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NXP Semiconductors / 恩智浦
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Linear Technology LT5575EUF#PBF 正交 解调器, 4.2dB, 490MHz最高I/Q频率, 4.5 - 5.25 V电源, 16引脚
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Analog Devices HMC306AMS10E, 15.5dB 3.8GHz 数字衰减器, 3 - 5 V, 10引脚 MSOP封装
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129.36
Texas Instruments DS90C3202VS/NOPB 8 - 135MHz LVDS 射频接收器芯片, 3.15 - 3.6 V电源, 128引脚
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Analog Devices Hittite 系列 7GHz 射频分频器 HMC437MS8GE, 最低频率100MHz, 8引脚 MSOP封装
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274.08
Analog Devices Hittite 系列 HMC412AMS8GE 升-降变频器/混频器电路, 15GHz最高输出, 最大增益11.5 dB
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39.42
Texas Instruments 950MHz 射频前端 CC1190RGVT, 单单刀双掷, 0.8dB介入损耗, 15dB隔离, CMOS/TTL技术
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40.02
NXP HTRC11001T/02EE 125kHz ASK 射频接收器芯片, 4.5 - 5.5 V电源, 14引脚 SOIC封装
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19.35
ON Semiconductor LC72725KV-TLM-E 解调器, 34dB, 2.7 - 5.5 V，3 - 5.5 V电源, 16引脚 SSOP封装
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913.92
Analog Devices Hittite 系列 HMC260LC3B 升-降变频器/混频器电路, 26GHz最高输出, 最大增益14 dB
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Analog Devices 2GHz 射频多路复用器 ADG918BRMZ, 单单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 34dB隔离
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调制类型
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典型噪声系数
可编程
安装类型
最大电源电流
典型输出功率
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最大衰减
最大频率
最大介入损耗
封装类型
引脚数目
尺寸
长度
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高度
最大工作电源电压
最高工作温度
最小工作电源电压
最低工作温度
原产地
开关配置
最小隔离
开关速度
开关数目
技术
调制技术
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最高工作频带2频率
最高工作频带3频率
最低工作频带1频率
工作频带数目
最大功率增益
最高输入频率
最高输出频率
最大功率耗散
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280.71
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型号
LT5575EUF#PBF
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280.71
Linear Technology LT5575EUF#PBF 正交 解调器, 4.2dB, 490MHz最高I/Q频率, 4.5 - 5.25 V电源, 16引脚
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解调器
正交
4.2dB
15.7dB
-
表面贴装
155 mA
-
LT5575EUF#PBF
QFN
16
4 x 4 x 0.7mm
4mm
0.7mm
-
¥
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型号
HMC306AMS10E
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134.76
Analog Devices HMC306AMS10E, 15.5dB 3.8GHz 数字衰减器, 3 - 5 V, 10引脚 MSOP封装
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HMC306AMS10E
15.5dB
3.8GHz
2.7dB
MSOP
10
3.1 x 3.1 x 0.95mm
3.1mm
3.1mm
0.95mm
5 V
85 °C
3 V
-40 °C
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型号
DS90C3202VS/NOPB
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Texas Instruments DS90C3202VS/NOPB 8 - 135MHz LVDS 射频接收器芯片, 3.15 - 3.6 V电源, 128引脚
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DS90C3202VS/NOPB
TQFP
128
14 x 14 x 1mm
14mm
14mm
1mm
3.6 V
70 °C
-
LVDS
135MHz
-
-
8MHz
1
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型号
HMC437MS8GE
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494.85
Analog Devices Hittite 系列 7GHz 射频分频器 HMC437MS8GE, 最低频率100MHz, 8引脚 MSOP封装
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1/3
100MHz
-
69mA
HMC437MS8GE
7GHz
MSOP
8
3.1 x 3.1 x 0.95mm
3.1mm
3.1mm
0.95mm
5 V
85 °C
-
-
¥
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型号
HMC412AMS8GE
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274.08
Analog Devices Hittite 系列 HMC412AMS8GE 升-降变频器/混频器电路, 15GHz最高输出, 最大增益11.5 dB
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HMC412AMS8GE
MSOP
8
3.1 x 3.1 x 0.95mm
3.1mm
3.1mm
0.95mm
-
85 °C
-
-55 °C
-
11.5 dB
2.5GHz
15GHz
290 mW
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型号
CC1190RGVT
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Texas Instruments 950MHz 射频前端 CC1190RGVT, 单单刀双掷, 0.8dB介入损耗, 15dB隔离, CMOS/TTL技术
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CC1190RGVT
950MHz
0.8dB
VQFN
16
4.15 x 4.15 x 0.95mm
4.15mm
4.15mm
0.95mm
-40 °C
-
单单刀双掷
15dB
600ns
-
CMOS/TTL
¥
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型号
HTRC11001T/02EE
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40.02
NXP HTRC11001T/02EE 125kHz ASK 射频接收器芯片, 4.5 - 5.5 V电源, 14引脚 SOIC封装
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HTRC11001T/02EE
SOIC
14
8.75 x 4 x 1.45mm
8.75mm
4mm
1.45mm
5.5 V
85 °C
-
ASK
125kHz
-
-
-
1
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型号
LC72725KV-TLM-E
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19.35
ON Semiconductor LC72725KV-TLM-E 解调器, 34dB, 2.7 - 5.5 V，3 - 5.5 V电源, 16引脚 SSOP封装
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解调器
-
34dB
-
-
表面贴装
-
100mW
LC72725KV-TLM-E
SSOP
16
5.2 x 4.4 x 1.3mm
5.2mm
1.3mm
-
¥
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HMC260LC3B
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913.92
Analog Devices Hittite 系列 HMC260LC3B 升-降变频器/混频器电路, 26GHz最高输出, 最大增益14 dB
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HMC260LC3B
表面安装
12
3 x 3 x 0.92mm
3mm
3mm
0.92mm
-
85 °C
-
-40 °C
-
14 dB
8GHz
26GHz
260 mW
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38.25
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ADG918BRMZ
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38.25
Analog Devices 2GHz 射频多路复用器 ADG918BRMZ, 单单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 34dB隔离
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ADG918BRMZ
2GHz
1.25dB
MSOP
8
3 x 3 x 0.85mm
3mm
3mm
0.85mm
-40 °C
-
单单刀双掷
34dB
-
1
CMOS / LVTTL
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级 别：暂无
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