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类型
频率
频率容差
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ESR(等效串联电阻)
工作模式
工作温度
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高度 - 安装(最大值)
容差
反向漏电流
正向电压
整流器类型
最大连续正向电流
最大正向电压降
峰值反向电流
系列
二极管配置
二极管类型
电流-平均整流(Io) (每二极管)
不同If时的电压-正向 (Vf)
速度
工作温度-结
安装类型
原产地
频率稳定度
等级
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
产品系列
不同 Vr,F 时的电容
电容比
电容比条件
最大峰值反向电压
不同 Vr,F 时的 Q 值
封装类型
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
最大功率
-
-
DMB2227A-7
NPN,PNP
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
600mA
40V,60V
1V @ 50mA,500mA / 1.6V @ 50mA,500mA
10nA(ICBO)
100 @ 150mA,10V
300mW
300MHz,200MHz
-65°C ~ 175°C
超级势垒
2A
460mV @ 2A
200µA @ 30V
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
表面贴装
-
SBR2M30P1-7
PowerDI™ 123
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
SBR®
-
POWERDI®123
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
DMP3098LDM-7
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
7.8nC @ 10V
336pF @ 25V
±20V
-
1.25W(Ta)
65 毫欧 @ 4A,10V
DDA114EH-7
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
10k
10k
30 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
-
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-65°C ~ 150°C
±6%
100nA @ 38V
-
-
表面贴装
-
BZT52C51-7-F
SOD-123
SOD-123
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-65°C ~ 175°C
标准
1A
1V @ 1A
5µA @ 400V
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
通孔
-
1N4004G-T
DO-41
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
8pF @ 4V,1MHz
DO-204AL,DO-41,轴向
-
表面贴装
-
DMC3026LSD-13
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.5A,6.2A
25 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
13.2nC @ 10V
641pF @ 15V
1.2W
SBR®
1 对共阴极
超级势垒
15A
1.03V @ 15A
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
-65°C ~ 175°C
通孔
-
SBR30300CT
TO-220AB
TO-220-3
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
-65°C ~ 125°C
±6%
100nA @ 15.4V
900mV @ 10mA
-
表面贴装
-
BZX84C22W-7-F
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C
标准
3A
900mV @ 3A
10µA @ 150V
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
表面贴装
-
ES3CB-13-F
SMB
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
-
45pF @ 4V,1MHz
DO-214AA,SMB
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
通孔
-
ZVN3310ASTZ
E-Line(TO-92 兼容)
E-Line-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
2.4V @ 1mA
-
40pF @ 25V
±20V
-
625mW(Ta)
10 欧姆 @ 500mA,10V
SBR®
1 对共阴极
超级势垒
20A
930mV @ 20A
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
-65°C ~ 175°C
表面贴装
-
SBR40U200CTB-13
TO-263AB(D²PAK)
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
DMN2230U-7
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,4.5V
1V @ 250µA
-
188pF @ 10V
±12V
-
600mW(Ta)
110 毫欧 @ 2.5A,4.5V
-
表面贴装
-
FZT493TA
NPN
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1A
100V
600mV @ 100mA,1A
100nA
100 @ 250mA,10V
2W
150MHz
¥6.48
自营
MHz 晶体
12MHz
±20ppm
18pF
60 欧姆
基谐
-40°C ~ 85°C
0.461" 长 x 0.189" 宽(11.70mm x 4.80mm)
0.165"(4.20mm)
SaRonix-eCera™ GC
表面贴装
-
±20ppm
-
GC1200052
HC49/US
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
DMP1200UFR4-7
X2-DFN1010-3
3-XFDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
5.8nC @ 4.5V
514pF @ 5V
±8V
-
480mW(Ta)
100 毫欧 @ 2A,4.5V
-
通孔
-
ZTX957
PNP
E-Line(TO-92 兼容)
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1A
300V
200mV @ 300mA,1A
50nA(ICBO)
100 @ 500mA,10V
1.2W
85MHz
单一
表面贴装
-
ZC932TC
SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
5.5pF @ 4V,50MHz
-
-
12V
200 @ 4V,50MHz
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
2N7002H-13
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V
3V @ 250µA
0.35nC @ 4.5V
26pF @ 25V
±20V
-
370mW(Ta)
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
-
表面贴装
-
ZXTP03200BZTA
PNP
SOT-89
TO-243AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
2A
200V
260mV @ 400mA,2A
50nA(ICBO)
100 @ 1A,5V
1.1W
105MHz
对比栏

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3

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4

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