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STMicroelectronics STGW60V60F N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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STMicroelectronics STGWT20V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
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STMicroelectronics STGW80V60DF N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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STMicroelectronics STGW50HF60SD N沟道 IGBT, 110 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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STMicroelectronics STGWT30V60F N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
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STMicroelectronics STP03D200 NPN 达林顿晶体管对, 100 mA, Vce=1200 V, HFE=230 @ 20 mA @ 10 V, 3引脚 TO-220封装
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STMicroelectronics STGW30NC60KD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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STMicroelectronics STGW80H65DFB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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STMicroelectronics STGWT80H65DFB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
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STMicroelectronics STGW40H65FB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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STMicroelectronics STGW25S120DF3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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STMicroelectronics STGIPN3H60A 智能功率模块, 3 相, 3 A, Vce=600 V, 26引脚 NDIP封装
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STMicroelectronics STGW40H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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STMicroelectronics STGW40H60DLFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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STMicroelectronics STGIPN3H60 智能功率模块, 3 相, 3 A, Vce=600 V, 26引脚 NDIP封装
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STMicroelectronics STGWT80H65FB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
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STMicroelectronics STGW60V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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STMicroelectronics STGW60V60F N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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60 A
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1MHz
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15.75mm
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STMicroelectronics STGWT20V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
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STGWT20V60F
40 A
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TO-3P
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5mm
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STGW80V60DF
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STMicroelectronics STGW80V60DF N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW80V60DF
120 A
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TO-247
通孔
N
3
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15.75mm
5.15mm
20.15mm
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STMicroelectronics STGW50HF60SD N沟道 IGBT, 110 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW50HF60SD
110 A
±20V
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284 W
TO-247
通孔
N
3
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-
15.75mm
5.15mm
20.15mm
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STMicroelectronics STGWT30V60F N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
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STGWT30V60F
60 A
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260 W
TO-3P
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3
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单
15.8mm
5mm
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STP03D200
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STMicroelectronics STP03D200 NPN 达林顿晶体管对, 100 mA, Vce=1200 V, HFE=230 @ 20 mA @ 10 V, 3引脚 TO-220封装
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STP03D200
100 mA
40 W
TO-220
通孔
3
单
10.4 mm
4.6 mm
15.75 mm
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1
10.4 x 4.6 x 15.75 mm
150 °C
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-
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STGW30NC60KD
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STMicroelectronics STGW30NC60KD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW30NC60KD
60 A
±20V
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200 W
TO-247
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15.75mm
5.15mm
24.45mm
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STMicroelectronics STGW15S120DF3 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW15S120DF3
30 A
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259 W
TO-247
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15.75mm
5.15mm
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STMicroelectronics STGW80H65DFB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW80H65DFB
120 A
±20V
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469 W
TO-247
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3
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单
15.75mm
5.15mm
20.15mm
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STGWT80H65DFB
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STMicroelectronics STGWT80H65DFB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
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STGWT80H65DFB
120 A
±20V
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469 W
TO-3P
通孔
N
3
1MHz
单
15.8mm
5mm
20.1mm
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STMicroelectronics STGW40H65FB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW40H65FB
80 A
±20V
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15.75mm
5.15mm
20.15mm
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STMicroelectronics STGW25S120DF3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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50 A
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375 W
TO-247
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15.75mm
5.15mm
20.15mm
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STMicroelectronics STGIPN3H60A 智能功率模块, 3 相, 3 A, Vce=600 V, 26引脚 NDIP封装
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STGIPN3H60A
3 A
NDIP
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26
29.25 mm
12.55 mm
4.4mm
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29.25 x 12.55 x 4.4 mm
150 °C
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600 V
-40 °C
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STMicroelectronics STGW40H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW40H65DFB
80 A
±20V
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283 W
TO-247
通孔
N
3
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15.75mm
5.15mm
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STMicroelectronics STGW40H60DLFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW40H60DLFB
80 A
±20V
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283 W
TO-247
通孔
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3
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单
15.75mm
5.15mm
20.15mm
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STGIPN3H60
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STMicroelectronics STGIPN3H60 智能功率模块, 3 相, 3 A, Vce=600 V, 26引脚 NDIP封装
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8 W
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STGIPN3H60
3 A
NDIP
通孔
N
26
29.25 mm
12.55 mm
4.4mm
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29.25 x 12.55 x 4.4 mm
150 °C
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600 V
-40 °C
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STMicroelectronics STGWT80H65FB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
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STGWT80H65FB
120 A
±20V
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TO-3P
通孔
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3
1MHz
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5mm
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STMicroelectronics STGWA40S120DF3 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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80 A
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5.1mm
21.1mm
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STMicroelectronics STGW40S120DF3 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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80 A
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5.15mm
20.15mm
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