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N25Q128A13ESE40G |
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表面贴装 |
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- |
- |
- |
128Mbit |
SPI |
SOIC W |
8 |
4M x 32 位 |
NOR |
2.7 V |
3.6 V |
对称 |
4M |
5ns |
32Bit |
5.49 x 5.49 x 1.91mm |
5.49mm |
-40 °C |
85 °C |
5.49mm |
1.91mm |
- |
- |
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JS28F256M29EWLA |
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表面贴装 |
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- |
- |
- |
256Mbit |
并行 |
TSOP |
56 |
16M x 16 位，32M x 8 位 |
NOR |
2.7 V |
3.6 V |
对称 |
16M, 32M |
110ns |
8/16Bit |
18.4 x 14 x 1mm |
14mm |
-40 °C |
85 °C |
18.4mm |
1mm |
- |
- |
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M29W256GSH70ZS6F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
256Mb （32M x 8，16M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
64-LBGA |
64-FBGA（11x13） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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JR28F064M29EWTA |
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表面贴装 |
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- |
- |
- |
64Mbit |
并行 |
TSOP |
48 |
4M x 16 位，8M x 8 位 |
NOR |
2.7 V |
3.6 V |
对称 |
4M, 8M |
70ns |
8/16Bit |
18.4 x 12 x 1mm |
12mm |
-40 °C |
85 °C |
18.4mm |
1mm |
- |
- |
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MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
1Gb （128M x 8） |
- |
- |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
48-TSOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
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MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
1Gb （128M x 8） |
- |
- |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
63-VFBGA |
63-VFBGA（9x11） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
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MT29F2G16ABAEAWP:E |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
2Gb （128M x 16） |
- |
- |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
48-TSOP I |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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MT29F4G16ABADAWP:D TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
4Gb （256M x 16） |
- |
- |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
48-TSOP I |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
3 周 |
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MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
2Gb （2G x 1） |
- |
- |
SPI |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-UDFN |
8-U-PDFN（8x6） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
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JS28F256M29EWHA |
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表面贴装 |
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- |
- |
- |
256Mbit |
并行 |
TSOP |
56 |
16M x 16 位，32M x 8 位 |
NOR |
2.7 V |
3.6 V |
对称 |
16M, 32M |
110ns |
8/16Bit |
18.4 x 14 x 1mm |
14mm |
-40 °C |
85 °C |
18.4mm |
1mm |
- |
- |
|
|
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
2Gb （256M x 8） |
- |
- |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
48-TSOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
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MT29F2G08ABBEAHC:E TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
2Gb （256M x 8） |
- |
- |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
63-VFBGA |
63-VFBGA（10.5x13） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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MT29F2G08ABAEAH4:E TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
2Gb （256M x 8） |
- |
- |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
63-VFBGA |
63-VFBGA（9x11） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
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|
M29W256GL70N6E |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
256Mb （32M x 8，16M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
56-TSOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
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|
M29W256GH70N6E |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
256Mb （32M x 8，16M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
56-TSOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
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|
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
4Gb （512M x 8） |
- |
- |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
63-VFBGA |
63-VFBGA |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
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|
|
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
4Gb （512M x 8） |
- |
- |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
63-VFBGA |
63-VFBGA |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
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|
MT41K128M8DA-107:J |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR3L |
1Gb （128M x 8） |
- |
20ns |
并联 |
1.283 V ~ 1.45 V |
0°C ~ 95°C（TC） |
表面贴装 |
78-TFBGA |
78-FBGA（8x10.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
1Gb （1G x 1） |
- |
- |
SPI |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 105°C（TA） |
表面贴装 |
24-TBGA |
24-TBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
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MT48LC16M16A2P-6A:G |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
256Mb （16M x 16） |
12ns |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
54-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
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