商品名称：Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

商品编号：CN-10131231

店铺：京电港自营

重量：0克

系列：-

FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能：标准

电流连续漏极：30A

最大Rds On：11.1 毫欧 @ 14.4A，10V

最大Vgs：3V @ 250µA

最大栅极电荷：20nC @ 15V

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：V-DFN3030-8（K 类）

封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘

包装：剪切带（CT）

漏源极电压：30V

最大输入电容：1500pF @ 15V

最大功率：1.2W

原产地：-

达标情况：符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

原厂标准交货期：16 周

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