|
CY8C3866LTI-068 |
8051 |
8-位 |
67MHz |
CAN,EBI/EMI,I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
25 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x20b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
48-QFN(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
S6E1C12B0AGP20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,I²C,LIN,智能卡,UART/USART |
I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
24 |
128KB(128K x 8) |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 6x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
32-LQFP |
32-LQFP(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C28645-24LTXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
SPI,UART/USART |
LVD,POR,PWM,WDT |
44 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 4x14b;D/A 4x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
48-QFN(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C3446LTI-073 |
8051 |
8-位 |
50MHz |
EBI/EMI,I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,POR,PWM,WDT |
25 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x12b,D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
48-QFN(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
CY8C21223-24SXIT |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
12 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 8x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
16-SOIC |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
S6E1C11C0AGN20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,I²C,LIN,智能卡,UART/USART |
I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
38 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
48-WFQFN 裸露焊盘 |
48-QFN(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C21434B-24LTXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
28 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
A/D 28x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
32-VFQFN 裸露焊盘 |
32-QFN(5x5) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C4246AZI-M443 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
48MHz |
I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
掉电检测/复位,电容感应,LCD,LVD,POR,PWM,智能检测,WDT |
38 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
48-TQFP(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
CY8C4013SXI-400T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
5 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
8-SOIC |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
CY8C24423A-24SXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
24 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b;D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
28-SOIC |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C5688LTI-LP086 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
80MHz |
I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB |
电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
38 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 2x12b,D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN(8x8) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C4124PVI-442 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
欠压检测/复位,电容感应,LCD,LVD,POR,PWM,WDT |
24 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
S6E2G26H0AGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,智能卡,SPI,UART/USART,USB |
DMA,I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
121 |
512KB(512K x 8) |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 24x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
144-LQFP |
144-LQFP(20x20) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C4127FNI-BL483T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
蓝牙,掉电检测/复位,电容感应,LCD,LVD,POR,PWM,智能卡,智能检测,WDT |
36 |
128KB(128K x 8) |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
68-UFBGA,WLCSP |
68-WLCSP(3.52x3.91) |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
MB95F212KPH-G-SNE2 |
F²MC-8FX |
8-位 |
16MHz |
- |
LVD,POR,PWM,WDT |
5 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
- |
240 x 8 |
A/D 2x8/10b |
外部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
8-DIP(0.300",7.62mm) |
8-DIP |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C4244AZI-443 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
48MHz |
I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
欠压检测/复位,电容感应,LCD,LVD,POR,PWM,WDT |
36 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
48-TQFP(7x7) |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
CY8C4014FNI-421T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
12 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b,1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-XFBGA |
16-WLCSP(1.56x1.45) |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C3244LTI-130 |
8051 |
8-位 |
50MHz |
EBI/EMI,I²C,LIN,SPI,UART/USART |
电容感应,DMA,POR,PWM,WDT |
38 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
512 x 8 |
2K x 8 |
A/D 1x12b,D/A 1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN(8x8) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
S6E2G26JHAGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CAN,CSIO,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,智能卡,SPI,UART/USART,USB |
DMA,I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
153 |
512KB(512K x 8) |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
176-LQFP |
176-LQFP(24x24) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
S6E2H14G0AGB3000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CSIO,EBI/EMI,I²C,LIN,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
100 |
288KB(288K x 8) |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 24x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
121-TFBGA |
121-FBGA(6x6) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
26 周 |