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电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
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产品类型
使用于
套件分类
套件名称
¥12.57
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW SMT3
京电港自营
自营
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DTD113EKT146
NPN - 预偏压
50V
33 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥12.57
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 200MW SMT3
京电港自营
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DTB143EKT146
PNP - 预偏压
50V
47 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥12.57
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW SMT3
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DTD113EKT146
NPN - 预偏压
50V
33 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥12.57
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW SMT3
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DTD113EKT146
NPN - 预偏压
50V
33 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥12.57
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW SMT3
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DTD113EKT146
NPN - 预偏压
50V
33 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥12.57
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 200MW SMT3
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DTB143EKT146
PNP - 预偏压
50V
47 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥12.57
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 200MW SMT3
京电港自营
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DTB123TKT146
PNP - 预偏压
40V
100 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA（ICBO）
200MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥12.78
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 2W MPT3
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DTDG14GPT100
NPN - 预偏压
60V
300 @ 500mA，2V
400mV @ 5mA，500mA
500nA（ICBO）
80MHz
2W
MPT3
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥12.78
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 2W MPT3
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DTDG14GPT100
NPN - 预偏压
60V
300 @ 500mA，2V
400mV @ 5mA，500mA
500nA（ICBO）
80MHz
2W
MPT3
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥12.78
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 2W MPT3
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DTDG14GPT100
NPN - 预偏压
60V
300 @ 500mA，2V
400mV @ 5mA，500mA
500nA（ICBO）
80MHz
2W
MPT3
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥12.78
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 2W MPT3
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DTDG14GPT100
NPN - 预偏压
60V
300 @ 500mA，2V
400mV @ 5mA，500mA
500nA（ICBO）
80MHz
2W
MPT3
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥12.78
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 2W MPT3
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DTDG14GPT100
NPN - 预偏压
60V
300 @ 500mA，2V
400mV @ 5mA，500mA
500nA（ICBO）
80MHz
2W
MPT3
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥15.57
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 1.5W MPT3
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DTDG23YPT100
NPN - 预偏压
60V
300 @ 500mA，2V
400mV @ 5mA，500mA
500nA
80MHz
1.5W
MPT3
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥15.57
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 1.5W MPT3
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DTDG23YPT100
NPN - 预偏压
60V
300 @ 500mA，2V
400mV @ 5mA，500mA
500nA
80MHz
1.5W
MPT3
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥15.57
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 1.5W MPT3
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DTDG23YPT100
NPN - 预偏压
60V
300 @ 500mA，2V
400mV @ 5mA，500mA
500nA
80MHz
1.5W
MPT3
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥15.57
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 1.5W MPT3
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DTDG23YPT100
NPN - 预偏压
60V
300 @ 500mA，2V
400mV @ 5mA，500mA
500nA
80MHz
1.5W
MPT3
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥15.57
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 1.5W MPT3
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DTDG23YPT100
NPN - 预偏压
60V
300 @ 500mA，2V
400mV @ 5mA，500mA
500nA
80MHz
1.5W
MPT3
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥1004.55
Lapis 调试仿真器, Lazurite Mini Writer (Type B)套件
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Lazurite Mini writer Type B
Lazurite 920J MCU 板
开发板
Lazurite Mini Writer (Type B)

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