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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
700MHz
625mW
40 @ 20mA,10V
100mA
NPN
BF959RL1G
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C(TJ)
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5130DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
TIG111BF
-
通孔
TO-220FI(LS)
TO-220-3 整包
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPT
600V
23A
92A
2V @ 15V,10A
2W
-
标准
43ns/175ns
300V,10A,30 欧姆,15V
-
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC113EPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
800MHz
350mW
25 @ 5mA,10V
-
NPN
MPSH17RLRAG
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C(TJ)
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5231DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NGD8205NT4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
390V
20A
50A
1.9V @ 4.5V,20A
125W
-
逻辑
-/5µs
300V,9A,1 千欧,5V
-55°C ~ 175°C(TJ)
NPN,PNP
EMZ1DXV6T5
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
60V
100mA
500mW
400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA
500nA(ICBO)
120 @ 1mA,6V
180MHz,140MHz
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
15 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SCH1332-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W(Ta)
95 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563,SOT-666
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC113EDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NGD8205NT4
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
390V
20A
50A
1.9V @ 4.5V,20A
125W
-
逻辑
-/5µs
300V,9A,1 千欧,5V
-55°C ~ 175°C(TJ)
NPN,PNP
EMZ1DXV6T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
60V
100mA
500mW
400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA
500nA(ICBO)
120 @ 1mA,6V
180MHz,140MHz
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
230mW
-
EMA6DXV5T1G
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7GHz
100mW
135 @ 20mA,5V
70mA
NPN
2SC5231A-9-TL-E
-
表面贴装
SMCP
3-SMD,鸥翼型
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA143ZDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA114EDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 PNP(双)
MBT3906DW1T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
40V
200mA
150mW
400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
250MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143TPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
剪切带(CT)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
-
-
50mA
NPN
NSVF2250WT1
-
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
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