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产品系列
核心处理器
核心尺寸
速度
连接性
外设
程序存储容量
程序存储器类型
EEPROM 容量
RAM 容量
数据转换器
振荡器类型
封装类型
包装
原产地
产品型号
可编程类型
I/O 数
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
达标情况
原厂标准交货期
RL78/G13
RL78
16-位
32MHz
CSI,I²C,LIN,UART/USART
DMA,LVD,POR,PWM,WDT
32KB(32K x 8)
闪存
-
2K x 8
A/D 8x8/10b
内部
32-WFQFN 裸露焊盘
-
R5F100BCANA#W0
22
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
NuMicro M051™ DE
ARM® Cortex®-M0
32-位
50MHz
EBI/EMI,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT
32KB(32K x 8)
闪存
-
4K x 8
A/D 8x12b
内部
48-LQFP
-
M058LDE
40
-40°C ~ 105°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
RL78/G13
RL78
16-位
32MHz
CSI,I²C,LIN,UART/USART
DMA,LVD,POR,PWM,WDT
32KB(32K x 8)
闪存
-
2K x 8
A/D 6x8/10b
内部
25-WFLGA
-
R5F1008CALA#W0
15
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
M4A3-32/32-10VNC48
系统内可编程
32
TA
表面贴装
48-TQFP(7x7)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
RL78/G12
RL78
16-位
24MHz
CSI,I²C,UART/USART
DMA,POR,PWM,WDT
4KB(4K x 8)
闪存
-
512 x 8
A/D 11x8/10b
内部
24-WFQFN 裸露焊盘
-
R5F10377ANA#U5
22
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
RL78/G12
RL78
16-位
24MHz
CSI,I²C,UART/USART
DMA,POR,PWM,WDT
2KB(2K x 8)
闪存
2K x 8
256 x 8
A/D 11x8/10b
内部
20-LSSOP(0.173",4.40mm 宽)
-
R5F10266ASP#V5
18
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
RL78/G12
RL78
16-位
24MHz
CSI,I²C,UART/USART
DMA,POR,PWM,WDT
2KB(2K x 8)
闪存
-
256 x 8
A/D 11x8/10b
内部
20-LSSOP(0.173",4.40mm 宽)
-
R5F10366ASP#V5
18
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
RL78/G13
RL78
16-位
32MHz
CSI,I²C,LIN,UART/USART
DMA,LVD,POR,PWM,WDT
32KB(32K x 8)
闪存
-
2K x 8
A/D 6x8/10b
内部
24-WFQFN 裸露焊盘
-
R5F1007CDNA#W0
15
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
RL78/G13
RL78
16-位
32MHz
CSI,I²C,LIN,UART/USART
DMA,LVD,POR,PWM,WDT
64KB(64K x 8)
闪存
-
4K x 8
A/D 10x8/10b
内部
48-LQFP
-
R5F100GEDFB#X0
34
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
RL78/G13
RL78
16-位
32MHz
CSI,I²C,LIN,UART/USART
DMA,LVD,POR,PWM,WDT
64KB(64K x 8)
闪存
-
4K x 8
A/D 12x8/10b
内部
52-LQFP
-
R5F100JEAFA#X0
38
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
XC9536XL-7VQG44C
系统内可编程(最少 10,000 次编程/擦除循环)
34
0°C ~ 70°C(TA)
44-TQFP
44-VQFP(10x10)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
R8C/Mx/11A
R8C
16-位
20MHz
UART/USART
POR,PWM,电压检测,WDT
8KB(8K x 8)
闪存
-
512 x 8
A/D 5x10b
内部
14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
-
R5F2M112ADSP#W4
11
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
R8C/3x/32D
R8C
16-位
20MHz
I²C,LIN,SIO,SSU,UART/USART
POR,PWM,电压检测,WDT
4KB(4K x 8)
闪存
-
1K x 8
A/D 4x10b
内部
20-LSSOP(0.173",4.40mm 宽)
-
R5F21321DDSP#W4
15
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
R8C/Mx/12A
R8C
16-位
20MHz
UART/USART
POR,PWM,电压检测,WDT
4KB(4K x 8)
闪存
-
384 x 8
A/D 6x10b
内部
20-LSSOP(0.173",4.40mm 宽)
-
R5F2M121ADSP#W4
17
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
R8C/3x/32C
R8C
16-位
20MHz
I²C,LIN,SIO,SSU,UART/USART
POR,PWM,电压检测,WDT
4KB(4K x 8)
闪存
-
512 x 8
A/D 4x10b
内部
20-LSSOP(0.173",4.40mm 宽)
-
R5F21321CNSP#W4
15
-20°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
¥36.06
自营
ARM® Cortex®-M0
32-位
16MHz
I²C
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT
8KB(8K x 8)
闪存
-
2K x 8
D/A 1x7b,1x8b
内部
16-UFQFN 裸露焊盘
剪切带(CT)
CY8C4013LQI-411T
12
-40°C ~ 85°C(TA)
16-QFN(3x3)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
NuMicro™ Nano102
ARM® Cortex®-M0
32-位
32MHz
I²C,IrDA,LIN,智能卡,SPI,UART/USART
欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT
16KB(16K x 8)
闪存
-
4K x 8
A/D 2x12b
内部
32-WFQFN 裸露焊盘
-
NANO102ZB1AN
27
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
NuMicro™ Nano112
ARM® Cortex®-M0
32-位
32MHz
I²C,IrDA,LIN,智能卡,SPI,UART/USART
欠压检测/复位,DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT
16KB(16K x 8)
闪存
-
4K x 8
A/D 7x12b
内部
64-LQFP
-
NANO112SB1AN
58
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
NuMicro M058S
ARM® Cortex®-M0
32-位
50MHz
I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART
欠压检测/复位,LVR,POR,PWM,WDT
32KB(32K x 8)
闪存
4K x 8
4K x 8
A/D 8x12b
内部
64-LQFP
-
M058SSAN
55
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
N78
8051
8-位
40MHz
EBI/EMI,SPI,UART/USART
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT
16KB(16K x 8)
闪存
-
1.25K x 8
-
内部
44-LCC(J 形引线)
-
N78E055APG
36
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
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