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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
产品型号
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晶体管类型
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
原产地
达标情况
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
京电港自营
自营
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MC1413BDR2
-
7 NPN 达林顿
500mA
50V
1.6V @ 500µA，350mA
-
1000 @ 350mA，2V
-
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
京电港自营
自营
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50V
47k
47k
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
DDA144EU-7
2 个 PNP 预偏压式（双）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 140V 0.5A SM8
京电港自营
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ZDT795ATC
-
2 PNP（双）
500mA
140V
250mV @ 50mA，500mA
100nA（ICBO）
300 @ 10mA，2V
2.75W
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
京电港自营
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NJX1675PDR2G
-
NPN，PNP
3A
30V
115mV @ 200mA，2A，170mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
180 @ 1A，2V
2W
100MHz，120MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 50V 2A SM8
京电港自营
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ZDT619TC
-
2 NPN（双）
2A
50V
200mV @ 50mA，2A
100nA
200 @ 1A，2V
2.5W
165MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT563
京电港自营
自营
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BC848CDXV6T5G
-
2 NPN（双）
100mA
30V
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
500mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 2A SM8
京电港自营
自营
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ZDT690TA
-
2 NPN（双）
2A
45V
500mV @ 5mA，1A
100nA（ICBO）
400 @ 1A，2V
2.75W
150MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT363
京电港自营
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BC858CDW1T1G
-
2 PNP（双）
100mA
30V
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
380mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
京电港自营
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MMDT3904-7
-
2 NPN（双）
200mA
40V
300mV @ 5mA，50mA
50nA（ICBO）
100 @ 10mA，1V
200mW
300MHz
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563
京电港自营
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NST3906DXV6T1
-
2 PNP（双）
200mA
40V
400mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
500mW
250MHz
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 15V 3A SM8
京电港自营
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ZDT617TA
-
2 NPN（双）
3A
15V
200mV @ 50mA，3A
100nA
300 @ 200mA，2V
2.5W
120MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP
京电港自营
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ZXT12P40DXTC
-
2 PNP（双）
2A
40V
260mV @ 100mA，2A
100nA
300 @ 1A，2V
1.04W
130MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
京电港自营
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50V
10k
47k
68 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
DCX114YU-7
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 400V 0.5A SM8
京电港自营
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ZDT6758TC
-
NPN，PNP
500mA
400V
500mV @ 10mA，100mA
-
40 @ 200mA，10V
2.75W
50MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
京电港自营
自营
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50V，12V
10k
10k
30 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V
300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA
500nA
250MHz，280MHz
300mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
-
EMF21-7
1 NPN 预偏压式，1 PNP
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 60V 2A SM8
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ZDT751TC
-
2 PNP（双）
2A
60V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
100 @ 500mA，2V
2.75W
140MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363
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MBT6429DW1T1
-
2 NPN（双）
200mA
45V
600mV @ 5mA，100mA
100nA
500 @ 100µA，5V
150mW
700MHz
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 12V 5A SOT223
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ZDT1147TC
-
2 PNP（双）
5A
12V
380mV @ 50mA，5A
100nA
250 @ 500mA，2V
2.75W
115MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
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MC1413BD
-
7 NPN 达林顿
500mA
50V
1.6V @ 500µA，350mA
-
1000 @ 350mA，2V
-
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP DARL 120V 1A SM8
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ZDT6705TA
-
NPN，PNP 达林顿（双）
1A
120V
1.5V @ 1mA，1A
10µA
2000 @ 1A，5V
2.75W
150MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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