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52.89
Infineon IKW08T120 N沟道 IGBT, 16 A, Vce=1200 V, 20kHz, 3引脚 TO-247封装
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105.60
Infineon IKW25N120H3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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109.38
Infineon IRG4PH50SPBF N沟道 IGBT, 57 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
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294.72
Infineon AUIRGPS4067D1 N沟道 IGBT, 240 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 Super-247封装
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109.44
Infineon IRG4PC50WPBF N沟道 IGBT, 55 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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74.28
Infineon IRG7PK35UD1PBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1400 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装
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2415.03
Infineon FS75R12KE3G IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=1200 V, 35引脚 ECONO3封装
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108.75
Infineon IRGP35B60PDPBF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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73.65
Infineon IHW25N120R2 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 60kHz, 3引脚 TO-247封装
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299.28
Infineon IRGPS46160DPBF N沟道 IGBT, 240 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 Super-247封装
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2.46
新产品Infineon BCV 49 H6327 NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=60 V, HFE=2000, 3引脚 SOT-89封装
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1871.88
Infineon FF200R12KT3_E IGBT 模块, 串行, 295 A, Vce=1200 V, 7引脚 62MM 模块封装
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86.16
Infineon IRG4PC40FDPBF N沟道 IGBT, 49 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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110.10
Infineon IRG7PH35UD-EP N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装
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2.55
Infineon BCR112 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
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1050.86
Infineon FS100R12KT4G IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=1200 V AG-ECONO3-4封装
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359.70
Infineon FS10R06VE3_B2 IGBT 模块, 共集电极, 16 A, Vce=600 V, 15引脚 EASY750封装
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47.55
Infineon IRGS4630DPBF N沟道 IGBT, 47 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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107.61
Infineon IHW30N160R2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1600 V, 3引脚 TO-247封装
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258.57
Infineon IRG4PSH71KDPBF N沟道 IGBT, 78 A, Vce=1200 V, 8 - 30kHz, 3引脚 TO-247AA封装
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2.01
新产品Infineon BSP 61 H6327 PNP 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=60 V, HFE=2000, 3 Tab引脚 SOT-223封装
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8703.45
Infineon FF1400R17IP4 IGBT 模块, 串行, 1.4 kA, Vce=1700 V AG-PRIME3-1封装
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34.89
Infineon IRG4RC10SDPBF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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90.12
Infineon IKW50N60T IGBT, 100 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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1.20
Infineon BCR 521 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
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939.51
Infineon FF75R12RT4 IGBT 模块, 串行, 75 A, Vce=1200 V, 7引脚 34MM 模块封装
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产品详情
配置
最大功率
达标情况
原厂标准交货期
产品型号
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
封装类型
安装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
原产地
产品认证
晶体管类型
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最小直流电流增益
典型电阻比
最高工作温度
最低工作温度
尺寸
最大发射极基极电压
预计寿命
RoHS达标情况
最大集电极发射极电压
¥
2415.03
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型号
FS75R12KE3G
¥
2415.03
Infineon FS75R12KE3G IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=1200 V, 35引脚 ECONO3封装
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3 相
355 W
-
-
FS75R12KE3G
100 A
±20V
ECONO3
PCB(印刷电路板)安装
N
35
1MHz
3 相
122 mm
62 mm
17mm
-
-
125 °C
-40 °C
122 x 62 x 17 mm
-
1200 V
¥
108.75
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型号
IRGP35B60PDPBF
¥
108.75
Infineon IRGP35B60PDPBF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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IRGP35B60PDPBF
60 A
±20V
-
-
TO-247AC
通孔
N
3
-
单
15.9mm
5.3mm
20.3mm
-
¥
73.65
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型号
IHW25N120R2
¥
73.65
Infineon IHW25N120R2 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 60kHz, 3引脚 TO-247封装
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IHW25N120R2
50 A
±20V
-
365 W
TO-247
通孔
N
3
60kHz
单
16.13mm
5.21mm
21.1mm
-
¥
299.28
另提供行业标准包装
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型号
IRGPS46160DPBF
¥
299.28
Infineon IRGPS46160DPBF N沟道 IGBT, 240 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 Super-247封装
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IRGPS46160DPBF
240 A
±20V
-
750 W
Super-247
通孔
N
3
8 → 30kHz
单
16.1mm
5.5mm
20.8mm
-
¥
2.46
