
IS66WVE4M16EBLL-55BLI |
- |
易失 |
PSRAM |
PSRAM（伪 SRAM） |
64Mb （4M x 16） |
55ns |
55ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
IS43DR16640B-25DBLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
1Gb （64M x 16） |
15ns |
400ps |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
84-TFBGA |
84-WBGA（8x12.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
IS42S16320F-7BLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
512Mb （32M x 16） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
54-TFBGA |
54-TWBGA（13x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
7 周 |
|
|
IS61WV25616BLL-10BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb （256K x 16） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-迷你型BGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS62WV51216EBLL-45TLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
8Mb （512K x 16） |
45ns |
45ns |
并联 |
2.2 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
IS61LV25616AL-10TL-TR |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb （256K x 16） |
10ns |
10ns |
并联 |
3.135 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS43DR86400E-3DBLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
512Mb （64M x 8） |
15ns |
450ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
60-TFBGA |
60-TWBGA（10.5x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
IS25LP016D-JNLE |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
16Mb （2M x 8） |
800µs |
- |
SPI - 四 I/O |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 105°C（TA） |
表面贴装 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
8-SOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
IS61WV51216EDBLL-10BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
8Mb （512K x 16） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
