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Vishay
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Nexperia
NXP Semiconductors / 恩智浦
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DAWIN Electronics
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25.38
Bourns 5.0SMDJ20A UJT 晶体管, 5000 (Minimum) W, 2引脚 DO-214AB (SMC)封装
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13512.32
Bourns 5.0SMDJ20A UJT 晶体管, 5000 (Minimum) W, 2引脚 DO-214AB (SMC)封装
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8.82
CONN IC DIP SOCKET 6POS GOLD
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8.82
CONN IC DIP SOCKET 10POS GOLD
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8.94
CONN IC DIP SOCKET 4POS GOLD
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6.66
CONN IC DIP SOCKET 4POS GOLD
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60.51
Infineon IRG4BC40W-SPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 30 - 150kHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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251.91
IXYS IXYH30N170C IGBT, 100 A, Vce=1700 V, 3引脚 TO247AD封装
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137.64
Toshiba GT50J342,Q(O N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
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639.78
Vishay VS-GA200SA60UP N沟道 IGBT, 200 A, Vce=600 V, 4引脚 SOT-227封装
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26.34
STMicroelectronics STGF10NB60SD N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
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92.49
Infineon IRG7PH35UD1-EP N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装
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66.42
Infineon IKW30N60T N沟道 IGBT, 45 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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200.70
Fairchild Semiconductor FGH30N60LSDTU N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AB封装
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148.26
STMicroelectronics STGW40H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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175.83
Infineon AUIRGP50B60PD1E N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 150kHz, 3引脚 TO-247AD封装
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76.05
ON Semiconductor NGTB40N120IHLWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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24.99
Infineon IRG4BC20UPBF N沟道 IGBT, 13 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
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136.08
STMicroelectronics STGW40H65FB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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82.80
Infineon IRG7PH30K10PBF N沟道 IGBT, 33 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
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120.96
Toshiba GT50J342,Q(O N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 0.38μs, 3引脚 TO-3P封装
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20.40
Infineon IRGR4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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33.21
Infineon IRG4BC10KDPBF N沟道 IGBT, 9 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
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24.09
Infineon IRGR4610DPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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30.90
Infineon IRGB4615DPBF N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
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87.09
Fairchild Semiconductor FGH40N65UFDTU N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
封装类型
安装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
原产地
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60.51
另提供行业标准包装
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型号
IRG4BC40W-SPBF
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60.51
Infineon IRG4BC40W-SPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 30 - 150kHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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IRG4BC40W-SPBF
40 A
±20V
-
160 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
30 → 150kHz
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm
-
¥
251.91
另提供行业标准包装
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型号
IXYH30N170C
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251.91
IXYS IXYH30N170C IGBT, 100 A, Vce=1700 V, 3引脚 TO247AD封装
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IXYH30N170C
100 A
±20 (Continuous) V, ±30 (Transient) V
1
937 W
TO247AD
通孔
-
3
-
单
16.13mm
5.21mm
21.34mm
-
¥
137.64
另提供行业标准包装
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型号
GT50J342,Q(O
¥
137.64
Toshiba GT50J342,Q(O N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
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GT50J342,Q(O
80 A
±25V
-
394 W
TO-3PN
通孔
N
3
-
单
15.5mm
4.5mm
20mm
-
¥
639.78
另提供行业标准包装
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639.78
Vishay VS-GA200SA60UP N沟道 IGBT, 200 A, Vce=600 V, 4引脚 SOT-227封装
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26.34