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型号
BCV 49 H6327
¥
2.46
新产品Infineon BCV 49 H6327 NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=60 V, HFE=2000, 3引脚 SOT-89封装
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BCV 49 H6327
500 mA
1 W
SOT-89
表面贴装
3
单
4.5 mm
2.5 mm
1.5 mm
-
150 °C
4.5 x 2.5 x 1.5 mm
1
-
-
¥
1871.88
另提供行业标准包装
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型号
FF200R12KT3_E
¥
1871.88
Infineon FF200R12KT3_E IGBT 模块, 串行, 295 A, Vce=1200 V, 7引脚 62MM 模块封装
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串行
1.05 kW
-
-
FF200R12KT3_E
295 A
±20V
62MM 模块
面板安装
N
7
1MHz
串行
106.4 mm
61.4 mm
29mm
-
-
125 °C
-40 °C
106.4 x 61.4 x 29 mm
-
1200 V
¥
86.16
另提供行业标准包装
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型号
IRG4PC40FDPBF
¥
86.16
Infineon IRG4PC40FDPBF N沟道 IGBT, 49 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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暂时缺货
IRG4PC40FDPBF
49 A
±20V
-
-
TO-247AC
通孔
N
3
-
单
15.9mm
5.3mm
20.3mm
-
¥
110.10
另提供行业标准包装
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型号
IRG7PH35UD-EP
¥
110.10
Infineon IRG7PH35UD-EP N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装
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IRG7PH35UD-EP
50 A
±30V
-
180 W
TO-247AD
通孔
N
3
1MHz
单
15.87mm
5.31mm
20.7mm
-
¥
2.55
另提供行业标准包装
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型号
BCR112
¥
2.55
Infineon BCR112 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
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暂时缺货
BCR112
100 mA
SOT-23
表面贴装
3
单
2.9mm
1.3mm
1mm
-
NPN
1
4.7 kΩ
20
1
150 °C
-65 °C
2.9 x 1.3 x 1mm
¥
1050.86
另提供行业标准包装
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型号
FS100R12KT4G
¥
1050.86
Infineon FS100R12KT4G IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=1200 V AG-ECONO3-4封装
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暂时缺货
3 相
515 W
-
-
FS100R12KT4G
100 A
±20V
AG-ECONO3-4
面板安装
N
3 相
122 mm
62 mm
17mm
-
-
150 °C
-40 °C
122 x 62 x 17 mm
-
1200 V
¥
359.70
另提供行业标准包装
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型号
FS10R06VE3_B2
¥
359.70
Infineon FS10R06VE3_B2 IGBT 模块, 共集电极, 16 A, Vce=600 V, 15引脚 EASY750封装
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暂时缺货
3 相
50 W
-
-
FS10R06VE3_B2
16 A
±20V
EASY750
PCB(印刷电路板)安装
N
15
1MHz
3 相
32.4 mm
25.4 mm
12mm
-
-
150 °C
-40 °C
32.4 x 25.4 x 12 mm
-
600 V
¥
47.55
另提供行业标准包装
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型号
IRGS4630DPBF
¥
47.55
Infineon IRGS4630DPBF N沟道 IGBT, 47 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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暂时缺货
IRGS4630DPBF
47 A
±30V
-
206 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
-
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm
-
¥
107.61
另提供行业标准包装
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型号
IHW30N160R2
¥
107.61
Infineon IHW30N160R2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1600 V, 3引脚 TO-247封装
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IHW30N160R2
60 A
±20V
-
312 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
16.13mm
5.21mm
21.1mm
-
¥
258.57
另提供行业标准包装
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型号
IRG4PSH71KDPBF
¥
258.57
Infineon IRG4PSH71KDPBF N沟道 IGBT, 78 A, Vce=1200 V, 8 - 30kHz, 3引脚 TO-247AA封装
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IRG4PSH71KDPBF
78 A
±20V
-
350 W
TO-247AA
通孔
N
3
8 → 30kHz
单
16.1mm
5.3mm
20.8mm
-
¥
2.01
另提供行业标准包装
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型号
BSP 61 H6327
¥
2.01
新产品Infineon BSP 61 H6327 PNP 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=60 V, HFE=2000, 3 Tab引脚 SOT-223封装
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BSP 61 H6327
1 A
1.5 W
SOT-223
表面贴装
3 Tab
单
6.5 mm
3.5 mm
1.6 mm
-
150 °C
6.5 x 3.5 x 1.6 mm
1
-
-
¥
8703.45
另提供行业标准包装
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型号
FF1400R17IP4
¥
8703.45
Infineon FF1400R17IP4 IGBT 模块, 串行, 1.4 kA, Vce=1700 V AG-PRIME3-1封装
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串行
9.55 kW
-
-
FF1400R17IP4
1.4 kA
±20V
AG-PRIME3-1
面板安装
N
串行
250 mm
89 mm
38mm
-
-
150 °C
-40 °C
250 x 89 x 38 mm
-
1700 V
¥
34.89
另提供行业标准包装
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型号
IRG4RC10SDPBF
¥
34.89
Infineon IRG4RC10SDPBF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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IRG4RC10SDPBF
14 A
±20V
-
-
DPAK (TO-252)
表面贴装
N
3
-
单
6.73mm
6.22mm
2.39mm
-
¥
90.12
另提供行业标准包装
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型号
IKW50N60T
¥
90.12
Infineon IKW50N60T IGBT, 100 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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IKW50N60T
100 A
±20V
-
333 W
TO-247
通孔
-
3
-
单
16.03mm
21.1mm
5.16mm
-
¥
1.20
另提供行业标准包装
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型号
BCR 521
¥
1.20
Infineon BCR 521 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
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BCR 521
500 mA
330 mW
SOT-23
表面贴装
3
单
2.9mm
1.3mm
0.9mm
-
NPN
1
1 kΩ
20
1
150 °C
2.9 x 1.3 x 0.9mm
¥
939.51
另提供行业标准包装
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型号
FF75R12RT4
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Infineon FF75R12RT4 IGBT 模块, 串行, 75 A, Vce=1200 V, 7引脚 34MM 模块封装
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串行
395 W
-
-
FF75R12RT4
75 A
±20V
34MM 模块
面板安装
N
7
串行
94 mm
34 mm
30.2mm
-
-
150 °C
-40 °C
94 x 34 x 30.2 mm
-
1200 V
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