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正向电压
产品系列
整流器类型
峰值反向重复电压
最大连续正向电流
最大正向电压降
速度
不同 Vr，F 时的电容
安装类型
封装类型
工作温度
原产地
产品类型
技术类型
峰值平均正向电流
峰值正向电压
峰值反向电流
产品包装
配置
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
阻抗（最大值）(Zzt)
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Diodes 二极管-齐纳-阵列 DIODE ZENER ARRAY 30V SOT23-3
京电港自营
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-
±5%
表面贴装
-65°C ~ 150°C
-
1 对共阳极
-
-
AZ23C30-7
300mW
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.29
Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B20-HE3-18 {id:100 nA @ 15 V,value:100 nA @ 15 V...
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Automotive, AEC-Q101, AZ23
±2%
表面贴装型
-55°C ~ 150°C
1 对共阳极
{id:100 nA @ 15 V,value:100 nA @ 15 V
20 V
AZ23B20-HE3-18
300 mW
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
卷带（TR）
50 Ohms
¥4.47
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 200MW SMT3
京电港自营
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DTA143EKAT146
PNP - 预偏压
50V
30 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥0.66
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 5.1V 350MW SOT23-3
京电港自营
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-
±5%
5µA @ 2V
900mV @ 10mA
表面贴装
-65°C ~ 150°C
-
MMBZ5231B-7-F
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥39.24
Diodes 二极管-桥式整流器 RECT BRIDGE GPP 800V 6A GBJ
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800V
通孔
-
单相
标准
6A
1V @ 3A
5µA @ 800V
管件
GBJ608-F
GBJ
4-SIP，GBJ
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥1.44
Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B22-G3-18 {id:100 nA @ 17 V,value:100 nA @ 17 V ...
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AZ23-G
±2%
表面贴装型
-55°C ~ 150°C
1 对共阳极
{id:100 nA @ 17 V,value:100 nA @ 17 V
22 V
AZ23B22-G3-18
300 mW
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
卷带（TR）
55 Ohms
¥1.02
Toshiba Semiconductor and Storage RN4988FE,LF(CT 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） SOT-563，SOT-666
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-
RN4988FE,LF(CT
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
47 千欧
22 千欧
500nA
250MHz，200MHz
100mW
ES6
SOT-563，SOT-666
卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel® 得捷定制卷带
¥5.10
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 0.2W UMT3F
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DTC013ZUBTL
NPN - 预偏压
50V
30 @ 5mA，10V
150mV @ 500µA，5mA
500nA
250MHz
200mW
UMT3F
SC-85
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3
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-
表面贴装
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
DMN2004K-7
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
-
150pF @ 16V
±8V
-
350mW（Ta）
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
¥1.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
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-
表面贴装
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
DMG3406L-13
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
11.2nC @ 10V
495pF @ 15V
±20V
-
770mW（Ta）
50 毫欧 @ 3.6A，10V
¥1.89
Diodes Incorporated BZX84C2V7S-7-F
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*
BZX84C2V7S-7-F
卷带（TR）
¥9.60
Toshiba Semiconductor and Storage RN1710JE(TE85L,F) 2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器） SOT-553
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-
RN1710JE(TE85L,F)
2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器）
-
4.7 千欧
100nA（ICBO）
250MHz
100mW
ESV
SOT-553
卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel® 得捷定制卷带
¥1.38
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 150MW EMT3
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DTA143TETL
PNP - 预偏压
50V
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA（ICBO）
250MHz
150mW
EMT3
SC-75，SOT-416
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥1188.54
DIODE GeneSiC 整流器-单 SCHOTTKY 600V 4A
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-
碳化硅肖特基
600V
4A（DC）
1.6V @ 1A
无恢复时间 > 500mA（Io）
76pF @ 1V，1MHz
通孔
TO-206AB，TO-46-3 金属罐
-55°C ~ 225°C
-
GB02SHT06-46
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
¥13.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
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-
表面贴装
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
DMN24H3D5L-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.3V，10V
2.5V @ 250µA
6.6nC @ 10V
188pF @ 25V
±20V
-
760mW（Ta）
3.5 欧姆 @ 300mA，10V
¥6.33
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
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-
表面贴装
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
DMN3008SFG-13
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
86nC @ 10V
3690pF @ 10V
±20V
-
900mW（Ta）
4.6 毫欧 @ 13.5A，10V
¥0.90
Nexperia USA Inc. PUMH9,135 2 个 NPN 预偏压式（双） 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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-
PUMH9,135
2 个 NPN 预偏压式（双）
47 千欧
10 千欧
1µA
-
300mW
6-TSSOP
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
卷带（TR）
¥1.74
Nexperia USA Inc. PEMB9,315 2 个 PNP 预偏压式（双） SOT-563，SOT-666
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-
PEMB9,315
2 个 PNP 预偏压式（双）
47 千欧
10 千欧
1µA
-
300mW
SOT-666
SOT-563，SOT-666
卷带（TR）
¥4.47
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 200MW SMT3
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DTA113ZKAT146
PNP - 预偏压
50V
33 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥9.78
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 200MW SMT3
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DTB123EKT146
PNP - 预偏压
50V
39 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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