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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5234DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN,PNP
NST3946DXV6T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
40V
200mA
500mW
300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz,250MHz
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA123EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
230mW
-
EMG2DXV5T1G
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA124XDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
700MHz
625mW
40 @ 20mA,10V
100mA
NPN
BF959ZL1
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
带盒(TB)
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C(TJ)
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5131DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 PNP(双)
BC858CDW1T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30V
100mA
380mW
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
100MHz
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
150mW
-
UMA4NT1
-
SC-88A(SC-70-5 / SOT-353)
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC123EDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN,PNP
NST3946DXV6T5
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
40V
200mA
500mW
300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz,250MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC144EPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
剪切带(CT)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7GHz
500mW
90 @ 20mA,5V
70mA
NPN
2SC5501A-4-TR-E
-
表面贴装
4-MCP
SC-82A,SOT-343
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
ATP208-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
90A(Ta)
4.5V,10V
-
83nC @ 10V
4510pF @ 20V
60W(Tc)
6 毫欧 @ 45A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NGB8204NT4G
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
430V
18A
50A
2.5V @ 4V,15A
115W
-
逻辑
-
-
-55°C ~ 175°C(TJ)
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5331DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC124EPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8GHz
100mW
90 @ 10mA,5V
30mA
NPN
2SC5277A-2-TL-E
-
表面贴装
SMCP
SC-75,SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
NGB8207NT4G
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
365V
20A
50A
2.6V @ 4V,20A
165W
-
逻辑
-
-
-55°C ~ 175°C(TJ)
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC124XPDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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