|
CY8C4014PVI-412 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
20 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b,1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
MB9BF218SPMC-GE1 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
144MHz |
CSIO,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,UART/USART,USB |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
122 |
1MB(1M x 8) |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 24x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
144-LQFP |
144-LQFP(20x20) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
S6E2H14E0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
63 |
288KB(288K x 8) |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 16x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
80-LQFP |
80-LQFP(12x12) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
21 周 |
|
CY8C4014SXS-421 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
13 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b,1x8b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
16-SOIC |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
17 周 |
|
MB9AFB44NBBGL-GE1 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,EBI/EMI,I²C,UART/USART,USB |
DMA,LCD,LVD,POR,PWM,WDT |
83 |
288KB(288K x 8) |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 24x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
112-LFBGA |
112-PFBGA(10x10) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C5488AXI-LP120 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 1x12b,D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C20224-12LKXIT |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C,SPI |
LVD,POR,WDT |
12 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-UFQFN |
16-QFN(3x3) |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
MB9AFB44NBPMC-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,EBI/EMI,I²C,UART/USART,USB |
DMA,LCD,LVD,POR,PWM,WDT |
83 |
288KB(288K x 8) |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 24x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-LQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C5888FNI-LP214T |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
80MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 1x20b,2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
99-UFBGA,WLCSP |
99-WLCSP(5.19x5.94) |
剪切带(CT) |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
CY8C4247LQI-BL483 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
48MHz |
I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
蓝牙,掉电检测/复位,电容感应,LCD,LVD,POR,PWM,智能卡,智能检测,WDT |
36 |
128KB(128K x 8) |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
56-UFQFN 裸露焊盘 |
56-QFN(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
S6E2G38J0AGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,智能卡,SPI,UART/USART,USB |
DMA,I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
153 |
1MB(1M x 8) |
闪存 |
- |
192K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
176-LQFP |
176-LQFP(24x24) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
CY8C4125AXQ-483 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
欠压检测/复位,电容感应,LCD,LVD,POR,PWM,WDT |
36 |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
44-LQFP |
44-TQFP(10x10) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
CY8C5867AXI-LP024 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
62 |
128KB(128K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
32K x 8 |
A/D 1x20b,1x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-TQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C24794-24LTXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART,USB |
POR,PWM,WDT |
50 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 2x14b;D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
56-VFQFN 裸露焊盘 |
56-QFN(8x8) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C4013SXI-411T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
12 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b,1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
16-SOIC |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
CY8C24423A-24PVXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
24 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b;D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
S6E2CC8JFAGB1000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
200MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,SD,SPI,UART/USART,USB |
DMA,I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
152 |
1MB(1M x 8) |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b,D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
192-LFBGA |
192-FBGA(12x12) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
22 周 |
|
CY8C20234-12LKXI |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C,SPI |
LVD,POR,WDT |
13 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-UFQFN |
16-QFN(3x3) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
S6E2GM6J0AGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,SD,智能卡,SPI,UART/USART,USB |
DMA,I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
153 |
512KB(512K x 8) |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
176-LQFP |
176-LQFP(24x24) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
MB9BF568RPMC-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,SD,UART/USART,USB |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
100 |
1.03125MB(1.03125M x 8) |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 24x12b,D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
120-LQFP |
120-LQFP(16x16) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |