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68.85
Infineon IHW30N160R2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1600 V, 3引脚 TO-247封装
已售
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23.58
Infineon IRGS4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
已售
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72.60
Infineon IRG4PC30UDPBF N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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73.44
Infineon IGW50N60TPXKSA1 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247封装
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84.99
ON Semiconductor TIG065E8-TL-H N沟道 IGBT, 150 A, Vce=400 V, 1MHz, 8引脚 ECH封装
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91.59
Infineon IRGP4063-EPBF N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
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101.01
Infineon IRG4PC40UDPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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108.09
Infineon IRGP4263PBF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 20kHz, 3引脚 TO-247AC封装
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120.48
Fairchild Semiconductor FGL60N100BNTD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1000 V, 3引脚 TO-264封装
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122.19
IXYS IXGT30N120B3D1 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-268封装
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181.59
Fuji Electric FGW25N120VD N沟道 IGBT, 25 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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553.53
IXYS IXYN82N120C3 N沟道 IGBT, 120 A, Vce=1200 V, 20 - 50kHz, 4引脚 SOT-227B封装
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677.97
IXYS IXYX25N250CV1HV IGBT, 95 A, Vce=2500 V, 3引脚 PLUS247封装
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产品型号
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最大栅极发射极电压
晶体管数
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封装类型
安装类型
通道类型
引脚数目
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晶体管配置
长度
宽度
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原产地
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72.60
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型号
IRG4PC30UDPBF
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72.60
Infineon IRG4PC30UDPBF N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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IRG4PC30UDPBF
23 A
±20V
-
-
TO-247AC
通孔
N
3
-
单
15.9mm
5.3mm
20.3mm
-
¥
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型号
IGW50N60TPXKSA1
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73.44
Infineon IGW50N60TPXKSA1 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247封装
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IGW50N60TPXKSA1
80 A
±20V
1
319.2 W
TO-247
通孔
N
3
30kHz
单
16.13mm
5.21mm
21.1mm
-
¥
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型号
TIG065E8-TL-H
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84.99
ON Semiconductor TIG065E8-TL-H N沟道 IGBT, 150 A, Vce=400 V, 1MHz, 8引脚 ECH封装
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TIG065E8-TL-H
150 A
±4V
-
-
ECH
表面贴装
N
8
1MHz
单
2.9mm
2.3mm
0.9mm
-
¥
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型号
IRGP4063-EPBF
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91.59
Infineon IRGP4063-EPBF N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
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IRGP4063-EPBF
96 A
±20V
-
330 W
TO-247AD
通孔
N
3
30kHz
单
15.87mm
5.13mm
20.7mm
-
¥
101.01
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型号
IRG4PC40UDPBF
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101.01
Infineon IRG4PC40UDPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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IRG4PC40UDPBF
40 A
±20V
-
-
TO-247AC
通孔
N
3
-
单
15.9mm
5.3mm
20.3mm
-
¥
108.09
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型号
IRGP4263PBF
¥
108.09
Infineon IRGP4263PBF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 20kHz, 3引脚 TO-247AC封装
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IRGP4263PBF
60 A
±20V
-
278 W
TO-247AC
通孔
N
3
20kHz
单
16.13mm
5.2mm
21.1mm
-
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120.48
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型号
FGL60N100BNTD
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120.48
Fairchild Semiconductor FGL60N100BNTD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1000 V, 3引脚 TO-264封装
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FGL60N100BNTD
60 A
±25V
-
-
TO-264
通孔
N
3
-
单
20mm
5mm
26mm
-
¥
122.19
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型号
IXGT30N120B3D1
¥
122.19
IXYS IXGT30N120B3D1 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-268封装
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IXGT30N120B3D1
50 A
-
-
-
TO-268
表面贴装
-
3
-
单
16.05mm
14mm
5.1mm
-
¥
181.59
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型号
FGW25N120VD
¥
181.59
Fuji Electric FGW25N120VD N沟道 IGBT, 25 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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FGW25N120VD
25 A
±20V
-
260 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
15.9mm
5.03mm
20.95mm
-
¥
553.53
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型号
IXYN82N120C3
¥
553.53
IXYS IXYN82N120C3 N沟道 IGBT, 120 A, Vce=1200 V, 20 - 50kHz, 4引脚 SOT-227B封装
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IXYN82N120C3
120 A
±20V
-
600 W
SOT-227B
表面贴装
N
4
20 → 50kHz
单
38.23mm
25.07mm
9.6mm
-
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IXYX25N250CV1HV
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677.97
IXYS IXYX25N250CV1HV IGBT, 95 A, Vce=2500 V, 3引脚 PLUS247封装
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IXYX25N250CV1HV
95 A
±20 (Continuous) V, ±30 (Transient) V
1
937 W
PLUS247
通孔
-
3
-
单
16.13mm
5.21mm
21.34mm
-
1
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