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型号
STGF10NB60SD
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26.34
STMicroelectronics STGF10NB60SD N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
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STGF10NB60SD
23 A
±20V
-
25 W
TO-220FP
通孔
N
3
-
单
10.4mm
4.6mm
20mm
-
¥
92.49
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型号
IRG7PH35UD1-EP
¥
92.49
Infineon IRG7PH35UD1-EP N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装
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IRG7PH35UD1-EP
50 A
±30V
-
179 W
TO-247AD
通孔
N
3
1MHz
单
15.87mm
5.31mm
20.7mm
-
¥
66.42
另提供行业标准包装
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型号
IKW30N60T
¥
66.42
Infineon IKW30N60T N沟道 IGBT, 45 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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IKW30N60T
45 A
±20V
-
187 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
16.13mm
5.21mm
21.1mm
-
¥
200.70
另提供行业标准包装
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型号
FGH30N60LSDTU
¥
200.70
Fairchild Semiconductor FGH30N60LSDTU N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AB封装
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FGH30N60LSDTU
60 A
±20V
-
480 W
TO-247AB
通孔
N
3
-
单
15.6mm
4.7mm
20.6mm
-
¥
148.26
另提供行业标准包装
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型号
STGW40H65DFB
¥
148.26
STMicroelectronics STGW40H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW40H65DFB
80 A
±20V
-
283 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
15.75mm
5.15mm
20.15mm
-
¥
175.83
另提供行业标准包装
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型号
AUIRGP50B60PD1E
¥
175.83
Infineon AUIRGP50B60PD1E N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 150kHz, 3引脚 TO-247AD封装
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AUIRGP50B60PD1E
75 A
±20V
-
390 W
TO-247AD
通孔
N
3
150kHz
单
15.87mm
5.31mm
20.7mm
-
¥
76.05
另提供行业标准包装
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型号
NGTB40N120IHLWG
¥
76.05
ON Semiconductor NGTB40N120IHLWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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NGTB40N120IHLWG
80 A
±20V
-
260 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
16.26mm
5.3mm
21.08mm
-
¥
24.99
另提供行业标准包装
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型号
IRG4BC20UPBF
¥
24.99
Infineon IRG4BC20UPBF N沟道 IGBT, 13 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
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IRG4BC20UPBF
13 A
±20V
-
-
TO-220AB
通孔
N
3
-
单
10.54mm
4.69mm
8.77mm
-
¥
136.08
另提供行业标准包装
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型号
STGW40H65FB
¥
136.08
STMicroelectronics STGW40H65FB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW40H65FB
80 A
±20V
-
283 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
15.75mm
5.15mm
20.15mm
-
¥
82.80
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型号
IRG7PH30K10PBF
¥
82.80
Infineon IRG7PH30K10PBF N沟道 IGBT, 33 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
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IRG7PH30K10PBF
33 A
±30V
-
210 W
TO-247AC
通孔
N
3
-
单
15.87mm
5.31mm
20.7mm
-
¥
120.96
另提供行业标准包装
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型号
GT50J342,Q(O
¥
120.96
Toshiba GT50J342,Q(O N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 0.38μs, 3引脚 TO-3P封装
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GT50J342,Q(O
80 A
±25V
-
394 W
TO-3P
通孔
N
3
0.38µs
单
15.5mm
4.5mm
20mm
-
¥
20.40
另提供行业标准包装
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型号
IRGR4607DPBF
¥
20.40
Infineon IRGR4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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IRGR4607DPBF
11 A
±30V
-
58 W
DPAK (TO-252)
表面贴装
N
3
8 → 30kHz
单
6.73mm
6.22mm
2.39mm
-
¥
33.21
另提供行业标准包装
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型号
IRG4BC10KDPBF
¥
33.21
Infineon IRG4BC10KDPBF N沟道 IGBT, 9 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
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IRG4BC10KDPBF
9 A
±20V
-
-
TO-220AB
通孔
N
3
-
单
10.54mm
4.69mm
8.77mm
-
¥
24.09
另提供行业标准包装
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型号
IRGR4610DPBF
¥
24.09
Infineon IRGR4610DPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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IRGR4610DPBF
16 A
±20V
-
77 W
DPAK (TO-252)
表面贴装
N
3
8 → 30kHz
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm
-
¥
30.90
另提供行业标准包装
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型号
IRGB4615DPBF
¥
30.90
Infineon IRGB4615DPBF N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
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IRGB4615DPBF
23 A
±20V
-
99 W
TO-220AB
通孔
N
3
8 → 30kHz
单
10.67mm
4.83mm
16.51mm
-
¥
87.09
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FGH40N65UFDTU
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87.09
Fairchild Semiconductor FGH40N65UFDTU N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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FGH40N65UFDTU
80 A
±20V
-
290 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
15.6mm
4.7mm
20.6mm
-
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