Infineon IRG4BC10UDPBF N沟道 IGBT, 8.5 A, Vce=600 V, 80kHz, 3引脚 TO-220AB封装

匿名用户

2018-03-20 16:38:33

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。三河市科丰电气公司专业代理功率半导体产品及配套器件，专业的IGBT以及配套驱动专业网上供应商，是功率半导体行业知名企业之一。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的企业品牌形象，0316-3095330

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