|
|
CY8C4244AZI-443 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
48MHz |
I²C，IrDA，LIN，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART |
欠压检测/复位，电容感应，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
36 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
48-TQFP（7x7） |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
CY8C4014FNI-421T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
12 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-XFBGA |
16-WLCSP（1.56x1.45） |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
CY8C3244LTI-130 |
8051 |
8-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，UART/USART |
电容感应，DMA，POR，PWM，WDT |
38 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
512 x 8 |
2K x 8 |
A/D 1x12b，D/A 1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN（8x8） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
S6E2G26JHAGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，智能卡，SPI，UART/USART，USB |
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
153 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
176-LQFP |
176-LQFP（24x24） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
S6E2H14G0AGB3000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
100 |
288KB（288K x 8） |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 24x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
121-TFBGA |
121-FBGA（6x6） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
26 周 |
|
|
CY8C4247LQI-BL463 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
48MHz |
I²C，IrDA，LIN，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART |
蓝牙，掉电检测/复位，电容感应，LCD，LVD，POR，PWM，智能卡，智能检测，WDT |
36 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
56-UFQFN 裸露焊盘 |
56-QFN（7x7） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
MB95F274KPF-G-SNE2 |
F²MC-8FX |
8-位 |
16MHz |
- |
LVD，POR，PWM，WDT |
5 |
20KB（20K x 8） |
闪存 |
- |
496 x 8 |
A/D 2x8/10b |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
8-SOP |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
CY8C4014LQS-422 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
20 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
24-UFQFN 裸露焊盘 |
24-QFN（4x4） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
17 周 |
|
|
CY8C5868LTI-LP039 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
38 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 1x20b，2x12b，D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN（8x8） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
CY8C4014LQI-422 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
20 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
24-UFQFN 裸露焊盘 |
24-QFN-EP（4x4） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
S6E2GH6H0AGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，SD，智能卡，SPI，UART/USART，USB |
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
121 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 24x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
144-LQFP |
144-LQFP（20x20） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
S6E2HE4E0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，SD，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
63 |
288KB（288K x 8） |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 16x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
80-LQFP |
80-LQFP（12x12） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C4125AXI-483 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
I²C，IrDA，LIN，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART |
欠压检测/复位，电容感应，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
36 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LQFP |
44-TQFP（10x10） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
CY8C24794-24LQXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART，USB |
POR，PWM，WDT |
50 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 2x14b；D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
56-UFQFN 裸露焊盘 |
56-QFN（7x7） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C3446PVI-076 |
8051 |
8-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
25 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x12b，D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽） |
48-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
CY8C20234-12SXIT |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C，SPI |
LVD，POR，WDT |
13 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
16-SOIC |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
S6E1A12C0AGF20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
37 |
88KB（88K x 8） |
闪存 |
- |
6K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
52-LQFP |
52-LQFP（10x10） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C21123-24SXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
6 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 8x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
8-SOIC |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
CY8C3246AXI-138 |
8051 |
8-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
62 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x12b，D/A 1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
100-TQFP（14x14） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
CY8C20424-12LQXIT |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C，SPI |
LVD，POR，WDT |
28 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
32-UFQFN 裸露焊盘 |
32-QFN（5x5） |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
