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不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
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晶体管类型
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基底电阻器
发射极基底电阻器
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最大功率
供应商器件封装
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电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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自营
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DDTC114TE-7
NPN - 预偏压
100mA
10k
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 100µA，1mA
500nA（ICBO）
250MHz
150mW
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTC123ECA-7
NPN - 预偏压
100mA
2.2k
2.2k
20 @ 20mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 180V 0.5A E-LINE
京电港自营
自营
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-
500mA
180V
250mV @ 5mA，200mA
100nA（ICBO）
150 @ 200mA，5V
1W
70MHz
通孔
16 周
ZTX696B
NPN
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
散装
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.98
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3
京电港自营
自营
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-
200mA
300V
500mV @ 2mA，20mA
250nA（ICBO）
25 @ 30mA，10V
330mW
50MHz
表面贴装
16 周
FMMTA92TA
PNP
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥7.86
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 25V 3A SOT-89
京电港自营
自营
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-
3A
25V
350mV @ 140mA，4A
100nA
250 @ 500mA，2V
2W
135MHz
表面贴装
FCX1149ATA
PNP
SOT-89-3
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥16.02
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 4A SOT23F-3
京电港自营
自营
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-
4A
45V
280mV @ 80mA，4A
50nA（ICBO）
500 @ 100mA，2V
1.5W
190MHz
表面贴装
16 周
ZXTN07045EFFTA
NPN
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥17.40
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 17.5V 5A SM8
京电港自营
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-
5A
17.5V
300mV @ 50mA，5A
10nA
300 @ 500mA，2V
2.75W
150MHz
ZDT1048TA
2 NPN（双）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.87
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 17.26V 500MW SOD323F
京电港自营
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±3%
70nA @ 16V
900mV @ 10mA
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
DDZ18BSF-7
SOD-323F
SC-90，SOD-323F
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.38
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123
京电港自营
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±5%
4µA @ 2V
900mV @ 10mA
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
DDZ9687-7
SOD-123
SOD-123
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 二极管-齐纳-阵列 DIODE ZENER ARRAY 33V SOT23-3
京电港自营
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±5%
-65°C ~ 150°C
1 对共阳极
300mW
-
-
-
表面贴装
AZ23C33-7
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.66
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 2.65V 500MW SOD323F
京电港自营
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±4%
120µA @ 1V
900mV @ 10mA
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
8 周
DDZ2V7ASF-7
SOD-323F
SC-90，SOD-323F
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥40.11
Diodes 二极管-桥式整流器 RECT BRIDGE GPP 10A 400V GBU
京电港自营
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单相
标准
400V
10A
1V @ 5A
5µA @ 400V
管件
通孔
10 周
GBU1004
GBU
4-SIP，GBU
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.96
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323
京电港自营
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±2%
2µA @ 1V
-
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
UDZ4V7B-7
SOD-323
SC-76，SOD-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.32
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
京电港自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
8.6nC @ 10V
315pF @ 40V
±20V
-
700mW（Ta）
140 毫欧 @ 1.8A，10V
-
表面贴装
8 周
DMN6140L-13
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥13.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
京电港自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
5.6nC @ 10V
231pF @ 25V
±20V
-
770mW（Ta）
750 毫欧 @ 2A，10V
-
表面贴装
8 周
DMN13H750S-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥16.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
京电港自营
自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
164nC @ 10V
6495pF @ 10V
±12V
-
1.05W（Ta）
4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
-
表面贴装
17 周
DMN2005UFG-13
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
京电港自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
5.2nC @ 4.5V
563pF @ 25V
±20V
-
1.3W（Ta）
70 毫欧 @ 5.3A，10V
-
表面贴装
20 周
DMP3085LSS-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.57
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
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-
表面贴装
16 周
DMN2013UFX-7
780mW
W-DFN5020-6
6-VFDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 N 沟道（双）共漏
逻辑电平门
20V
10A
11.5 毫欧 @ 8.5A，4.5V
1.1V @ 250µA
57.4nC @ 8V
2607pF @ 10V
¥1.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
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-55°C ~ 150°C（TJ）
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
46pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
-
表面贴装
12 周
DMN53D0L-13
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥8.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 40V 13A POWERDI
京电港自营
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-55°C ~ 175°C（TJ）
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
25.5nC @ 10V
1405pF @ 20V
±20V
-
1.5W（Ta），100W（Tc）
10 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
16 周
DMNH4011SPS-13
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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